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公开(公告)号：CN104009130A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410053096.8
申请日：2014-02-17
Applicant: LG电子株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , H01L21/02425 , H01L21/0243 , H01L21/02444 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/12 , H01L33/16
Abstract: 本发明提供了一种生长衬底、氮化物半导体器件及其制造方法。公开了一种制造发光器件的方法。更具体地，公开了生长衬底、氮化物半导体器件和制造发光器件的方法。该方法包括：准备包括金属衬底的生长衬底；在生长衬底上形成包括氮化物基半导体的半导体结构；在半导体结构上提供支撑结构；以及从半导体结构分离生长衬底。
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公开(公告)号：CN104009130B
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201410053096.8
申请日：2014-02-17
Applicant: LG电子株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , H01L21/02425 , H01L21/0243 , H01L21/02444 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/12 , H01L33/16
Abstract: 本发明提供了一种生长衬底、氮化物半导体器件及其制造方法。公开了一种制造发光器件的方法。更具体地，公开了生长衬底、氮化物半导体器件和制造发光器件的方法。该方法包括：准备包括金属衬底的生长衬底；在生长衬底上形成包括氮化物基半导体的半导体结构；在半导体结构上提供支撑结构；以及从半导体结构分离生长衬底。
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公开(公告)号：CN104603052A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201380045441.7
申请日：2013-08-01
Applicant: LG电子株式会社
CPC classification number: C01B32/186 , C23C16/0209 , C23C16/26 , C23C16/44
Abstract: 本发明提供一种制造石墨烯的方法、所述石墨烯以及制造所述石墨烯的设备。所述制造石墨烯的方法包括如下步骤：将催化剂金属层装入室内；对所述催化剂金属层施加张力；以及在对所述催化剂金属层施加张力的状态下通过将碳源供应入所述室内而在所述催化剂金属层上形成石墨烯。因此，通过对所述催化剂金属层施加张力能够增加在所述催化剂金属层上的颗粒的尺寸，并且通过使用所述催化剂金属层能够生长高质量的均匀石墨烯。
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公开(公告)号：CN104603052B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201380045441.7
申请日：2013-08-01
Applicant: LG电子株式会社
CPC classification number: C01B32/186 , C23C16/0209 , C23C16/26 , C23C16/44
Abstract: 本发明提供一种制造石墨烯的方法、所述石墨烯以及制造所述石墨烯的设备。所述制造石墨烯的方法包括如下步骤：将催化剂金属层装入室内；对所述催化剂金属层施加张力；以及在对所述催化剂金属层施加张力的状态下通过将碳源供应入所述室内而在所述催化剂金属层上形成石墨烯。因此，通过对所述催化剂金属层施加张力能够增加在所述催化剂金属层上的颗粒的尺寸，并且通过使用所述催化剂金属层能够生长高质量的均匀石墨烯。
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