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公开(公告)号：CN1204159A
公开(公告)日：1999-01-06
申请号：CN98108941.0
申请日：1998-05-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , TDK株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/202 , H01L31/03921 , H01L31/046 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 在包括设置在柔性基片11上并由非单晶硅薄膜叠层构成的光电转换层14的太阳能电池中,柔性基片11具有2.0ppm/℃至10.0ppm/℃的热性热膨胀系数。这时,柔性基片11与光电转换层14的线性热膨胀系数可互相很接近,从而减小了制造步骤中和制造步骤后的翘曲和变形。还有,由于也减小了施于光电转换层14的应力,所以,能够提高光电转换效率。
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公开(公告)号：CN105322037A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510303483.7
申请日：2015-06-05
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L31/048 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/048 , B32B17/00 , G04C10/02 , H01L31/03921 , H01L31/046 , H01L31/0481 , H01L31/075 , Y02E10/548 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及太阳能电池及其制造方法。在薄片状的太阳能电池(200)中，按以下所述顺序重叠第一固化树脂层(40)、含有树脂的基板(10)、光电转换层(100)以及第二固化树脂层(9)。第一固化树脂层(40)的线膨胀系数为第二固化树脂层(9)的线膨胀系数以上，第二固化树脂层(9)的线膨胀系数大于基板(10)的线膨胀系数，与基板(10)相对的第一固化树脂层(40)的第一表面(40a)侧的固化度为C1％并且处于第一表面(40a)相反侧的第一固化树脂层(40)的第二表面(40b)侧的固化度为C2％时，C2大于C1，(C2-C1)为2～15％。太阳能电池(200)的第一固化树脂层(40)侧的表面(S1)翘曲成凸状，太阳能电池(200)的第二固化树脂层(9)侧的表面(S2)翘曲成凹状。
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公开(公告)号：CN1156024C
公开(公告)日：2004-06-30
申请号：CN98108941.0
申请日：1998-05-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , TDK株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/202 , H01L31/03921 , H01L31/046 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 在包括设置在柔性基片(11)上并由非单晶硅薄膜叠层构成的光电转换层(14)的太阳能电池中，柔性基片(11)具有2.0ppm/℃至10.0ppm/℃的线性热膨胀系数。这时，柔性基片(11)与光电转换层(14)的线性热膨胀系数可互相很接近，从而减小了制造步骤中和制造步骤后的翘曲和变形。还有，由于也减小了施于光电转换层(14)的应力，所以，能够提高光电转换效率。
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公开(公告)号：CN101774305B
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN200910262054.4
申请日：2009-12-23
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: B41J2/3351 , B41J2/33515 , B41J2/3355 , B41J2/33575 , C03C3/062 , C03C8/04 , C03C8/18
Abstract: 本发明提供一种公共电极和发热电阻体的紧密附着性出色、且Pb含量充分降低的热敏头。所述热敏头(5)具备：基板(7)、设置于基板(7)上的釉层(3)、设置于釉层(3)上的公共电极(4)、设置于公共电极(4)和釉层(3)上的发热电阻体(1)、设置于发热电阻体(1)上的引线电极(2a，2b)；其中，公共电极(4)含有由金属构成的导电材料、玻璃粉，玻璃粉中含有15～35质量％的ZnO、14～34质量％的SiO2、2～25质量％的Al2O3、2～15质量％的TiO2、5～25质量％的CaO以及7～27质量％的BaO。
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公开(公告)号：CN101774305A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200910262054.4
申请日：2009-12-23
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: B41J2/3351 , B41J2/33515 , B41J2/3355 , B41J2/33575 , C03C3/062 , C03C8/04 , C03C8/18
