公开(公告)号：CN103579136B

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201310324406.0

申请日：2013-07-30

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A.V.高达 ,  P.A.麦康奈李 ,  赵日安 ,  S.S.乔罕

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/3121 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/564 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本公开涉及用于表面安装模块的扩散阻挡层。公开了一种用于减少水分和气体进入的表面安装封装结构。该表面安装结构包括子模块，该子模块具有介电层、附连到介电层上的半导体装置、与半导体装置电联接的一级金属互连结构、和与一级互连电联接且形成在介电层上的二级I/O连接，其中二级I/O连接构造成将子模块连接到外部电路上。子模块的半导体装置附连到衬底结构上，其中介电材料在介电层与衬底结构之间定位以填充表面安装结构中的间隙。扩散阻挡层邻近一级和二级I/O连接施加在子模块上，并且向下延伸到衬底结构，以减少水分和气体从周围环境进入表面安装结构。

公开(公告)号：CN110060962B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN201811531761.4

申请日：2013-07-30

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A.V.高达 ,  P.A.麦康奈李 ,  S.S.乔罕

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L23/373 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L25/07 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明涉及可靠的表面安装整体功率模块，公开了一种产生改进的热‑机械可靠性和更牢靠的二级封装互连的表面安装封装结构。该表面安装封装结构包括子模块，该子模块具有介电层、附连到介电层的半导体装置、电联接至半导体装置的一级金属互连、以及电联接至一级互连且在与半导体装置相反的一侧形成于介电层上的二级I/O连接，其中二级I/O连接构造成将子模块连接到外部电路。子模块的半导体装置附连到多层衬底结构的第一表面，其中介电材料定位在介电层与多层衬底结构之间，以填充表面安装结构中的间隙并向其提供另外的结构完整性。

公开(公告)号：CN103579137B

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201310324485.5

申请日：2013-07-30

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A.V.高达 ,  P.A.麦康奈李 ,  S.S.乔罕

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明涉及可靠的表面安装整体功率模块，公开了一种产生改进的热‑机械可靠性和更牢靠的二级封装互连的表面安装封装结构。该表面安装封装结构包括子模块，该子模块具有介电层、附连到介电层的半导体装置、电联接至半导体装置的一级金属互连、以及电联接至一级互连且在与半导体装置相反的一侧形成于介电层上的二级I/O连接，其中二级I/O连接构造成将子模块连接到外部电路。子模块的半导体装置附连到多层衬底结构的第一表面，其中介电材料定位在介电层与多层衬底结构之间，以填充表面安装结构中的间隙并向其提供另外的结构完整性。

公开(公告)号：CN110060962A

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201811531761.4

申请日：2013-07-30

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A.V.高达 ,  P.A.麦康奈李 ,  S.S.乔罕

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L23/373 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L25/07 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明涉及可靠的表面安装整体功率模块，公开了一种产生改进的热-机械可靠性和更牢靠的二级封装互连的表面安装封装结构。该表面安装封装结构包括子模块，该子模块具有介电层、附连到介电层的半导体装置、电联接至半导体装置的一级金属互连、以及电联接至一级互连且在与半导体装置相反的一侧形成于介电层上的二级I/O连接，其中二级I/O连接构造成将子模块连接到外部电路。子模块的半导体装置附连到多层衬底结构的第一表面，其中介电材料定位在介电层与多层衬底结构之间，以填充表面安装结构中的间隙并向其提供另外的结构完整性。

公开(公告)号：CN103579137A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310324485.5

申请日：2013-07-30

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A.V.高达 ,  P.A.麦康奈李 ,  S.S.乔罕

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明涉及可靠的表面安装整体功率模块，公开了一种产生改进的热-机械可靠性和更牢靠的二级封装互连的表面安装封装结构。该表面安装封装结构包括子模块，该子模块具有介电层、附连到介电层的半导体装置、电联接至半导体装置的一级金属互连、以及电联接至一级互连且在与半导体装置相反的一侧形成于介电层上的二级I/O连接，其中二级I/O连接构造成将子模块连接到外部电路。子模块的半导体装置附连到多层衬底结构的第一表面，其中介电材料定位在介电层与多层衬底结构之间，以填充表面安装结构中的间隙并向其提供另外的结构完整性。

公开(公告)号：CN103579136A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310324406.0

申请日：2013-07-30

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A.V.高达 ,  P.A.麦康奈李 ,  赵日安 ,  S.S.乔罕

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/3121 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/564 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本公开涉及用于表面安装模块的扩散阻挡层。公开了一种用于减少水分和气体进入的表面安装封装结构。该表面安装结构包括子模块，该子模块具有介电层、附连到介电层上的半导体装置、与半导体装置电联接的一级金属互连结构、和与一级互连电联接且形成在介电层上的二级I/O连接，其中二级I/O连接构造成将子模块连接到外部电路上。子模块的半导体装置附连到衬底结构上，其中介电材料在介电层与衬底结构之间定位以填充表面安装结构中的间隙。扩散阻挡层邻近一级和二级I/O连接施加在子模块上，并且向下延伸到衬底结构，以减少水分和气体从周围环境进入表面安装结构。

公开(公告)号：CN111508909B

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202010096033.6

申请日：2013-07-30

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A.V.高达 ,  P.A.麦康奈李 ,  S.S.乔罕

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/373 ,  H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L25/07 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明涉及可靠的表面安装整体功率模块，公开了一种产生改进的热‑机械可靠性和更牢靠的二级封装互连的表面安装封装结构。该表面安装封装结构包括子模块，该子模块具有介电层、附连到介电层的半导体装置、电联接至半导体装置的一级金属互连、以及电联接至一级互连且在与半导体装置相反的一侧形成于介电层上的二级I/O连接，其中二级I/O连接构造成将子模块连接到外部电路。子模块的半导体装置附连到多层衬底结构的第一表面，其中介电材料定位在介电层与多层衬底结构之间，以填充表面安装结构中的间隙并向其提供另外的结构完整性。

公开(公告)号：CN111508909A

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN202010096033.6

申请日：2013-07-30

Applicant: 通用电气公司

Inventor： A.V.高达 ,  P.A.麦康奈李 ,  S.S.乔罕

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/373 ,  H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L25/07 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明涉及可靠的表面安装整体功率模块，公开了一种产生改进的热-机械可靠性和更牢靠的二级封装互连的表面安装封装结构。该表面安装封装结构包括子模块，该子模块具有介电层、附连到介电层的半导体装置、电联接至半导体装置的一级金属互连、以及电联接至一级互连且在与半导体装置相反的一侧形成于介电层上的二级I/O连接，其中二级I/O连接构造成将子模块连接到外部电路。子模块的半导体装置附连到多层衬底结构的第一表面，其中介电材料定位在介电层与多层衬底结构之间，以填充表面安装结构中的间隙并向其提供另外的结构完整性。