公开(公告)号：CN106068471B

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201580012338.1

申请日：2015-03-09

Applicant: 斯考皮欧技术有限公司

Inventor： 李国良 ,  尼基希尔·库马尔 ,  哈桑·沙乌什

IPC: G02B6/36 ,  G02B6/122

CPC classification number: H01S3/1003 ,  G02B6/1228 ,  G02B6/125 ,  G02B2006/12097 ,  G02B2006/12147 ,  H01S3/0315 ,  H01S3/063 ,  H01S3/0635 ,  H01S3/0675 ,  H01S3/08009 ,  H01S3/1055 ,  H01S5/021 ,  H01S5/0612 ,  H01S5/0683 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/12 ,  H01S5/1218 ,  H01S5/1234 ,  H01S5/141 ,  H01S5/3013

Abstract: 光学定向耦合器具有第一输入端、第二输入端、第一输出端以及第二输出端。耦合器由被布置在衬底上的肩部以及被布置在肩部上的第一脊部和第二脊部构成。第一脊部从第一输入端延伸至第一输出端。第二脊部从第二输入端延伸至第二输出端。肩部、第一脊部以及第二脊部锥化以提供耦合并且被修改以选择耦合比。此外，可调谐激光器具有第一镜、第二镜、增益介质以及定向耦合器。第一镜和第二镜形成光学谐振腔。增益介质和定向耦合器至少部分地处于光学谐振腔的光路中。定向耦合器提供用于可调谐激光器的输出耦合器。

公开(公告)号：CN108701962A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201680082116.1

申请日：2016-12-19

Applicant: 菲尼萨公司

Inventor： 丹尼尔·马哈格里夫特 ,  陈建肖 ,  贝恩德·许布纳 ,  徐晓杰 ,  Y·马特隋 ,  大卫·阿达姆斯 ,  阮氏玲

IPC: H01S5/10 ,  H01S5/187 ,  G02B6/12 ,  G02B6/122 ,  G02B6/124 ,  H01S5/00 ,  H01S5/022 ,  H01S5/026 ,  H01S5/12 ,  H01S5/125 ,  H01S5/20 ,  G02B6/27

CPC classification number: H01S5/026 ,  G02B6/12004 ,  G02B6/122 ,  G02B6/1228 ,  G02B6/124 ,  G02B6/2746 ,  G02B2006/12147 ,  H01S5/005 ,  H01S5/0064 ,  H01S5/02252 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/1035 ,  H01S5/12 ,  H01S5/125 ,  H01S5/187 ,  H01S5/2027 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3013

Abstract: 一种系统包括：表面耦合边缘发射激光器(212)，包括芯波导、在表面耦合边缘发射激光器的与芯波导相同的层中光耦合到芯波导的扇形射出区域以及形成在扇形射出区域中的第一表面光栅(206)；以及光子集成电路(PIC)，包括光波导和形成在PIC的上层中的第二表面光栅，其中，第二表面光栅与第一表面光栅光学对准。由于扇形射出的锥形形状，降低了激光器芯片与PIC之间的光栅(206)对准要求。

公开(公告)号：CN108110110A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201711194588.9

申请日：2017-11-24

Applicant: LG伊诺特有限公司

Inventor： 吴炫智 ,  金炳祚 ,  崔洛俊

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/30 ,  H01S5/30

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/007 ,  H01L33/025 ,  H01L33/06 ,  H01L33/145 ,  H01L33/325 ,  H01L33/382 ,  H01L33/30 ,  H01L33/20 ,  H01S5/3013

Abstract: 公开了一种半导体器件以及包括该半导体器件的半导体器件封装。该器件包括发光结构，其包括：具有铝的第一半导体层；具有铝的第二半导体层；具有铝并且设置在第一和第二半导体层之间的有源层；在第二半导体层中展示的强度范围是在二次离子的第一最小强度和第一最大强度之间；在第一半导体层中展示的强度包括二次离子的第二最小强度，其不同于第一最小强度；在从第二半导体层的表面开始的第一预设距离处，第二半导体层展示出第一最小强度和第一最大强度之间的与第二最小强度对应的二次离子的第一中间强度，第一最大强度出现在从第一预设距离开始的第二预设距离处；第二预设距离(W1)对第一预设距离(W2)的比率是在1:0.2到1:1的范围内。

