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公开(公告)号：CN107810558A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201680037599.3
申请日：2016-06-24
Applicant: 通用电气公司
Inventor： P.A.罗西 , A.V.博罗特尼科夫 , R.甘地
IPC: H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/808 , H01L29/872 , H01L21/337 , H01L21/329
CPC classification number: H01L29/1608 , H01L29/0634 , H01L29/6606 , H01L29/8083 , H01L29/872
Abstract: 本说明书中公开的主题涉及碳化硅(SiC)功率装置，并且更确切地说，涉及SiC超结(SJ)功率装置的有源区设计。SiC‑SJ装置包括具有一个或多个电荷平衡(CB)层有源区。每个CB层包括具有第一导电型的半导体层和设置在所述半导体层表面中具有第二导电型的多个浮置区。所述多个浮置区和所述半导体层均被配置成大体上耗尽以在反偏压施加至所述SiC‑SJ装置时提供来自离子掺杂剂的大体上等量的电荷。
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公开(公告)号：CN117219651A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311017276.6
申请日：2017-03-09
Applicant: 通用电气公司
Inventor： A.V.博罗特尼科夫 , P.A.罗西 , D.A.利利恩菲尔德 , R.甘地
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 超结(SJ)装置包括一个或多个电荷平衡(CB)层。每个CB层包括具有第一导电型的外延(epi)层和具有第二导电型的多个电荷平衡(CB)区。另外，SJ装置包括具有第二导电型的连接区，该连接区从设置在SJ装置的装置层的顶部表面中的区延伸到CB区中的一个或多个。连接区使载流子能够从该区直接地流动到一个或多个CB区，这减少SJ装置的切换损耗。
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公开(公告)号：CN115241270A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210490401.4
申请日：2016-06-24
Applicant: 通用电气公司
Inventor： P.A.罗西 , A.V.博罗特尼科夫 , R.甘地
IPC: H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 本说明书中公开的主题涉及碳化硅(SiC)功率装置，并且更确切地说，涉及SiC超结(SJ)功率装置的有源区设计。SiC‑SJ装置包括具有一个或多个电荷平衡(CB)层有源区。每个CB层包括具有第一导电型的半导体层和设置在所述半导体层表面中具有第二导电型的多个浮置区。所述多个浮置区和所述半导体层均被配置成大体上耗尽以在反偏压施加至所述SiC‑SJ装置时提供来自离子掺杂剂的大体上等量的电荷。
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公开(公告)号：CN108780806A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780019384.3
申请日：2017-03-09
Applicant: 通用电气公司
Inventor： A.V.博罗特尼科夫 , P.A.罗西 , D.A.利利恩菲尔德 , R.甘地
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/861 , H01L29/872 , H01L29/732 , H01L21/336 , H01L21/337 , H01L21/329 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/0634 , H01L21/046 , H01L29/0619 , H01L29/1608 , H01L29/6606 , H01L29/66068 , H01L29/66136 , H01L29/66143 , H01L29/66272 , H01L29/66909 , H01L29/73 , H01L29/732 , H01L29/78 , H01L29/7802 , H01L29/808 , H01L29/8083 , H01L29/861 , H01L29/872
Abstract: 超结（SJ）装置包括一个或多个电荷平衡（CB）层。每个CB层包括具有第一导电型的外延（epi）层和具有第二导电型的多个电荷平衡（CB）区。另外，SJ装置包括具有第二导电型的连接区，该连接区从设置在SJ装置的装置层的顶部表面中的区延伸到CB区中的一个或多个。连接区使载流子能够从该区直接地流动到一个或多个CB区，这减少SJ装置的切换损耗。
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