公开(公告)号：CN115389893A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202210966795.6

申请日：2022-08-12

Applicant: 苏州市职业大学 ,  清华大学无锡应用技术研究院

Inventor： 李亮 ,  周德金 ,  侯晓钧 ,  濮旦晨

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明是一种负压检测电路，采用带隙基准电压比较器结构，应用于GaN半桥驱动电路中，为了解决驱动电路负压的影响，抗负压电路采用降压电平移位电路实时监测高侧电压浮动状态并反馈回自举充电回路，使充电时间避开负压时间，高侧负压检测电路采用带隙基准比较器，将带隙基准和电压比较器结合在一起，受温度的影响小，由于使用电流比较，速度快，可以有效避免高侧浮动电源轨的影响。

公开(公告)号：CN115078943A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210555179.1

申请日：2022-05-20

Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 ,  清华大学无锡应用技术研究院

Inventor： 周德金 ,  徐宏 ,  钟磊 ,  濮旦晨 ,  葛荣

IPC: G01R31/26 ,  G01R1/04 ,  G01R1/02

Abstract: 本发明提供一种功率MOS器件的源漏击穿电压测试装置，包括横向底板，安装架，顶紧气缸，连接座，温度检测架结构，压力检测承重架结构，测试架结构，处理器，触摸显示屏和寄存器，所述的横向底板的上部右侧螺栓安装有安装架；所述的安装架的左侧螺栓安装有顶紧气缸；所述的顶紧气缸的下部螺栓安装有连接座；所述的连接座的下部安装有温度检测架结构；所述的横向底板的上部左侧安装有压力检测承重架结构；所述的安装架的右侧安装有测试架结构；所述的安装架的上部安装有处理器。本发明电流电压可以灵活调整，以及增加测试功能。

公开(公告)号：CN119716480A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411892202.1

申请日：2024-12-20

Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 ,  清华大学无锡应用技术研究院 ,  清华大学

Inventor： 廖忠青 ,  周德金 ,  濮旦晨 ,  钟磊 ,  缪智勇

IPC: G01R31/28 ,  G06N20/00 ,  G06N5/01

Abstract: 本发明公开了一种基于多点采集的芯片高低温试验方法，具体包括如下步骤：步骤一：采用动态温控阵列对芯片温度进行实时数据分析，并调整温控单元的工作状态；步骤二：构件三维温度监测网络，在芯片表面及周围的三维空间中部署多个高精度温度传感器，实时捕捉温度的空间分布和变化，并将三维温度数据导入可视化软件中，生成实时的三维温度分布图；通过智能控制和自适应调整，实现了局部温度的精确控制，有效解决了温度不稳定性的问题，提高了测试的准确性和可靠性，同时构建了全方位的温度监测体系，能够实时捕捉温度的空间分布和变化，为识别和修正温度不均匀性提供了有力支持，并且避免了温度传感器与芯片直接接触导致的测温误差。

公开(公告)号：CN119758004A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411800816.2

申请日：2024-12-09

Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 ,  清华大学无锡应用技术研究院 ,  清华大学

Inventor： 濮旦晨 ,  葛荣 ,  周德金 ,  钟磊 ,  潘彦宏

IPC: G01R31/26 ,  G01R31/28 ,  G05D23/19

Abstract: 本发明公开了一种大功率半导体芯片热稳态测试方法，包括温度传感器：安装于芯片表面，用于实时监测芯片温度；控制器：接收温度传感器的信号，进行数据处理和算法运算，输出控制指令；电源管理模块：根据控制器的指令，调节芯片的电源电压和频率；反馈回路：形成闭环控制，确保温控精度和响应速度；热稳态测试方法如下：设定目标温度范围及允许的温度波动阈值；温度传感器持续监测芯片温度，并将数据发送至控制器；本发明的有益效果是：通过实时监测与动态调节，实现了芯片温度的精确控制，有效提升了芯片的稳态寿命和可靠性，为高性能芯片的热管理提供了一种创新且高效的解决方案，具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN119574698A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411776456.7

