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公开(公告)号:CN115947596B
公开(公告)日:2023-12-05
申请号:CN202310065143.X
申请日:2023-01-16
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/46 , C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种基于微波冷烧结的微波介质陶瓷材料及低碳制备方法,步骤一:将陶瓷和液相混合5‑60分钟,混合后,按质量分数计,陶瓷粉末的质量分数为50%‑95%,余量为液相含量;步骤二:将步骤一中混合物进行压片处理;步骤三:将压片后的产物放入微波烧结炉进行烧结,烧结温度为100‑1000℃,升温速率为1℃/min‑50℃/min,保温时间为10min‑300min,得到微波介质陶瓷。相较于传统的高温烧结大大缩短(56)对比文件康晟淋等.冷烧结技术的研究进展及其在电工领域的潜在应用《.电工技术学报》.2022,第37卷(第5期),第1098-1114页.
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公开(公告)号:CN113759625A
公开(公告)日:2021-12-07
申请号:CN202110985857.3
申请日:2021-08-26
Applicant: 西安交通大学
IPC: G02F1/1523
Abstract: 本发明公开了高浓度水系锌离子电解质及包含电解质的电致变色器件及方法,本发明中的氯化锌水溶液质量摩尔浓度控制在8mol/kg~31mol/kg。在该电解质体系下,电解质盐与水分子发生溶剂化作用,降低游离水分子活性,拓宽电化学窗口至2.4V,可提高电致变色器件的脱色电压,进一步提高电致变色反应的电子脱嵌速率;抑制游离水的副反应,提高器件电化学稳定性;高浓度高特质保证优异的开路记忆效应。因而以氧化钨等透明金属氧化物薄膜为电致变色层,金属锌箔为对电极,以高浓度水系氯化锌溶液为电解质的电致变色器件综合性能优异,具备较快的上色/脱色响应速度,良好的循环稳定性和开路记忆效应。
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公开(公告)号:CN110590180A
公开(公告)日:2019-12-20
申请号:CN201910995948.8
申请日:2019-10-18
Applicant: 西安交通大学
IPC: C03C17/34
Abstract: 一种适用于大面积生产低成本环境友好型的氧化钨电致变色薄膜制备方法,包括以下步骤:将FTO玻璃相继放入FTO清洗液、去离子水、乙醇溶液中进行超声清洗15分钟,取出晾干;将钨酸溶于一定质量分数的双氧水中,搅拌均匀后加入PVP粉末,得到前驱体;1)利用前驱体溶液对FTO进行旋涂,在100-280℃条件下烘干成膜;2)利用前驱体溶液对FTO进行刮涂,在60-180℃的环境下烘干成膜;将制得的薄膜放在加热板上进行碳化,得到黑色薄膜样品之后在马弗炉中进行热处理,保温时间为2-4小时,得到多孔氧化钨薄膜。本发明提高了制备氧化钨电致变色薄膜的原料利用率,并且此工艺绿色环保,适用于大面积生产。
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公开(公告)号:CN110262151A
公开(公告)日:2019-09-20
申请号:CN201910556474.7
申请日:2019-06-25
Applicant: 西安交通大学
IPC: G02F1/1503 , E06B5/18 , C03C17/25
Abstract: 本发明公开了一种多功能紫外线响应与屏蔽智能窗及其制备方法,包括电致变色器件、透明紫外探测器及同相放大电路,其中,透明紫外探测器与电致变色器件之间透明胶层相粘接,透明紫外探测器与电致变色器件通过同相放大电路电连接,该窗具有检测紫外线强度及调节紫外线透过率的功能,且制备方法简单,易于实现。
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公开(公告)号:CN108569900A
公开(公告)日:2018-09-25
申请号:CN201810637482.X
申请日:2018-06-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/46 , C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种快速成型微波介质陶瓷及其制备方法,通过使用生物分子材料与塑化剂和去离子水混合得到作为凝胶注模的交联骨架,生物分子材料在溶液中会与塑化剂形成氢键,作为塑化剂提高生坯强度,将陶瓷粉体单独与剩余去离子水混合,避免陶瓷粉体直接与作为凝胶注模的交联骨架混合发生胶黏现象,使陶瓷粉体能够充分交联骨架混合均匀,最后通过排粘和烧结,在一定温度下迅速成瓷,极大缩减制样时间的同时避免了由于有机物排粘不完全产生的缺陷,从而可以获得性能优良的微波介质陶瓷,本方法制得的微波介质陶瓷样品相较于使用相同粉体传统固相法制得的样品拥有更为优良的性能,其介电损耗降低了26.01%、无载品质因数提高了35.6%、QF值提高了76.85%。
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公开(公告)号:CN104030682A
公开(公告)日:2014-09-10
申请号:CN201410247186.0
申请日:2014-06-05