公开(公告)号：CN103840370B

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201310611160.5

申请日：2013-11-26

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 枡井真吾

IPC: H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/021 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2018 ,  H01S5/2031 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3013 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明实现提高了内部量子效率的氮化物半导体激光器元件。在氮化物半导体激光器元件中，在n型半导体层和p型半导体层之间具有活性层，上述n型半导体层具有n侧光导层，上述活性层具有2个以上阱层和设置在上述阱层之间的至少1个势垒层，上述势垒层具有带隙能量比上述n侧光导层的带隙能量高的势垒层，上述p型半导体层具有带隙能量比上述活性层中所含所有势垒层高的电子势垒层，具备配置在上述2个以上阱层之中最接近上述p型半导体层的阱层即最终阱层与上述电子势垒层之间的p侧光导层，上述p侧光导层具有：配置在上述最终阱层侧且带隙能量比上述n侧光导层低的第一区域和配置在上述电子势垒层侧且带隙能量比上述n侧光导层高的第二区域。

公开(公告)号：CN106057962B

公开(公告)日：2017-12-26

申请号：CN201610243774.6

申请日：2016-04-18

Applicant: 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司

Inventor： W·古特 ,  D·富尔曼 ,  C·瓦赫特

IPC: H01L31/153

CPC classification number: H01L31/167 ,  H01L25/167 ,  H01L27/0814 ,  H01L29/88 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/0352 ,  H01L33/20 ,  H01L33/30 ,  H01L33/60 ,  H01S5/022 ,  H01S5/18 ,  H01S5/3013 ,  H03K17/78 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种叠堆状的光耦合器组件，其具有发射组件和接收组件以及板状电绝缘体，发射组件具有发射区域，接收组件具有接收区域，绝缘体构造在发射组件和接收组件之间，发射组件和接收组件以及板状电绝缘体叠堆状地彼此重叠地布置，发射组件和接收组件在电方面彼此分离然而在光方面彼此耦合，绝缘体对于发射组件的发射波长透明，发射组件的光主要通过绝缘体作用到接收组件上，接收组件具有N个相互串联的部分电压源，其中N是自然数，单个部分电压源的部分电压彼此的偏差小于20％，部分电压源中的每一个具有半导体二极管，半导体二极管具有p‑n结，在各两个相继的部分电压源之间构造有隧道二极管，部分电压源和隧道二极管一起单片式地集成。

公开(公告)号：CN107404063A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201710323817.6

申请日：2017-05-10

Applicant: 日亚化学工业株式会社 ,  新光电气工业株式会社

Inventor： 松下滋 ,  中泽胜哉 ,  冈久英一郎 ,  高鹤一真

IPC: H01S5/022

CPC classification number: H01S5/022 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/486 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L33/642 ,  H01L33/644 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01S5/02216 ,  H01S5/02256 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/02292 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/3013 ,  H01S5/4025 ,  H01L2924/00014 ,  H01S5/02244 ,  H01S5/02236

Abstract: 本发明提供一种难以产生间隙且气密性难以降低的发光装置。一种发光装置，其具备基体、发光元件、以包围所述发光元件的方式与所述基体的上表面接合且具有第一贯通孔的框体、向所述第一贯通孔插入的引线端子、与所述框体接合的盖体。发光装置还具备：板体，其与所述框体的外侧面或内侧面的至少一方接合，在与所述第一贯通孔的贯通方向相同的方向上具有贯通所述板体的第二贯通孔，向所述第二贯通孔插入所述引线端子，且所述板体的厚度比所述框体的厚度大；固定部件，其设于所述第二贯通孔内，固定所述引线端子。

公开(公告)号：CN107394582A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710583176.8

