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公开(公告)号：CN108292705A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680068794.2
申请日：2016-11-25
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L43/08 , G11B5/39 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L29/82 , H03B15/00
CPC classification number: G11B5/39 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08 , H03B15/00
Abstract: 本发明的自旋流磁化反转元件中，具备：磁化方向可变的第二铁磁性金属层(1)；向相对于上述第二铁磁性金属层(1)的垂直于平面的方向交叉的方向延伸，且接合于上述第二铁磁性金属层(1)的自旋轨道力矩配线(2)，上述自旋轨道力矩配线层(2)的、接合于上述第二铁磁性金属层(1)的接合部分的自旋电阻比上述第二铁磁性金属层(1)的自旋电阻大。
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公开(公告)号：CN105745760B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201480063657.0
申请日：2014-11-14
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 在使用了半导体的自旋传导元件中，与现有的GMR元件或TMR元件相比，存在元件电阻变大，并且难以获得大的磁阻比问题。本发明涉及一种磁阻效应元件，其特征在于：具备半导体通道层3、被设置于半导体通道层3上的第1强磁性层12A和与第1强磁性层12A分开设置的第2强磁性层12B、与第1强磁性层12A以及第2强磁性层12B分开设置的非磁性的第1参考电极20，电流经由半导体通道层3从第2强磁性层12B被输入到第1强磁性层12A，并输出第2强磁性层12B与第1参考电极20之间的电压。
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公开(公告)号：CN105745760A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201480063657.0
申请日：2014-11-14
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , G01R33/098 , G11B5/3909 , G11B2005/3996 , H01L29/1033 , H01L29/66984 , H01L29/82 , H01L43/02
Abstract: 在使用了半导体的自旋传导元件中，与现有的GMR元件或TMR元件相比，存在元件电阻变大，并且难以获得大的磁阻比问题。本发明涉及一种磁阻效应元件，其特征在于：具备半导体通道层3、被设置于半导体通道层3上的第1强磁性层12A和与第1强磁性层12A分开设置的第2强磁性层12B、与第1强磁性层12A以及第2强磁性层12B分开设置的非磁性的第1参考电极20，电流经由半导体通道层3从第2强磁性层12B被输入到第1强磁性层12A，并输出第2强磁性层12B与第1参考电极20之间的电压。
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公开(公告)号：CN102194466A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110045918.4
申请日：2011-02-23
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: G01R33/1284 , B82Y25/00 , G01R33/093
Abstract: 本发明提供一种磁性传感器、磁性检测装置以及磁头。本发明的磁性传感器具备第一强磁性体(12A)、第二强磁性体(12B)、从第一强磁性体(12A)延伸至第二强磁性体(12B)的通道(7)、覆盖通道(7)的隔磁套(S2)、被设置于通道(7)与隔磁套(S2)之间的绝缘膜(7b)；隔磁套(S2)具有朝着通道(7)延伸的贯通孔(H)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108738371B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN201880000876.2
申请日：2018-02-22
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L29/82 , H01F10/16 , H01F10/32 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: 该磁化反转元件具有：铁磁性金属层；和自旋轨道转矩配线，其沿相对于上述铁磁性金属层的层叠方向交叉的第一方向延伸，上述铁磁性金属层位于上述自旋轨道转矩配线的一个面上，从上述自旋轨道转矩配线注入上述铁磁性金属层的自旋的方向相对于上述铁磁性金属层的磁化的方向交叉，上述铁磁性金属层的阻尼常数大于0.01。
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公开(公告)号：CN108292705B
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN201680068794.2
申请日：2016-11-25
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L43/08 , G11B5/39 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L29/82 , H03B15/00
Abstract: 本发明的自旋流磁化反转元件中，具备：磁化方向可变的第二铁磁性金属层(1)；向相对于上述第二铁磁性金属层(1)的垂直于平面的方向交叉的方向延伸，且接合于上述第二铁磁性金属层(1)的自旋轨道力矩配线(2)，上述自旋轨道力矩配线层(2)的、接合于上述第二铁磁性金属层(1)的接合部分的自旋电阻比上述第二铁磁性金属层(1)的自旋电阻大。
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公开(公告)号：CN105745761B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201480063796.3
申请日：2014-11-19
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种磁阻效应元件，其具备：半导体通道层(7)，经由第1隧道层(81A)配置于半导体通道层上的磁化固定层(12A)，经由第2隧道层(81B)配置于半导体通道层上的磁化自由层(12B)，半导体通道层实质上由包含了与第1隧道层的界面的第1区域(7A)、包含了与第2隧道层的界面的第2区域(7B)、第3区域(7C)构成，第1区域和第2区域的杂质浓度为超过1×1019cm‑3的浓度，第3区域的杂质浓度为1×1019cm‑3以下，第1区域和第2区域隔着第3区域而分离，第1区域和第2区域的杂质浓度分别从半导体通道层与第1隧道层的界面以及半导体通道层与第2隧道层的界面单调地在半导体通道层的厚度方向上减少。
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公开(公告)号：CN108701721A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780011944.0
申请日：2017-11-14
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L29/82 , G11B5/39 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/12
CPC classification number: H01L43/02 , G11C11/161 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01L27/222 , H01L43/10 , H01L43/12
Abstract: 本发明的自旋流磁化反转元件具备磁化方向可变的第一铁磁性金属层、以及与上述第一铁磁性金属层接合且沿着相对于上述第一铁磁性金属层的法线方向交叉的方向延伸的自旋轨道转矩配线，上述自旋轨道转矩配线利用由两种以上的元素构成的非磁性体构成，在与上述第一铁磁性金属层接合的第一面与位于其相反侧的第二面之间，上述非磁性体的组成比具有不均匀的分布。
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公开(公告)号：CN108011039A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711007372.7
申请日：2017-10-25
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , H01F10/324 , H01L43/04 , H01L43/06 , H01L43/10
Abstract: 本发明提供一种自旋轨道转矩型磁化反转元件，能够容易进行磁化反转。该自旋轨道转矩型磁化反转元件具有：铁磁性金属层，其磁化方向变化；自旋轨道转矩配线，其与所述铁磁性金属层接合；界面应变供给层，其与所述自旋轨道转矩配线的与所述铁磁性金属层相反侧的面接合。
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