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公开(公告)号：CN115148734A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210721926.4
申请日：2022-06-24
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L27/095
Abstract: 砷化镓低噪声放大器和氮化镓功率放大器单片集成电路，自下而上依次包括衬底层、缓冲层、沟道层、势垒层以及位于势垒层上的电极；其中衬底层采用硅材料，衬底层上方为缓冲层，分为左右两个部分，左边为三族氮化物复合缓冲层、右边为三族砷化物缓冲层。氮化镓缓冲层上方为氮化镓晶体管的沟道层和势垒层；三族砷化物缓冲层上方为砷化镓晶体管的沟道层和势垒层，势垒层上方为氮化镓晶体管和砷化镓晶体管的电极，衬底层背面至势垒层上设置有通孔。该集成方法可以在同一个硅衬底上实现氮化镓晶体管和砷化镓晶体管的集成，有效减少低噪声放大器和功率放大器之间的寄生效应，改善电路高频性能，并且可以减少芯片面积，降低成本，增加散热。
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公开(公告)号：CN115148734B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202210721926.4
申请日：2022-06-24
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L27/095
Abstract: 砷化镓低噪声放大器和氮化镓功率放大器单片集成电路，自下而上依次包括衬底层、缓冲层、沟道层、势垒层以及位于势垒层上的电极；其中衬底层采用硅材料，衬底层上方为缓冲层，分为左右两个部分，左边为三族氮化物复合缓冲层、右边为三族砷化物缓冲层。氮化镓缓冲层上方为氮化镓晶体管的沟道层和势垒层；三族砷化物缓冲层上方为砷化镓晶体管的沟道层和势垒层，势垒层上方为氮化镓晶体管和砷化镓晶体管的电极，衬底层背面至势垒层上设置有通孔。该集成方法可以在同一个硅衬底上实现氮化镓晶体管和砷化镓晶体管的集成，有效减少低噪声放大器和功率放大器之间的寄生效应，改善电路高频性能，并且可以减少芯片面积，降低成本，增加散热。
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公开(公告)号：CN117792460A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311461443.6
申请日：2023-11-06
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
Abstract: 本申请涉及一种星载平面天线电流分布与阻抗的获取方法和计算机设备，获取方法包括：利用非寻常波和寻常波的核函数、以及天线上的电流分布，表示平面天线阵列中的单元线天线上的切向电场；根据天线阵列的n个单元，建立n个包含未知电流分布和馈电点电压的联立积分方程，求解所述积分方程获得电流分布；根据所述电流分布、所述馈电点电压，获得天线阵列各单元的自阻抗以及互阻抗。本申请基于星载甚低频平面天线阵所处的各向异性电离层环境，能够准确地计算该环境下平面天线阵的电流分布和输入阻抗，分析不同参数条件下的平面天线阵的各单元间的互耦效应以及阵列的辐射效率，为实际建设星载平面天线阵提供有效的理论指导与技术参考。
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公开(公告)号：CN118263223A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410208588.3
申请日：2024-02-26
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L23/528 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及一种功率放大器和低噪声放大器三维集成电路及制备方法，集成电路包括：Ⅲ族氮化物体系、Ⅲ族砷化物体系、第一通孔、第一电极结构、第二通孔、第二电极结构、键合层和若干金属凸块，其中，第一电极结构位于Ⅲ族氮化物体系的一端，通过第一通孔连接控制电路；第二电极结构位于Ⅲ族砷化物体系的一端，通过第二通孔连接控制电路；键合层设置在Ⅲ族氮化物体系和Ⅲ族砷化物体系之间。本发明通过将Ⅲ族氮化物体系和Ⅲ族砷化物体系通过键合层键合在一起，同时实现功率放大器和低噪声放大器，减小了芯片的面积和封装模块之间的连线，从而减小了连线带来的寄生电感，进而减小了射频功率的损耗和延迟，提高了电路的高频性能。
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公开(公告)号：CN115032169A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210426643.7
申请日：2022-04-21
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: G01N21/3581 , H01L27/146
Abstract: 本发明涉及一种氮化镓基太赫兹探测器阵列单元、探测器及制备方法，阵列单元包括：太赫兹天线、检波单元和功率放大器。检波单元包括至少一个第一晶体管，功率放大器包括至少一个第二晶体管，至少一个第一晶体管和至少一个第二晶体管均采用氮化镓基高电子迁移率晶体管且集成在同一预制片上；太赫兹天线与至少一个所述第一晶体管中的检波单元输入端连接，至少一个所述第一晶体管中的检波单元输出端与至少一个所述第二晶体管中的功率放大器输入端连接。该阵列单元检波单元的晶体管与功率放大器的晶体管集成于同一衬底上，能够有效提高探测器像元一致性与集成度，减少封装和工艺加工成本，提高整个探测器阵列单元的高温工作能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118473345A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410648367.8
