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公开(公告)号：CN101164872B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN200610140271.2
申请日：2006-10-20
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 本发明提供能够安全、高收率地制造具有相同长度的高纯度单层碳纳米管，且可控制长度的单层碳纳米管的制造方法。通过用硝酸等酸处理利用各种方法合成的包含单层碳纳米管的炭系材料，除去金属杂质，并且在单层碳纳米管的管壁上生成缺陷。接着，通过使用硝酸、过氧化氢、过硫酸盐化合物等氧化剂处理该炭系材料，切断单层碳纳米管。然后，利用氨气等还原性气体处理该炭系材料，从而除去碳杂质，并使单层碳纳米管的缺陷恢复。
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公开(公告)号：CN101851255A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200910130344.3
申请日：2009-04-01
Applicant: 索尼株式会社 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C07F15/00 , C07D213/803
Abstract: 本发明提供了一种钌络合物的制造方法，能够在短时间内合成Ru(dcbpy)2(NCS)2。该制造方法包括：第一步，RuCl3·3H2O和dcbpy反应，合成中间体Ru(II)(dcbpy)2Cl2；以及第二步，加入NH4NCS，合成RU(dcbpy)2(NCS)2，其中，在合成中间体Ru(II)(dcbpy)2Cl2之后，不用对Ru(II)(dcbpy)2Cl2进行分离、提纯处理，而是将第一步和第二步反应在同一反应容器内进行(一锅法)。针对一锅法的第一步和第二步的各个反应，优化反应条件，能够缩短合成时间，减少异构体的生成，并且能够高纯度、高收率、低成本地得到Ru(dcbpy)2(NCS)2。
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公开(公告)号：CN102001620A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200910171619.8
申请日：2009-08-31
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 本发明提供了一种碳纳米管制造方法、碳纳米管膜制造方法以及电子设备制造方法，可以在稳定的条件下容易地修复产生在酸化的碳纳米管的侧壁上的缺陷、可以制造特性良好的碳纳米管。该方法，在利用在硝酸中回流来酸化碳纳米管之后，使用尿酸溶液或者氨水处理该碳纳米管。处理温度例如是25℃～90℃，处理时间是2天以上。在使用尿酸溶液或者氨水处理之前，优选使用氯化亚硫酰溶液等处理碳纳米管。
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公开(公告)号：CN101552052A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200810089140.5
申请日：2008-04-01
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01B1/24 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B32/17 , C01B32/174 , C01B2202/02 , C01B2202/06 , C01B2202/28 , C01B2202/30 , C01B2202/34 , C08J5/18 , C08J2381/08 , Y02P20/582
Abstract: 本发明提供了可以容易且高生产效率地制造由低电阻率的碳纳米管形成的导电膜的导电膜制造方法及这样的由低电阻率碳纳米管形成的导电膜。在溶解全氟磺酸类聚合物作为分散剂于溶剂中的溶液中分散碳纳米管。使用分散有该碳纳米管的溶液，利用真空过滤法形成由碳纳米管形成的、在碳纳米管间残留有全氟磺酸类聚合物的膜，并且通过干燥该膜而制造由碳纳米管形成的导电膜。作为溶剂，使用水、乙醇或包含水和乙醇的溶剂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101552052B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200810089140.5
申请日：2008-04-01
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01B1/24 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B32/17 , C01B32/174 , C01B2202/02 , C01B2202/06 , C01B2202/28 , C01B2202/30 , C01B2202/34 , C08J5/18 , C08J2381/08 , Y02P20/582
Abstract: 本发明提供了可以容易且高生产效率地制造由低电阻率的碳纳米管形成的导电膜的导电膜制造方法及这样的由低电阻率碳纳米管形成的导电膜。在溶解全氟磺酸类聚合物作为分散剂于溶剂中的溶液中分散碳纳米管。使用分散有该碳纳米管的溶液，利用真空过滤法形成由碳纳米管形成的、在碳纳米管间残留有全氟磺酸类聚合物的膜，并且通过干燥该膜而制造由碳纳米管形成的导电膜。作为溶剂，使用水、乙醇或包含水和乙醇的溶剂。
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公开(公告)号：CN101885482A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200910142954.5
申请日：2009-05-15
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 本发明提供了一种碳纳米管膜及其制造方法以及电子装置及其制造方法，能够在稳定的条件下简便且有效率地除去残留在单壁碳纳米管膜等碳纳米管膜中的有机物、并且能够容易地且高生产效率地制造低方块电阻或低方块电阻且高透光率的碳纳米管膜。在基板(11)上通过过滤法形成了单壁碳纳米管膜(12)后，通过光催化处理或利用了芬顿反应的处理来除去残留在碳纳米管膜中的有机物(13)。在光催化处理中，通过将粉末状的光催化剂(14)堆积在单壁碳纳米管膜上，并对光催化剂照射紫外光，从而分解有机物。在利用了芬顿反应的处理中，通过将碳纳米管膜浸渍在含有Fe2+等的溶液中，并向所述溶液中添加过氧化氢，从而开始芬顿反应分解所述有机物。
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公开(公告)号：CN101259959A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200710080027.6
申请日：2007-03-05
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 本发明提供一种单层碳纳米管的制造方法，其可以将集束化的单层碳纳米管良好地分散成单个的单层碳纳米管，而不会牺牲单层碳纳米管固有的化学性质和刚合成后的长的长度，以及提供一种利用该制造方法的单层碳纳米管应用装置的制造方法。将FePt纳米颗粒或CeO2纳米颗粒分散在氢氧化四甲铵水溶液等水溶液中。在该水溶液中添加利用各种方法合成的单层碳纳米管。超声波处理该水溶液得到悬浮液。通过例如磁搅拌该悬浮液，得到被单个分离的单层碳纳米管。
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公开(公告)号：CN101164872A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200610140271.2
申请日：2006-10-20
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 本发明提供能够安全、高收率地制造具有相同长度的高纯度单层碳纳米管，且可控制长度的单层碳纳米管的制造方法。通过用硝酸等酸处理利用各种方法合成的包含单层碳纳米管的炭系材料，除去金属杂质，并且在单层碳纳米管的管壁上生成缺陷。接着，通过使用硝酸、过氧化氢、过硫酸盐化合物等氧化剂处理该炭系材料，切断单层碳纳米管。然后，利用氨气等还原性气体处理该炭系材料，从而除去碳杂质，并使单层碳纳米管的缺陷恢复。
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公开(公告)号：CN101259959B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200710080027.6
申请日：2007-03-05
Applicant: 索尼株式会社
Abstract: 本发明提供一种单层碳纳米管的制造方法，其可以将集束化的单层碳纳米管良好地分散成单个的单层碳纳米管，而不会牺牲单层碳纳米管固有的化学性质和刚合成后的长的长度，以及提供一种利用该制造方法的单层碳纳米管应用装置的制造方法。将FePt纳米颗粒或CeO2纳米颗粒分散在氢氧化四甲铵水溶液等水溶液中。在该水溶液中添加利用各种方法合成的单层碳纳米管。超声波处理该水溶液得到悬浮液。通过例如磁搅拌该悬浮液，得到被单个分离的单层碳纳米管。
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