申请日：2017-07-17

Applicant: 浙江大学

Inventor： 杨青 ,  徐鹏飞 ,  汤明炜 ,  王喆超 ,  李海峰 ,  刘旭

IPC: H01S5/30

CPC classification number: H01S5/30 ,  H01S5/3013 ,  H01S5/3018

Abstract: 本发明公开一种高偏振单模横向发光纳米带激光器，包括基底和放置在基底上的半导体纳米带；所述的半导体纳米带表面具有用于横向发光的微结构。本发明还公开上述高偏振单模横向发光纳米带激光器的制备方法，包括：通过化学气相沉积法制备半导体纳米带，将制备的半导体纳米带放置于基底上，将基底置于荧光显微镜光泵浦系统中，采用脉冲激光光源做为泵浦光对半导体纳米带进行激发，由所述半导体纳米带出射由低阈值横向光。本发明采用化学气相沉积法，实现单步骤批量生长制备独特纳米带结构，利用荧光显微系统对纳米带结构进行泵浦激发，可获得同时具有高偏振特性、单模特性和低阈值特性的横向发射激光。

公开(公告)号：CN105359359A

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201480038156.7

申请日：2014-06-30

Applicant: 加州理工学院

Inventor： 克里斯托斯·T·桑蒂斯 ,  斯科特·T·斯特格 ,  阿姆农·亚里夫

IPC: H01S3/08 ,  G02B6/00

CPC classification number: H01S5/12 ,  H01S5/021 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02415 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/1032 ,  H01S5/1203 ,  H01S5/2063 ,  H01S5/2224 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3013 ,  H01S5/3031 ,  H01S5/34306 ,  H01S2301/02 ,  H01S2301/163

Abstract: 激光谐振器包括放大与谐振器的光学增益相关联的光的有源材料，和邻近有源材料设置的无源材料。谐振器在一个或多个光学模式中振荡，所述一个或多个光学模式中的每个光学模式对应于特定空间能量分布和谐振频率。基于无源材料的特性，对于对应于光学模式中的至少一个的特定空间能量分布，光能的优势部分远离有源材料进行分布。无源材料可包括存储远离有源材料分布的优势光能部分的低损耗材料，和设置在低损耗材料和有源材料之间的缓冲材料，其控制存储在低损耗材料中的光能与在有源材料中的光能的部分的比率。

公开(公告)号：CN103038959B

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201180037546.9

申请日：2011-06-21

Applicant: 浜松光子学株式会社 ,  国立大学法人京都大学

Inventor： 广瀬和义 ,  古田慎一 ,  渡边明佳 ,  杉山贵浩 ,  柴田公督 ,  黑坂刚孝 ,  野田进

IPC: H01S5/18 ,  H01L33/22

CPC classification number: H01S5/3013 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/1225 ,  H01L33/005 ,  H01L2933/0083 ,  H01S5/105 ,  H01S5/18 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3432 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明所涉及的半导体面发光元件其特征在于具备：光子晶体层（6），周期性地将多个孔（H）形成于由闪锌矿型结构的第1化合物半导体构成的基本层（6A）内，并且使由闪锌矿型结构的第2化合物半导体构成的埋入层（6B）在孔（H）内生长；活性层（4），对光子晶体层（6）提供光；基本层（6A）的主表面为（001）面，孔（H）的侧面具有至少不同的3个{100}面。

公开(公告)号：CN104380545A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201380024259.3

申请日：2013-05-07

Applicant: 宾恩光学公司

Inventor： 克里斯蒂安·斯塔加雷斯库 ,  亚历克斯·A·贝法尔 ,  诺曼·塞-强·广

IPC: H01S5/00

CPC classification number: H01S5/3013 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/02236 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/0267 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/22 ,  H01S5/34326 ,  H01S2301/18

Abstract: 提供一种用于半导体激光器的光束控制结构，其允许光束形状修改，从而允许例如更高的耦合到光纤中。所述结构可以包含倾斜天井、阶梯、反射顶板和反射侧壁中的一个或多个。