申请日：2024-05-23
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种基于共面波导的金刚石基功率放大器和电子设备，包括依次连接的驱动级放大器、级间匹配网络和输出级放大器；驱动级放大器、级间匹配网络和输出级放大器的衬底材料均为金刚石；驱动级放大器、级间匹配网络和输出级放大器中的传输线采用共面波导结构，该功率放大器采用金刚石材料作为衬底，可以有效散热，进而提高功率放大器的效率和高温工作能力，另一方面使用共面波导结构，解决了金刚石衬底难以进行背通孔接地的问题，同时简化了制作工艺。
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公开(公告)号：CN115000168A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210721922.6
申请日：2022-06-24
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/66 , H01L21/335
Abstract: 一种P型氮化物增强型HEMT器件及其制备方法，用传统制备方法淀积氮化镓帽层并进行Mg杂质掺杂后，不再进一步刻蚀掉非栅极下的氮化物帽层，而是继续经过淀积刻蚀形成一层n型掺杂的GaN保护层，然后再对栅极下方的氮化镓帽层进行退火，使得Mg杂质被激活，形成P型氮化物帽层。栅电极下方激活的原Mg掺杂氮化物帽层耗尽了栅下沟道中的二维电子气，提高了器件的阈值电压，实现增强型器件。同常规P型氮化物增强型HEMT器件采用的干法刻蚀工艺相比，该制备方法避免制作时的干法刻蚀步骤，减少了刻蚀对势垒层表面的损伤，极少了表面态引起的动态电阻退化和可靠性退化；增大了产品的片内均匀性和批次重复性，提高了产品良率。
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公开(公告)号：CN114843342A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210425090.3
申请日：2022-04-21
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/20 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种具有漏电极埋层的氮化镓基晶体管及制作方法，主要解决现有技术漏电极泄露电流大，器件击穿电压低的问题，其自下而上包括：衬底(1)、复合缓冲层(2)、沟道层(3)、势垒层(4)和钝化层(5)，该复合缓冲层中设有P型埋层(6)，该势垒层表面设置有源电极(7)、漏电极(8)和栅电极(9)。其中沟道层与势垒层之间形成异质结界面，漏电极依次穿过势垒层和沟道层，进入复合缓冲层中的P型埋层。本发明通过引入与漏电极相连接的P型埋层，有效抑制了关断状态时从漏电极泄露的电子，降低了漏电极泄露电流，且辅助器件沟道中的二维电子气耗尽，扩展了器件的空间电荷区，提高了关态击穿电压，可用于电力电子系统。
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公开(公告)号：CN114221116A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111394386.5
申请日：2021-11-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01Q1/38 , H01Q1/12 , H01Q1/48 , H01Q1/50 , H01Q1/52 , H01Q5/25 , H01Q5/30 , H01Q9/04 , H01Q17/00 , H01Q21/00 , H01Q21/06
Abstract: 本发明涉及一种柔性超薄模块化超宽带紧耦合阵列天线，包括：辐射层，所述辐射层使用柔性基板置于阵列天线最上层，在柔性基板上印刷有若干天线辐射贴片和共面馈电线，每一个天线辐射贴片分为第一辐射臂和第二辐射臂，第一辐射臂跟第二辐射臂分别印制于柔性基板两面，且有部分交错；支撑层，所述支撑层为蜂窝状结构，具有柔性特点，起支撑作用；高阻层，所述高阻层用于抑制辐射层的后向辐射，减少金属地板对于阵列天线的负面影响；地板层，所述地板层采用柔软的金属铜箔粘贴于高阻层底面，作为阵列天线的金属地；若干馈电同轴线，所述馈电同轴线与共面馈电线相连，将馈电端口引到天线底部。本发明实现了阵列天线的超薄、柔性以及超宽带特性。
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公开(公告)号：CN113591537A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110548008.1
申请日：2021-05-19
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06K9/00 , G06F17/16 , G10L21/0272
Abstract: 本发明公开了一种双迭代非正交联合块对角化卷积盲源分离方法，包括：从M个传感器接收并记录源信号的观测信号，获得观测信号在指定时延下的二阶时延相关矩阵组，根据所述二阶时延相关矩阵组构造卷积对称拟合代价函数，利用双迭代算法求解所述卷积对称拟合代价函数，获得源信号的估计值。该方法直接在时域内迭代求解混叠矩阵和对角矩阵组，避免了频域算法存在比较严重的排列不定性问题，能够有效提高语音分离后语音识别精准率，且该方法收敛稳定且能做到快速收敛，同时时间复杂度较低。
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