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公开(公告)号：CN103578933A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310338519.6
申请日：2013-08-06
Applicant: 通用电气公司
Inventor： J.D.迈克尔 , S.D.阿瑟 , T.L.约翰逊 , D.A.利利恩菲尔德
CPC classification number: H01L21/0485 , H01L29/66068 , H01L29/7827
Abstract: 本发明公开了半导体器件连同用于制造此类器件的方法。在某些实施例中，半导体器件包括使用限制半导体器件在操作期间诸如由偏置温度不稳定性引起的阈值电压偏移的金属形成的源电极。在某些实施例中，半导体器件可基于碳化硅。
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公开(公告)号：CN109994361A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201811301165.7
申请日：2018-11-02
Applicant: 通用电气公司 , 威斯康星旧生研究基金会
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种气体开关包括阳极和与阳极间隔开的阴极，其中阴极包括导电表面。气体开关还包括布置成生成磁场的多个磁体以及定位在阳极与阴极之间的控制网栅，所述磁场在距离开关轴线一定径向距离处在导电表面的部分上限定环形路径。在操作中，控制网栅布置成形成阳极与阴极之间的导电的等离子体，其中在导电的等离子体的存在下，阳极与阴极之间的电压降小于150伏，且其中导电的等离子体形成环绕环形路径的阴极斑点。
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公开(公告)号：CN103578933B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201310338519.6
申请日：2013-08-06
Applicant: 通用电气公司
Inventor： J.D.迈克尔 , S.D.阿瑟 , T.L.约翰逊 , D.A.利利恩菲尔德
CPC classification number: H01L21/0485 , H01L29/66068 , H01L29/7827
Abstract: 本发明公开了半导体器件连同用于制造此类器件的方法。在某些实施例中，半导体器件包括使用限制半导体器件在操作期间诸如由偏置温度不稳定性引起的阈值电压偏移的金属形成的源电极。在某些实施例中，半导体器件可基于碳化硅。
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公开(公告)号：CN109994361B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN201811301165.7
申请日：2018-11-02
Applicant: 通用电气公司 , 威斯康星旧生研究基金会
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种气体开关包括阳极和与阳极间隔开的阴极，其中阴极包括导电表面。气体开关还包括布置成生成磁场的多个磁体以及定位在阳极与阴极之间的控制网栅，所述磁场在距离开关轴线一定径向距离处在导电表面的部分上限定环形路径。在操作中，控制网栅布置成形成阳极与阴极之间的导电的等离子体，其中在导电的等离子体的存在下，阳极与阴极之间的电压降小于150伏，且其中导电的等离子体形成环绕环形路径的阴极斑点。
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公开(公告)号：CN103579302B
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201310324987.8
申请日：2013-07-30
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: H01L23/04 , H01L21/50 , H01L29/1608 , H01L29/7802 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本公开涉及碳化硅器件中的降低的偏压温度不稳定性的半导体器件和方法。一种系统包括碳化硅(SiC)半导体器件以及包封SiC半导体器件的气密密封封装。气密密封封装配置成保持SiC半导体器件附近的特定气氛。此外，特定气氛将操作期间的SiC半导体器件的阈值电压的偏移限制到小于1 V。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103579302A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310324987.8
申请日：2013-07-30
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: H01L23/04 , H01L21/50 , H01L29/1608 , H01L29/7802 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本公开涉及碳化硅器件中的降低的偏压温度不稳定性的半导体器件和方法。一种系统包括碳化硅(SiC)半导体器件以及包封SiC半导体器件的气密密封封装。气密密封封装配置成保持SiC半导体器件附近的特定气氛。此外，特定气氛将操作期间的SiC半导体器件的阈值电压的偏移限制到小于1V。
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公开(公告)号：CN109804514B
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201780064232.5
申请日：2017-08-01
Applicant: 通用电气公司
Abstract: 本公开的实施例涉及一种火花间隙(104)装置，其包括具有第一表面的第一电极(102)和具有第二表面的第二电极(106)，第二表面相对于第一表面偏移且面向第一表面。火花间隙装置还包括联接到第一电极的悬臂式构件(100)，悬臂式构件构造成生成场发射、电晕放电或两者，以朝向至少第一表面发射光，使得光子入射在第一表面上，并且引起从第一表面的电子发射。火花间隙装置可不包括放射性组分。
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公开(公告)号：CN109804514A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201780064232.5
申请日：2017-08-01
Applicant: 通用电气公司
Abstract: 本公开的实施例涉及一种火花间隙(104)装置，其包括具有第一表面的第一电极(102)和具有第二表面的第二电极(106)，第二表面相对于第一表面偏移且面向第一表面。火花间隙装置还包括联接到第一电极的悬臂式构件(100)，悬臂式构件构造成生成场发射、电晕放电或两者，以朝向至少第一表面发射光，使得光子入射在第一表面上，并且引起从第一表面的电子发射。火花间隙装置可不包括放射性组分。
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公开(公告)号：CN103443924B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201280015829.8
申请日：2012-03-28
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L29/45 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/78 , H01L21/045 , H01L29/1608 , H01L29/45 , H01L29/4925 , H01L29/4933 , H01L29/7395 , H01L29/7455 , H01L29/7802
Abstract: 根据一个实施例，一种半导体器件，其具有包含碳化硅的半导体衬底，在第一表面上、在该衬底的一部分上附设栅电极，在该衬底的第二表面上附设漏电极。在栅电极上附设有介电层以及在介电层上面、之内、或之下附设有矫正层，其中该矫正层配置成缓解负偏压温度不稳定性，保持小于约1伏的阈值电压的变化。在矫正层上附设源电极，其中源电极电耦合到半导体衬底的接触区域。
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公开(公告)号：CN103443924A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201280015829.8
申请日：2012-03-28
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L29/45 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/78 , H01L21/045 , H01L29/1608 , H01L29/45 , H01L29/4925 , H01L29/4933 , H01L29/7395 , H01L29/7455 , H01L29/7802
Abstract: 根据一个实施例，一种半导体器件，其具有包含碳化硅的半导体衬底，在第一表面上、在该衬底的一部分上附设栅电极，在该衬底的第二表面上附设漏电极。在栅电极上附设有介电层以及在介电层上面、之内、或之下附设有矫正层，其中该矫正层配置成缓解负偏压温度不稳定性，保持小于约1伏的阈值电压的变化。在矫正层上附设源电极，其中源电极电耦合到半导体衬底的接触区域。
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