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种无玻璃低温烧结温度稳定型微波介质陶瓷材料及其制备方法。该陶瓷材料的化学式为A1-3xBi2xMoO4,其中A为Ca2+,Sr2+,Ba2+或者Pb2+;0.005≤x≤0.3。其制备方法的以具有白钨矿结构的ABO4型钼基介质材料为基础,利用价态补偿的方法,通过三价铋离子取代二价离子的方式形成A位缺陷型固溶体,制备方法简单,烧结温度低。该陶瓷材料是一种不需要添加玻璃助烧剂就可以在低温下烧结的、温度稳定(谐振频率温度系数小)的可应用于LTCC技术的高性能微波介质陶瓷材料,其介电常数为8~45,最高品质因子为Q×f值=103750GHz,最小|TCF|值可以达到1.2ppm/℃。
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公开(公告)号:CN103553588A
公开(公告)日:2014-02-05
申请号:CN201310468081.3
申请日:2013-09-30
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/26 , C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 一种中高介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法,该微波介质陶瓷材料的化学通式为Ca(Fe,Nb)1-x/2TixO3,将CaCO3、TiO2混合,经湿式球磨,得到样品A;将CaCO3、Nb2O5、Fe3O4混合,经湿式球磨,得到样品B;将样品A、B混合,经过湿式球磨,烘干得混合粉末C,向混合粉末C中加入聚乙烯醇水溶液,并进行造粒,过筛,干压成型,在空气气氛下烧结。本发明制备方法简单,周期短,适合大批量生产;本发明制得的陶瓷材料可用作微波介质材料,致密度在97%以上;且在保持中高介电常数的同时具有很高的材料品质因数,以及稳定的温度系数,该微波介质陶瓷材料具有中高介电常数以及近零谐振频率温度系数。
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公开(公告)号:CN102390991A
公开(公告)日:2012-03-28
申请号:CN201110216641.7
申请日:2011-07-29
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/01 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种新型低温烧结微波介质陶瓷基板材料及其制备方法。该低温烧结微波介质陶瓷基板材料的结构表达式为:xZnO-(1-x)B2O3,其中x=0.5~0.75。粉料制备采用固相合成法工艺,预烧温度为750℃~800℃,烧结温度为850℃~960℃。本发明的基板材料具有以下特点:介电常数较低,介电损耗较小,烧结温度低,可与Ag或Cu电极共烧,制备工艺简单等优点,可用于制备低温共烧陶瓷(LTCC)基板。
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公开(公告)号:CN101712784B
公开(公告)日:2012-02-01
申请号:CN200910218645.1
申请日:2009-10-29
Applicant: 西安交通大学
IPC: C08L27/16 , C08L23/12 , C08L23/06 , C08L33/12 , C08L63/00 , C08K9/10 , C08K3/24 , C08K3/22 , C09C1/36 , C09C3/04 , C09C3/06 , C09C3/08
Abstract: 本发明涉及一种核壳结构填料/聚合物基复合材料及其制备方法,该种核壳结构填料/聚合物基复合材料包括:金属包覆陶瓷颗粒而形成的核壳结构填料及聚合物,所述聚合物完全包覆所述核壳结构填料。本发明所制备的核壳结构填料/聚合物基复合材料具有高介电常数、低介电损耗、以及良好的介电性能温度稳定性等优点,其制备方法具有操作简单,热处理温度低,成本低,适合工业化生产,环境友好等特点。
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公开(公告)号:CN102249663A
公开(公告)日:2011-11-23
申请号:CN201110100849.2
申请日:2011-04-21
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/495 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种铋基钒基低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法。以结构通式(A+A3+)0.5(B5+B6+)0.5O4为基础,选取低价态Na+离子和Bi3+联合占据A位,高价态的Mo6+和V5+复合阳离子占据B位,通过传统固相反应烧结的方法,得到了一系列可以在800℃以下温度范围内烧结,高微波介电常数(34.4≤εr≤79.3)、谐振频率温度系数可调(-263ppm/℃≤TCF≤+43ppm/℃)且微波介电损耗低(高品质因数Qf值,5,000GHz≤Qf≤12,000GHz)的陶瓷材料。其具体结构表达式为:(Na0.5xBi1-0.5x)(MoxV1-x)O4,式中0.0<x<1.0。
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