公开(公告)号：CN115663014A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202211220523.8

申请日：2015-06-24

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A.V.博罗特尼科夫 ,  P.A.罗西

IPC: H01L29/06

Abstract: 本发明题为半导体器件的蜂窝布局。一种制作在碳化硅(SiC)半导体层的表面的半导体器件单元的方法包括在SiC半导体层的表面之上形成半导体器件单元的分段源和体接触件(SSBC)。SSBC包括体接触件部分，其设置在半导体层的表面之上并且接近半导体器件单元的体接触件区，其中体接触件部分没有设置在半导体器件单元的中心之上。SSBC还包括源接触件部分，其设置在半导体层的表面之上并且接近半导体器件单元的源接触件区，其中至少一个源接触件部分仅部分包围SSBC的体接触件部分。

公开(公告)号：CN104282574A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410313059.6

申请日：2014-07-02

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A.V.博罗特尼科夫 ,  P.A.罗西

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种半导体装置以及制造方法，所述半导体装置包括碳化硅(SiC)漂移层，其安置于(0001)取向的SiC基底上。所述SiC漂移层具有非平面表面，所述非平台表面包括多个重复特征，所述多个重复特征平行于所述半导体装置的沟道的长度取向。此外，所述沟道区域安置在所述SiC漂移层的特定晶面内。

公开(公告)号：CN108780807B

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN201780019463.4

申请日：2017-02-17

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A.V.博罗特尼科夫 ,  L.D.斯特瓦诺维奇 ,  P.A.罗西

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/16 ,  H01L29/745 ,  H01L29/732 ,  G06F30/367

Abstract: 在一个实施例中，制造碳化硅(SiC)装置的方法包括:接收对在特定施加电压的特定地球宇宙射线(TCR)额定值的选择；至少基于在特定施加电压的特定TCR额定值来确定SiC装置的击穿电压；至少基于击穿电压来确定漂移层设计参数。漂移层设计参数包括漂移层的掺杂浓度和厚度。所述方法还包括制作具有带有所确定的漂移层设计参数的漂移层的SiC装置。该SiC装置具有在特定施加电压的特定TCR额定值。

公开(公告)号：CN104282574B

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201410313059.6

申请日：2014-07-02

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A.V.博罗特尼科夫 ,  P.A.罗西

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种半导体装置以及制造方法，所述半导体装置包括碳化硅(SiC)漂移层，其安置于(0001)取向的SiC基底上。所述SiC漂移层具有非平面表面，所述非平台表面包括多个重复特征，所述多个重复特征平行于所述半导体装置的沟道的长度取向。此外，所述沟道区域安置在所述SiC漂移层的特定晶面内。

公开(公告)号：CN104282758A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410310922.2

申请日：2014-07-02

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A.V.博罗特尼科夫 ,  P.A.罗西

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802

Abstract: 半导体器件包括设置在衬底上的漂移层。漂移层具有非平面表面，所述非平面表面具有平行于半导体器件的沟道的长度而定向的多个重复特征。此外，每一个重复特征具有比漂移层的剩余部分高的掺杂剂浓度。

公开(公告)号：CN108369963B

公开(公告)日：2022-01-25

申请号：CN201580085384.4

申请日：2015-12-15

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A.V.博罗特尼科夫 ,  P.A.罗西 ,  D.A.利利恩菲尔德 ,  J.J.麦克马宏

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/36 ,  H01L29/167

Abstract: 本申请公开的主题涉及碳化硅(SiC)功率器件，更具体地，涉及SiC超结(SJ)功率器件。SiC‑SJ器件包括多个第一导电类型的SiC半导体层，其中多个SiC半导体层中的第一和第二SiC半导体层包括邻近有源区设置的终端区，在有源区和终端区之间形成有界面，其中第一和第二SiC半导体层的终端区包括多个第二导电类型的注入区，并且其中第一SiC半导体层的终端区的有效掺杂分布不同于第二SiC半导体层的终端区的有效掺杂分布。

公开(公告)号：CN109155329B

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN201780032207.9

申请日：2017-05-23

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A.V.博罗特尼科夫 ,  P.A.罗西

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10

Abstract: 本文中公开的主题涉及碳化硅（SiC）功率装置。具体地，本公开涉及供与优化层组合使用的屏蔽区。公开的屏蔽区降低了在反向偏置下半导体装置的邻接装置单元的阱区之间存在的电场。公开的屏蔽区占据在相邻装置单元之间的JFET区的一部分并且在邻接装置单元的角接触的JFET区的最宽部分中中断优化层的连续性。公开的屏蔽区和装置布局启用相对于可比较的尺寸的常规的带状装置更好的性能，同时仍然提供相似的可靠性（例如，处于反向偏置的长期、高温稳定性）。

公开(公告)号：CN109155338A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201780032250.5

申请日：2017-05-23

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A.V.博罗特尼科夫 ,  P.A.罗西

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10

Abstract: 本文所公开的主题涉及半导体功率装置，例如碳化硅（SiC）功率装置。具体来说，本文所公开的主题涉及采取主体区扩展形式的屏蔽区，其降低反向偏置下的半导体装置的相邻装置单元的阱区之间存在的电场。所公开的主体区扩展具有与主体区相同的导电类型，并且从主体区向外延伸，并且延伸到第一装置单元的JFET区中，使得主体区扩展与具有相同导电类型的相邻装置单元的区域之间的距离小于或等于平行JFET宽度。所公开的屏蔽区相对于相当尺寸的常规条带装置使能优良性能，同时仍然提供相似的可靠性（例如在反向偏置的长期高温稳定性）。

公开(公告)号：CN109155337A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201780032211.5

申请日：2017-05-23

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A.V.博罗特尼科夫 ,  P.A.罗西

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10

Abstract: 本文中公开的主题涉及半导体功率器件，例如碳化硅(SiC)功率器件。具体而言，本文中公开的主题涉及形式为沟道区延伸部的屏蔽区，其减小在反向偏置下半导体器件的相邻器件单元的阱区之间存在的电场。所公开的沟道区延伸部具有与沟道区相同的导电类型，并从沟道区向外延伸并进入第一器件单元的JFET区中，使得沟道区延伸部和具有相同导电类型的相邻器件单元的区之间的距离小于或等于平行JFET宽度。所公开的屏蔽区实现相对于相当尺寸的常规带状器件的优异性能，同时仍提供相似的可靠性(例如在反向偏置时长期的高温稳定性)。

公开(公告)号：CN104282758B

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201410310922.2

申请日：2014-07-02

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A.V.博罗特尼科夫 ,  P.A.罗西

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802

Abstract: 半导体器件包括设置在衬底上的漂移层。漂移层具有非平面表面，所述非平面表面具有平行于半导体器件的沟道的长度而定向的多个重复特征。此外，每一个重复特征具有比漂移层的剩余部分高的掺杂剂浓度。