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公开(公告)号：CN104303314A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201380025695.2
申请日：2013-05-15
Applicant: 通用电气公司
Inventor： S.D.阿瑟 , A.V.博洛特尼科夫 , P.A.罗西 , K.S.马托查 , R.J.赛亚 , Z.M.斯塔姆 , L.D.斯特瓦诺维奇 , K.V.S.R.基肖尔 , J.W.克雷奇默
IPC: H01L29/861 , H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L21/266 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/0638 , H01L21/0465 , H01L29/0619 , H01L29/0646 , H01L29/1608 , H01L29/36 , H01L29/6606 , H01L29/7395 , H01L29/7811 , H01L29/8611 , H01L29/8613
Abstract: 提供一种半导体器件(200)，包括：含碳化硅的衬底(202)；布置在衬底(202)上的漂移层(214)，漂移层含掺第一(n型)掺杂剂类型的漂移区(214)，以具有第一导电类型；与漂移区相邻并接近漂移层的表面(204)的第二区(216)。第二区掺第二(p型)掺杂剂类型，以具有第二导电类型。半导体器件还包括与第二(阱)区相邻布置的结终端扩展(JTE)(220)。JTE具有宽度Wjte且包括在第一、第二方向上被隔离且掺杂有变化浓度的第二(p型)掺杂剂类型的多个离散区(221)，以具有总体沿着远离主阻断结(230)边缘的方向减小的函数形式的第二导电类型的有效掺杂分布。宽度Wjte小于或等于一维耗尽宽度(Wdepl 1D)五倍的倍数，以及半导体器件的电荷容差大于1.0x1013/cm2。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104838502B
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201380065184.3
申请日：2013-11-18
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/16
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L27/088 , H01L29/1083 , H01L29/1608 , H01L29/42368 , H01L29/66068 , H01L29/66712 , H03K17/687
Abstract: 绝缘栅场效应晶体管(IGFET)装置包括半导体主体和栅极氧化物。半导体主体包括采用第一类型的掺杂剂所掺杂的第一阱区以及采用带相反电荷的第二类型的掺杂剂所掺杂并且位于第一阱区中的第二阱区。栅极氧化物包括具有不同厚度尺寸的外段和内段。外段设置在半导体主体的第一阱区和第二阱区之上。内段设置在半导体主体的结型栅场效应晶体管区之上。半导体主体配置成形成成当栅极信号施加到设置于栅极氧化物上的栅极触点时经过第二阱区和结型栅场效应晶体管区来形成传导沟道。
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公开(公告)号：CN104303314B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201380025695.2
申请日：2013-05-15
Applicant: 通用电气公司
Inventor： S.D.阿瑟 , A.V.博洛特尼科夫 , P.A.罗西 , K.S.马托查 , R.J.赛亚 , Z.M.斯塔姆 , L.D.斯特瓦诺维奇 , K.V.S.R.基肖尔 , J.W.克雷奇默
IPC: H01L29/861 , H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L21/266 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/0638 , H01L21/0465 , H01L29/0619 , H01L29/0646 , H01L29/1608 , H01L29/36 , H01L29/6606 , H01L29/7395 , H01L29/7811 , H01L29/8611 , H01L29/8613
Abstract: 提供一种半导体器件(200)，包括：含碳化硅的衬底(202)；布置在衬底(202)上的漂移层(214)，漂移层含掺第一(n型)掺杂剂类型的漂移区(214)，以具有第一导电类型；与漂移区相邻并接近漂移层的表面(204)的第二区(216)。第二区掺第二(p型)掺杂剂类型，以具有第二导电类型。半导体器件还包括与第二(阱)区相邻布置的结终端扩展(JTE)(220)。JTE具有宽度Wjte且包括在第一、第二方向上被隔离且掺杂有变化浓度的第二(p型)掺杂剂类型的多个离散区(221)，以具有总体沿着远离主阻断结(230)边缘的方向减小的函数形式的第二导电类型的有效掺杂分布。宽度Wjte小于或等于一维耗尽宽度(Wdepl 1D)五倍的倍数，以及半导体器件的电荷容差大于1.0x1013/cm2。
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公开(公告)号：CN104838502A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201380065184.3
申请日：2013-11-18
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/16
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L27/088 , H01L29/1083 , H01L29/1608 , H01L29/42368 , H01L29/66068 , H01L29/66712 , H03K17/687
Abstract: 绝缘栅场效应晶体管(IGFET)装置包括半导体主体和栅极氧化物。半导体主体包括采用第一类型的掺杂剂所掺杂的第一阱区以及采用带相反电荷的第二类型的掺杂剂所掺杂并且位于第一阱区中的第二阱区。栅极氧化物包括具有不同厚度尺寸的外段和内段。外段设置在半导体主体的第一阱区和第二阱区之上。内段设置在半导体主体的结型栅场效应晶体管区之上。半导体主体配置成形成成当栅极信号施加到设置于栅极氧化物上的栅极触点时经过第二阱区和结型栅场效应晶体管区来形成传导沟道。
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公开(公告)号：CN103443924B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201280015829.8
申请日：2012-03-28
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L29/45 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/78 , H01L21/045 , H01L29/1608 , H01L29/45 , H01L29/4925 , H01L29/4933 , H01L29/7395 , H01L29/7455 , H01L29/7802
Abstract: 根据一个实施例，一种半导体器件，其具有包含碳化硅的半导体衬底，在第一表面上、在该衬底的一部分上附设栅电极，在该衬底的第二表面上附设漏电极。在栅电极上附设有介电层以及在介电层上面、之内、或之下附设有矫正层，其中该矫正层配置成缓解负偏压温度不稳定性，保持小于约1伏的阈值电压的变化。在矫正层上附设源电极，其中源电极电耦合到半导体衬底的接触区域。
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公开(公告)号：CN103443924A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201280015829.8
申请日：2012-03-28
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L29/45 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/78 , H01L21/045 , H01L29/1608 , H01L29/45 , H01L29/4925 , H01L29/4933 , H01L29/7395 , H01L29/7455 , H01L29/7802
Abstract: 根据一个实施例，一种半导体器件，其具有包含碳化硅的半导体衬底，在第一表面上、在该衬底的一部分上附设栅电极，在该衬底的第二表面上附设漏电极。在栅电极上附设有介电层以及在介电层上面、之内、或之下附设有矫正层，其中该矫正层配置成缓解负偏压温度不稳定性，保持小于约1伏的阈值电压的变化。在矫正层上附设源电极，其中源电极电耦合到半导体衬底的接触区域。
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