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公开(公告)号:CN1630189A
公开(公告)日:2005-06-22
申请号:CN200410101370.0
申请日:2004-12-17
Applicant: TDK株式会社
IPC: H03H9/17
CPC classification number: H03H9/059 , H01L23/3121 , H01L23/49805 , H01L23/49838 , H01L24/97 , H01L2224/16 , H01L2224/16235 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3025 , H03H9/1085 , H01L2224/81
Abstract: 本发明的一个实施方式的安装基板(14)具有:构成有安装电子器件(20)的安装面,形成包含通过凸块(21)与该电子器件(20)电气上连接的多个电极块(P)的电极图形的第一主面(14a);和位于所述第一主面(14a)的相反一侧并形成与所述电极块(P)电气连接的多个输入输出端子(S)的第二主面(14b)。全部输入输出端子(S)在离开所述安装基板(14)的周边端部的位置上形成。
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公开(公告)号:CN1581712A
公开(公告)日:2005-02-16
申请号:CN200410056723.X
申请日:2004-08-09
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 高频开关模块设有天线端口、多个发送信号端口、多个接收信号端口、高频开关、多个LPF、以及多个相位调整用线路。高频开关将多个发送信号端口和多个接收信号端口中的任一个信号端口有选择地连接到天线端口。高频开关包括由GaAs化合物半导体构成的场效应晶体管。各相位调整用线路分别连接高频开关和各LPF。各相位调整用线路调整行波和反射波之间的相位差,使得在高频开关的位置,基于发送信号在高频开关中发生的高次谐波的行波和该行波在各LPF反射后发生的反射波的合成波功率变小。
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公开(公告)号:CN1581712B
公开(公告)日:2011-09-21
申请号:CN200410056723.X
申请日:2004-08-09
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 高频开关模块设有天线端口、多个发送信号端口、多个接收信号端口、高频开关、多个LPF以及多个相位调整用线路。高频开关将多个发送信号端口和多个接收信号端口中的任一个信号端口有选择地连接到天线端口。高频开关包括由GaAs化合物半导体构成的场效应晶体管。各相位调整用线路分别连接高频开关和各LPF。各相位调整用线路调整行波和反射波之间的相位差,使得在高频开关的位置,基于发送信号在高频开关中发生的高次谐波的行波和该行波在各LPF反射后发生的反射波的合成波功率变小。
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公开(公告)号:CN1619953A
公开(公告)日:2005-05-25
申请号:CN200410090443.0
申请日:2004-11-18
Applicant: TDK株式会社
IPC: H03H9/17
CPC classification number: H03H9/706 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/15192 , H03H9/0571 , H03H9/0576 , H03H9/72 , H03H9/725 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的一个实施方式的电子零件具有共振器、安装基板和电气连接构件。共振器具有端子。安装基板具有第一主面、与第一主面相反一侧的第二主面、和设在与第二主面交叉的孔中的电极。电气连接构件电气连接安装基板的电极和共振器的端子。安装基板的电极的一个端部沿着第二主面设置。电气连接构件设在安装基板电极的一个端部上。共振器设在电气连接构件上,使该共振器的端子与电气连接构件接触。
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公开(公告)号:CN101499785A
公开(公告)日:2009-08-05
申请号:CN200910002813.3
申请日:2009-01-24
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49171 , H01L2924/19105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/30111 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及设置有功率放大器的高频模块。提供了一种高频模块,该高频模块包括:多层化基板,安装在多层化基板的上表面上的功率放大器IC,设置在多层化基板的内层中、在功率放大器IC的大致正下方的第一和第二滤波器,以及设置在第一滤波器与第二滤波器之间的耦合缩减用地通路。至少第一滤波器设置在功率放大器IC的大致正下方。耦合缩减用地通路兼用作用于散逸功率放大器IC生成的热的热通路。
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