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公开(公告)号：CN114743864B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202210277178.5
申请日：2022-03-16
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明所提供的有序半导体量子点制备方法，利用材料外延过程中自然存在的热偏析现象，通过脉冲激光干涉实现图形化(即干涉光场增强处)局域加热，不涉及刻蚀过程，量子点的生长位置直接由激光干涉图样决定，故其有序可控性有极大的保障；本发明所提供的有序半导体量子点制备方法直接在分子束外延系内原位完成，故无污染、无氧化，其完成流程也极其简单快捷，成本和时间都和一次传统的S‑K外延自组装生长量子点可比拟。
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公开(公告)号：CN114654097B
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202210177492.6
申请日：2022-02-24
Applicant: 苏州大学
IPC: B23K26/362
Abstract: 本发明属于半导体领域，具体涉及一种基于分子束外延原位激光干涉光刻方法，包括以下步骤，S1：加热基片，所述基片为Ga基或Al基材料，所述加热的温度高于基片材料对应的In基材料的热脱附温度；S2：通入In原子流以充当表面催化剂，引入激光干涉对所述基片进行曝光，完成光刻加工。本发明利用传统的激光干涉在分子束外延系上原位实现对材料进行结构化光刻，相比现有其他非原位的材料微纳加工手段，具有无污染，无氧化，低材料损伤，工艺极其简单高效；另外，能实现材料在Z方向上的刻蚀精度达到原子层级水平。
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公开(公告)号：CN114654097A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210177492.6
申请日：2022-02-24
Applicant: 苏州大学
IPC: B23K26/362
Abstract: 本发明属于半导体领域，具体涉及一种基于分子束外延原位激光干涉光刻方法，包括以下步骤，S1：加热基片，所述基片为Ga基或Al基材料，所述加热的温度高于基片材料对应的In基材料的热脱附温度；S2：通入In原子流以充当表面催化剂，引入激光干涉对所述基片进行曝光，完成光刻加工。本发明利用传统的激光干涉在分子束外延系上原位实现对材料进行结构化光刻，相比现有其他非原位的材料微纳加工手段，具有无污染，无氧化，低材料损伤，工艺极其简单高效；另外，能实现材料在Z方向上的刻蚀精度达到原子层级水平。
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公开(公告)号：CN118147746A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410261029.9
申请日：2024-03-07
Applicant: 苏州大学
IPC: C30B25/16 , H01L21/3205 , H01L21/3213 , C30B25/10 , C30B23/02 , C30B29/02 , C30B29/52 , C30B33/00
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，涉及面向半导体分子束外延的一种图形化可控液滴外延方法。该方法包括以下步骤，将衬底的温度维持在低于目标液滴材料的熔点；在衬底表面沉积目标液滴材料，形成金属镀膜层，沉积厚度高于目标液滴材料正常形成液滴时的临界厚度；原位引入激光干涉脉冲辐照作用于所述金属镀膜层，实现目标液滴的图形化有序构筑。本发明方法可实现图形化制备III族元素液滴，该方法的原理和实施过程完全兼容传统的液滴外延过程，不存在引入任何材料缺陷的风险，不对衬底种类有选择，从而解决当前现有图形化技术普遍存在的包括材料晶体质量潜在的损伤，液滴成分一致性差以及液滴的种类直接受限于选用的衬底等问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118053929A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410196757.6
申请日：2024-02-22
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L31/0352 , C30B25/18 , C30B29/40
Abstract: 本发明属于半导体领域，具体涉及一种基于分子束外延的原位激光直接制备半导体量子环的方法。该方法包括以下步骤，对衬底AB加热后进行第一次原位激光脉冲辐照；调低激光脉冲能量进行第二次原位激光脉冲辐照，通入B中断退火；重复第二次原位激光脉冲辐照和通入B中断退火，直至形成AB半导体量子环。本发明方法能够制备高晶体质量、高对称性的半导体量子环，同时该方法还具备高效可控等优点。
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公开(公告)号：CN114743864A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210277178.5
申请日：2022-03-16
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明所提供的有序半导体量子点制备方法，利用材料外延过程中自然存在的热偏析现象，通过脉冲激光干涉实现图形化(即干涉光场增强处)局域加热，不涉及刻蚀过程，量子点的生长位置直接由激光干涉图样决定，故其有序可控性有极大的保障；本发明所提供的有序半导体量子点制备方法直接在分子束外延系内原位完成，故无污染、无氧化，其完成流程也极其简单快捷，成本和时间都和一次传统的S‑K外延自组装生长量子点可比拟。
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公开(公告)号：CN113540974A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110818091.X
申请日：2021-07-20
Applicant: 苏州大学
IPC: H01S5/12
Abstract: 本申请公开了一种增益耦合分布反馈式半导体激光器及其制作方法，该方法包括获得激光器下结构体，激光器下结构体包括由下至上依次层叠的衬底、缓冲层和下包层；采用原位激光诱导图形化外延技术在激光器下结构体的上表面外延生长无缺陷的量子点阵列作为有源层，形成增益光栅；增益光栅的布拉格波长位于量子点阵列的有效增益区内；在有源层的上表面外延生长上包层，并在激光器下结构体的下表面生长下导电层；在上包层的上表面生长绝缘层，并刻蚀绝缘层形成导电区；在绝缘层的上表面生长上导电层，得到增益耦合分布反馈式半导体激光器。采用原位激光诱导图形化外延技术生长有源层，可避免引入缺陷；不需制备光栅，实现纯增益耦合，制作流程非常简单。
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公开(公告)号：CN114907848B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210439135.2
申请日：2022-04-25
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种双模尺寸InAs/GaAs量子点生长方法、量子点及量子点组合物，包括以下步骤：S1、设置第一温度，在长有GaAs缓冲层的GaAs衬底上沉积n个原子层的InAs，1.4＜n＜1.7；S2、设置第二温度，进行退火，形成量子点晶核，其中，所述第二温度低于所述第一温度；S3、在第二温度下，继续沉积1.7‑n原子层的InAs，所述量子点晶核形成第一量子点，当沉积量达到1.7原子层时，第一量子点之间的原子层表面形成第二量子点，其中，所述第二量子点的尺寸小于第一量子点的尺寸。本发明实现双模尺寸且能对两个模式间比例可调的量子点进行制备。
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公开(公告)号：CN114907848A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210439135.2
申请日：2022-04-25
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种双模尺寸InAs/GaAs量子点生长方法、量子点及量子点组合物，包括以下步骤：S1、设置第一温度，在长有GaAs缓冲层的GaAs衬底上沉积n个原子层的InAs，1.4＜n＜1.7；S2、设置第二温度，进行退火，形成量子点晶核，其中，所述第二温度低于所述第一温度；S3、在第二温度下，继续沉积1.7‑n原子层的InAs，所述量子点晶核形成第一量子点，当沉积量达到1.7原子层时，第一量子点之间的原子层表面形成第二量子点，其中，所述第二量子点的尺寸小于第一量子点的尺寸。本发明实现双模尺寸且能对两个模式间比例可调的量子点进行制备。
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