公开(公告)号：CN1723171A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200480001829.8

申请日：2004-01-08

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： D·P·戈塞恩 ,  梶浦尚志 ,  丸山竜一郎 ,  白石誠司 ,  黄厚金 ,  野宏治 ,  和智滋明 ,  阿多誠文

IPC: B82B3/00 ,  H01J9/02 ,  H01J1/304 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12 ,  C01B31/02

Abstract: 一种制造管状碳分子的方法，它能够以更精细的间隔和规则排列碳纳米管。通过基于调制热分布(11)的熔化将催化剂排列在由半导体如硅(Si)组成的基材(10)上，所述基材包含作为催化剂的铁。所述热分布(11)是通过用例如衍射光栅(12)使能量束(12)衍射形成的。分布催化剂的方法包括例如将铁以平面或凸起的形式沉积对应于所述热分布(11)的位置中，或者还包括使用其原始形式来将其转印到另一种基材上。使用所述分布催化剂生长碳纳米管。所述生长纳米管可用于记录设备、场致电子发射元件或FED。

公开(公告)号：CN1723171B

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200480001829.8

申请日：2004-01-08

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： D·P·戈塞恩 ,  梶浦尚志 ,  丸山竜一郎 ,  白石誠司 ,  黄厚金 ,  *野宏治 ,  和智滋明 ,  阿多誠文

IPC: B82B3/00 ,  B82B1/00 ,  H01J1/304 ,  H01J31/12 ,  C01B31/02

Abstract: 一种制造管状碳分子的方法，它能够以更精细的间隔和规则排列碳纳米管。通过基于调制热分布(11)的熔化将催化剂排列在由半导体如硅(Si)组成的基材(10)上，所述基材包含作为催化剂的铁。所述热分布(11)是通过用例如衍射光栅(12)使能量束(12)衍射形成的。分布催化剂的方法包括例如将铁以平面或凸起的形式沉积对应于所述热分布(11)的位置中，或者还包括使用其原始形式来将其转印到另一种基材上。使用所述分布催化剂生长碳纳米管。所述生长纳米管可用于记录设备、场致电子发射元件或FED。

公开(公告)号：CN1703780A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN200380100824.6

申请日：2003-10-02

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 角野宏治 ,  阿多誠文

IPC: H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 可获得一种存储元件，其中的自旋传导层具有足够的自旋相干长度和均匀的自旋场，并由此达到实际的应用和提供一种存储装置。例如，自旋导电层(顺磁层)(24)是厚为从0.5nm到5μm的球壳状碳分子薄膜。该球壳状碳分子具有尺寸为，例如，从0.1加到50nm的小孔。顺磁材料被包括在这小孔中。该球壳状碳分子薄膜的费未矢量合适地覆叠着遍及铁磁固定层(23)和铁磁自由层(25)的少数自旋带或大量自旋带。此外，能包括顺磁材料的自旋取向是随机的。而且，在球壳状碳分子中的电子自旋在伪零维空间中是在量子化的状态中。由此，在球壳状碳分子薄膜中自旋相干长度变长，并消除了自旋极化的传导电子的散射。