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公开(公告)号：CN110383167A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201880014226.3
申请日：2018-01-24
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 在透光性基板(1)上层叠有由含有选自硅及钽中的一种以上的元素的材料构成的遮光膜(2)和由含有铬、氧以及碳的材料构成的硬质掩膜(3)。硬质掩膜(3)是在该表面及其附近区域具有氧含量增加的组分倾斜部的单层膜，通过X射线光电子能谱法分析而得到的(N1s)的窄谱的最大峰值为检测下限值以下，硬质掩膜(3)的除组分倾斜部之外的部分的铬含量为50原子％以上，在通过X射线光电子能谱法分析而得到的(Cr2p)的窄谱在574eV以下的结合能处具有最大峰值。
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公开(公告)号：CN100440038C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN02823609.2
申请日：2002-06-04
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/08 , H01L21/027
CPC classification number: G03F1/32
Abstract: 一种半色调型相移掩膜坯料，是用于制造以下这种半色调型相移掩膜，即，所述半色调型相移掩膜在透明基板上具有透过曝光光的透光部、和在透过一部分曝光光的同时将透过光的相位以给定量位移的相移部，并且该半色调型相移掩膜具有在所述透光部和相移部边界部附近透过各处的光能够相互抵消的光学特性，能够良好地保持并改善转移到被曝光体表面的曝光图案边界部的对比度。其中，用于形成移相部的相移膜是由主要构成要素为硅、氧、及氮的膜，以及形成于所述膜和透明基板之间的刻蚀阻止膜构成。
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公开(公告)号：CN113614637A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202080022142.1
申请日：2020-02-20
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明的课题在于，提供能够使掩模图案、硬掩模图案进一步微细化、以及能够提高图案品质的掩模坯料，为了解决该课题，本发明的掩模坯料(100)具备在透光性基板(1)上依次层叠有图案形成用薄膜(3)和硬掩模膜(4)的结构，该掩模坯料(100)如下所述地构成：上述硬掩模膜(4)的通过X射线光电子能谱法进行分析而得到的Si2p窄谱在103eV以上的键能具有最大峰，通过X射线光电子能谱法进行分析而得到的N1s窄谱的最大峰为检测下限值以下，硅与氧的含有比率(原子％)Si:O小于1:2。
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公开(公告)号：CN112740106A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201980061510.0
申请日：2019-09-10
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/32 , G03F1/80 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种具备蚀刻停止膜(1)的掩模坯料(100)，该蚀刻停止膜(1)对于在将相移膜(3)进行图案化时使用的利用氟类气体的干法蚀刻的耐性高，进而对于曝光光的透射率高。所述掩模坯料(100)具备在透光性基板(1)上依次层叠有蚀刻停止膜(2)和相移膜(3)的结构，相移膜(3)由含有硅的材料形成，蚀刻停止膜(2)由含有铪、铝及氧的材料形成，蚀刻停止膜(2)的氧缺失率为6.4％以下。
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公开(公告)号：CN1924697B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200610094622.0
申请日：2002-06-04
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/32
Abstract: 一种半色调型相移掩膜坯料，是用于制造以下这种半色调型相移掩膜，即，所述半色调型相移掩膜在透明基板上具有透过曝光光的透光部、和在透过一部分曝光光的同时将透过光的相位以给定量位移的相移部，并且该半色调型相移掩膜具有在所述透光部和相移部边界部附近透过各处的光能够相互抵消的光学特性，能够良好地保持并改善转移到被曝光体表面的曝光图案边界部的对比度。其中，用于形成移相部的相移膜是由主要构成要素为硅、氧、及氮的膜，以及形成于所述膜和透明基板之间的刻蚀阻止膜构成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1896868B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200610094621.6
申请日：2002-06-04
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/32
Abstract: 一种半色调型相移掩膜坯料，是用于制造以下这种半色调型相移掩膜，即，所述半色调型相移掩膜在透明基板上具有透过曝光光的透光部、和在透过一部分曝光光的同时将透过光的相位以给定量位移的相移部，并且该半色调型相移掩膜具有在所述透光部和相移部边界部附近透过各处的光能够相互抵消的光学特性，能够良好地保持并改善转移到被曝光体表面的曝光图案边界部的对比度。其中，用于形成移相部的相移膜是由主要构成要素为硅、氧、及氮的膜，以及形成于所述膜和透明基板之间的刻蚀阻止膜构成。
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公开(公告)号：CN111742259B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN201980013951.3
申请日：2019-02-13
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/34 , G03F7/20 , H01L21/3065 , C23C14/06
Abstract: 本发明提供具备蚀刻停止膜的相移掩模用的掩模坯料，所述蚀刻停止膜对于ArF曝光光具有高透射率、并且对于检查光可以得到高对比率。该掩模坯料具备在透光性基板上依次层叠有蚀刻停止膜和相移膜的结构，相移膜由含有硅及氧的材料形成，对于波长193nm的光的折射率n1为1.5以上，且对于波长193nm的光的消光系数k1为0.1以下，蚀刻停止膜对于波长193nm的光的折射率n2为2.6以上，且对于波长193nm的光的消光系数k2为0.4以下，折射率n2及消光系数k2满足k2≤‑0.188×n2+0.879、及k2＞‑0.188×n2+0.879且k2≤2.75×n2－6.945中的任意条件。
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公开(公告)号：CN113614636A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202080019456.6
申请日：2020-02-20
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明的课题在于，提供能够使掩模图案和硬掩模图案进一步微细化、以及能够提高图案品质的掩模坯料，为了解决该课题，本发明的掩模坯料(100)具备在基板(1)上依次层叠有图案形成用薄膜(3)和硬掩模膜(4)的结构，其中，硬掩模膜(4)由含有硅、氧及氮的材料形成，硬掩模膜(4)的氮的含量为2％以上且18％以下，通过X射线光电子能谱法进行分析而得到的Si2p窄谱在103eV以上的键能具有最大峰。
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公开(公告)号：CN1924697A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610094622.0
申请日：2002-06-04
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/00
Abstract: 一种半色调型相移掩膜坯料，是用于制造以下这种半色调型相移掩膜，即，所述半色调型相移掩膜在透明基板上具有透过曝光光的透光部、和在透过一部分曝光光的同时将透过光的相位以给定量位移的相移部，并且该半色调型相移掩膜具有在所述透光部和相移部边界部附近透过各处的光能够相互抵消的光学特性，能够良好地保持并改善转移到被曝光体表面的曝光图案边界部的对比度。其中，用于形成移相部的相移膜是由主要构成要素为硅、氧、及氮的膜，以及形成于所述膜和透明基板之间的刻蚀阳止膜构成。
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公开(公告)号：CN1896868A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610094621.6
申请日：2002-06-04
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/00
Abstract: 一种半色调型相移掩膜坯料，是用于制造以下这种半色调型相移掩膜，即，所述半色调型相移掩膜在透明基板上具有透过曝光光的透光部、和在透过一部分曝光光的同时将透过光的相位以给定量位移的相移部，并且该半色调型相移掩膜具有在所述透光部和相移部边界部附近透过各处的光能够相互抵消的光学特性，能够良好地保持并改善转移到被曝光体表面的曝光图案边界部的对比度。其中，用于形成移相部的相移膜是由主要构成要素为硅、氧、及氮的膜，以及形成于所述膜和透明基板之间的刻蚀阻止膜构成。
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