申请日：2024-12-05

Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 ,  清华大学无锡应用技术研究院 ,  清华大学

Inventor： 周德金 ,  廖忠青 ,  徐宏 ,  濮旦晨 ,  潘彦宏

IPC: G01N29/04 ,  G01N29/22

Abstract: 本发明公开了一种集成电路板振动频率自动测试装置，包括检测座和放置板，检测座的顶部开设有矩形槽，放置板滑动安装在矩形槽的内部，检测座顶部的一侧呈对称固定安装有两个支撑滑杆；振动头不断地上下移动，对集成电路板进行不断的敲击，从而使集成电路板产生振动，并且观察外界检测设备判断集成电路板是否损坏，能够实现对集成电路板进行全面而精确的振动检测，这种检测方法具有高度的灵活性，可以针对不同厚度、不同规格以及不同材质的集成电路板进行有效的检测，极大地提升了对集成电路板在振动环境下的性能评估与故障排查的检测效果，为确保集成电路板的可靠性和稳定性提供了有力的技术支撑。

公开(公告)号：CN119535171A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411738786.7

申请日：2024-11-29

Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 ,  清华大学无锡应用技术研究院 ,  清华大学

Inventor： 周德金 ,  濮旦晨 ,  刘君 ,  潘彦宏 ,  葛荣

IPC: G01R31/28

Abstract: 本发明涉及集成电路测试技术领域，具体地涉及一种具有循环导向功能的集成电路测试装置，包括主检测主体、轨道支撑薄板、支撑固定架、固定支撑托架、第一限位调节主体、限位放置卡座、第一电动机、电动推杆和滑动支撑卡座，支撑固定架固定连接在轨道支撑薄板的两侧，固定支撑托架固定连接在支撑固定架的外侧端，滑动支撑卡座滑动卡接在轨道支撑薄板上，电动推杆固定安装在滑动支撑卡座的上端中部，第一电动机固定连接在电动推杆的上端。本发明使用的过程中可以在各种模拟的环境中精准循环方便的检测，可以对集成电路板在不同环境下充分的完成检测。

公开(公告)号：CN117148087A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202311132589.6

申请日：2023-09-05

Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 ,  清华大学无锡应用技术研究院

Inventor： 周德金 ,  徐宏 ,  濮旦晨 ,  钟磊

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓器件失效分析用测试装置及其测试方法，属于氮化镓器件测试技术领域。本发明的一种氮化镓器件失效分析用测试装置，包括测试台，所述测试台的内部设置有控制盒，所述测试台的上端设置有显示面板，且显示面板与控制盒电性连接，所述显示面板的一侧设置有移动槽。本发明解决了现有测试设备通过手动推动器件与触头接触从而测试，效率低下，且这样会导致氮化镓器件直接碰撞触头影响测试效果的问题，通过设置器件移动机构，实现了对氮化镓器件的自动输送，且输送过程稳定，同时还能微调氮化镓器件与测试触头的间距，避免直接撞上测试触头，提高了测试效果，且同时可对多个氮化镓器件进行测试，更利于失效分析。

公开(公告)号：CN115864305A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211557667.2

申请日：2022-12-06

Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 ,  清华大学无锡应用技术研究院

Inventor： 周德金 ,  杨烨 ,  钟磊 ,  濮旦晨

IPC: H02H3/24

Abstract: 本发明公开了一种高精度欠压保护电路结构。所提供的高精度欠压保护电路，本发明的针对上电复位过程欠压保护输出状态进行了保护，采用上电复位电路控制整体欠压保护电路的状态；另外欠压保护输出电压采用专用电源VDD2，与欠压保护电路的电源VDD1隔离开，避免数字电路噪声对欠压保护电路的干扰；提高了欠压保护电路的可靠性和精度，可以广泛应用于各类高压集成电路及应用系统。