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公开(公告)号:CN119943641A
公开(公告)日:2025-05-06
申请号:CN202510435643.7
申请日:2025-04-09
Applicant: 西北电子装备技术研究所(中国电子科技集团公司第二研究所)
IPC: H01J37/32 , H01J37/248 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及高真空晶圆键合技术领域,具体为一种高真空晶圆键合用等离子激活装置及方法。为了解决现有的等离子激活装置在均匀性、激活效率方面仍存在一定局限性的问题,故提供了一种新的高真空晶圆键合用等离子激活装置及方法,该装置包括方形腔壳,方形腔壳内位于上进气口对应位置处设置两个打散板且两个打散板上的上进气孔相错排列,方形腔壳内固定有与侧进气口相通的环形进气腔,环形进气腔上分布有多个侧进气孔,抽气时通过分子泵和干泵配合抽气。本发明所述的装置及方法有效提高了等离子的均匀性,从而提高了晶圆的表面质量,进而提高了晶圆的键合质量。
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公开(公告)号:CN117270343A
公开(公告)日:2023-12-22
申请号:CN202311314461.1
申请日:2023-10-11
Applicant: 西北电子装备技术研究所(中国电子科技集团公司第二研究所)
IPC: G03F7/42 , H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/68
Abstract: 本发明涉及半导体制造领域,公开了一种全自动等离子活化与去胶设备,其特征在于,包括:机柜,机柜用于承载;装夹台,装夹台设置于机柜中,装夹台用于固定盛放有晶圆片的晶圆盒;机械手,机械手设置于机柜中,机械手上设置有第一传感器;校正机构,校正机构包括基座,基座设置于机柜中,基座上设置有多个呈环形间隔排列的晶圆托齿,且基座上设置有第二传感器;反应机构,反应机构包括真空反应系统和电离系统;真空反应系统包括反应盒、驱动组件和抽真空装置;电离系统包括石英腔和工艺气体供给装置。本发明可应用于六英寸和八英寸半导体晶圆,满足65nm/28nm的纳米制程的高均匀性,高速率去胶要求。
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