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公开(公告)号：CN113196691A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201980083009.4
申请日：2019-11-15
Applicant: 菲尼萨公司
Inventor： 徐晓杰 , 贝恩德·许布纳 , 拉菲克·沃尔德 , 马丁·胡伊贝尔特·夸克尔纳克
Abstract: 实施方式包括光发送器。光发送器可以包括用于发送主光信号的主激光器和用于发送备用光信号的备用激光器。光发送器还可以包括光子集成电路(PIC)。PIC可以包括配置成接收来自主激光器的主光信号和来自备用激光器的备用光信号的至少一个输入端口。PIC还可以包括配置成接收主光信号和备用光信号中的每一者的至少一个输出端口。光发送器可以被配置成在确定主激光器已经发生故障或正在发生故障时启用备用激光器。
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公开(公告)号：CN107209325B
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201580073068.5
申请日：2015-11-11
Applicant: 菲尼萨公司
Abstract: 在一个实例中，光子系统包括具有Si基底的Si PIC、形成于Si基底上的SiO2隐埋氧化物、第一层和第二层。第一层形成于SiO2隐埋氧化物上方，并且包括在第一端和与所述第一端相对的锥形端具有耦合器部分的SiN波导。第二层形成于SiO2隐埋氧化物上方并在第一层上方或下方垂直移位。第二层包括Si波导，其具有与SiN波导的耦合器部分在两个正交方向上对齐的锥形端，使得所述Si波导的锥形端在两个正交方向上重叠并且平行于所述SiN波导的耦合器部分。SiN波导的锥形端被构造为绝热耦合至中介件波导的耦合器部分。
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公开(公告)号：CN107111056B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201580073094.8
申请日：2015-11-11
Applicant: 菲尼萨公司
Abstract: 在一个实例中，耦合系统包括第一波导、至少一个第二波导和中介件。第一波导具有第一折射率n1和锥形端。至少一个第二波导各自具有第二折射率n2。中介件包括具有第三折射率n3和耦合器部分的第三波导，其中n1>n2>n3。第一波导的锥形端绝热耦合至至少一个第二波导中的一个的耦合器部分。至少一个第二波导中的一个的锥形端绝热耦合至中介件的第三波导的耦合器部分。耦合系统被构造为在第一波导和至少一个第二波导之间以及在至少一个第二波导和第三波导之间绝热耦合光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108701962B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201680082116.1
申请日：2016-12-19
Applicant: 菲尼萨公司
IPC: H01S5/10 , H01S5/187 , G02B6/12 , G02B6/122 , G02B6/124 , H01S5/00 , H01S5/0225 , H01S5/026 , H01S5/12 , H01S5/125 , H01S5/20 , G02B6/27
Abstract: 一种系统包括：表面耦合边缘发射激光器(212)，包括芯波导、在表面耦合边缘发射激光器的与芯波导相同的层中光耦合到芯波导的扇形射出区域以及形成在扇形射出区域中的第一表面光栅(206)；以及光子集成电路(PIC)，包括光波导和形成在PIC的上层中的第二表面光栅，其中，第二表面光栅与第一表面光栅光学对准。由于扇形射出的锥形形状，降低了激光器芯片与PIC之间的光栅(206)对准要求。
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公开(公告)号：CN108701962A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201680082116.1
申请日：2016-12-19
Applicant: 菲尼萨公司
IPC: H01S5/10 , H01S5/187 , G02B6/12 , G02B6/122 , G02B6/124 , H01S5/00 , H01S5/022 , H01S5/026 , H01S5/12 , H01S5/125 , H01S5/20 , G02B6/27
CPC classification number: H01S5/026 , G02B6/12004 , G02B6/122 , G02B6/1228 , G02B6/124 , G02B6/2746 , G02B2006/12147 , H01S5/005 , H01S5/0064 , H01S5/02252 , H01S5/1032 , H01S5/1035 , H01S5/12 , H01S5/125 , H01S5/187 , H01S5/2027 , H01S5/22 , H01S5/3013
Abstract: 一种系统包括：表面耦合边缘发射激光器(212)，包括芯波导、在表面耦合边缘发射激光器的与芯波导相同的层中光耦合到芯波导的扇形射出区域以及形成在扇形射出区域中的第一表面光栅(206)；以及光子集成电路(PIC)，包括光波导和形成在PIC的上层中的第二表面光栅，其中，第二表面光栅与第一表面光栅光学对准。由于扇形射出的锥形形状，降低了激光器芯片与PIC之间的光栅(206)对准要求。
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公开(公告)号：CN107209325A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201580073068.5
申请日：2015-11-11
Applicant: 菲尼萨公司
Abstract: 在一个实例中，光子系统包括具有Si基底的Si PIC、形成于Si基底上的SiO2隐埋氧化物、第一层和第二层。第一层形成于SiO2隐埋氧化物上方，并且包括在第一端和与所述第一端相对的锥形端具有耦合器部分的SiN波导。第二层形成于SiO2隐埋氧化物上方并在第一层上方或下方垂直移位。第二层包括Si波导，其具有与SiN波导的耦合器部分在两个正交方向上对齐的锥形端，使得所述Si波导的锥形端在两个正交方向上重叠并且平行于所述SiN波导的耦合器部分。SiN波导的锥形端被构造为绝热耦合至中介件波导的耦合器部分。
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公开(公告)号：CN107111056A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580073094.8
申请日：2015-11-11
Applicant: 菲尼萨公司
Abstract: 在一个实例中，耦合系统包括第一波导、至少一个第二波导和中介件。第一波导具有第一折射率n1和锥形端。至少一个第二波导各自具有第二折射率n2。中介件包括具有第三折射率n3和耦合器部分的第三波导，其中n1>n2>n3。第一波导的锥形端绝热耦合至至少一个第二波导中的一个的耦合器部分。至少一个第二波导中的一个的锥形端绝热耦合至中介件的第三波导的耦合器部分。耦合系统被构造为在第一波导和至少一个第二波导之间以及在至少一个第二波导和第三波导之间绝热耦合光。
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公开(公告)号：CN106464378A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580024665.9
申请日：2015-03-10
Applicant: 菲尼萨公司
IPC: H04B10/2581
CPC classification number: H04B10/2504 , G02B6/4296 , G02B6/43 , H04B10/2581 , H04B10/27 , H04J14/04
Abstract: 示例实施例包括一种用于传送光信号的系统。所述系统包括光发射器和光接收器。所述光发射器包括一或多个被配置为产生光信号的激光器和光发射次模块(TOSA)插座。所述TOSA插座光学地将激光器耦合到光纤，并发射准多模光信号(准MM信号)到光纤上，所述准多模光信号包括至少一个低阶模光信号和至少一个高阶模光信号。所述光接收器通过光接收次模块(ROSA)插座连接到所述光纤上。所述光接收器被配置为接收所述准MM光信号，并基本上阻断所述至少一个高阶模光信号。
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