Abstract: 本发明提供一种公共电极和发热电阻体的紧密附着性出色、且Pb含量充分降低的热敏头。所述热敏头(5)具备：基板(7)、设置于基板(7)上的釉层(3)、设置于釉层(3)上的公共电极(4)、设置于公共电极(4)和釉层(3)上的发热电阻体(1)、设置于发热电阻体(1)上的引线电极(2a，2b)；其中，公共电极(4)含有由金属构成的导电材料、玻璃粉，玻璃粉中含有15～35质量％的ZnO、14～34质量％的SiO2、2～25质量％的Al2O3、2～15质量％的TiO2、5～25质量％的CaO以及7～27质量％的BaO。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1739200A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200480002338.5
申请日：2004-01-16
Applicant: TDK株式会社 , 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0264 , H01L31/075 , H01L31/076 , Y02E10/548
Abstract: 太阳电池(10)在硅基板等的基体(11)上顺序层积金属电极层(12)、pin结(100)和透明电极层(16)。另外，pin结(100)构成为依次层积n层(13)、i层(14)和p层(15)。并且，i层(14)由含有氢原子的非晶质的硅化铁(FexSiy：H)形成。在i层(14)中，通过使这里含有的氢原子的至少一部分来终结硅原子和/或铁原子的悬空键，而能够消除在非晶质的硅铁膜中产生的多种陷阱能级，由此，i层(14)发现了作为真半导体层的特性。
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公开(公告)号：CN105322037B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201510303483.7
申请日：2015-06-05
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L31/048 , G04C10/02 , H01L31/0392 , H01L31/075 , H01L31/046
CPC classification number: H01L31/048 , B32B17/00 , G04C10/02 , H01L31/03921 , H01L31/046 , H01L31/0481 , H01L31/075 , Y02E10/548
Abstract: 本发明涉及太阳能电池及其制造方法。在薄片状的太阳能电池(200)中，按以下所述顺序重叠第一固化树脂层(40)、含有树脂的基板(10)、光电转换层(100)以及第二固化树脂层(9)。第一固化树脂层(40)的线膨胀系数为第二固化树脂层(9)的线膨胀系数以上，第二固化树脂层(9)的线膨胀系数大于基板(10)的线膨胀系数，与基板(10)相对的第一固化树脂层(40)的第一表面(40a)侧的固化度为C1％并且处于第一表面(40a)相反侧的第一固化树脂层(40)的第二表面(40b)侧的固化度为C2％时，C2大于C1，(C2‑C1)为2～15％。太阳能电池(200)的第一固化树脂层(40)侧的表面(S1)翘曲成凸状，太阳能电池(200)的第二固化树脂层(9)侧的表面(S2)翘曲成凹状。
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公开(公告)号：CN1739200B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200480002338.5
申请日：2004-01-16
Applicant: TDK株式会社 , 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0264 , H01L31/075 , H01L31/076 , Y02E10/548
Abstract: 太阳电池(10)在硅基板等的基体(11)上顺序层积金属电极层(12)、pin结(100)和透明电极层(16)。另外，pin结(100)构成为依次层积n层(13)、i层(14)和p层(15)。并且，i层(14)由含有氢原子的非晶质的硅化铁(FexSiy:H)形成。在i层(14)中，通过使这里含有的氢原子的至少一部分来终结硅原子和/或铁原子的悬空键，而能够消除在非晶质的硅铁膜中产生的多种陷阱能级，由此，i层(14)发现了作为真半导体层的特性。
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公开(公告)号：CN100399512C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200410001022.6
申请日：2004-01-16
Applicant: TDK株式会社 , 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/205 , H01L31/18 , H01L31/04 , C23C16/42
CPC classification number: C23C16/42 , C23C16/505 , H01L21/28556 , Y02E10/548
Abstract: 一个太阳能电池10包含一个底材11，和连续层压在底材11上的一个金属电极层12、一个p-i-n结100，和一个透明电极层16。所述p-i-n结100包含一个n层13、一个i层14，和一个p层15，它们按此顺序层压。所述i层14由一个根据本发明的含氢的非结晶硅化铁薄膜制成，同时，通过向一个原料气体G的等离子区Ps内供应铁蒸气V成型于n层13上，其中的原料气体G由一种硅烷型气体和氢气混合而成。在i层14中，硅原子和/或铁原子的悬空键由氢来中止，由此，许多可能出现在非结晶硅化铁薄膜中的陷阱能级被消除。
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公开(公告)号：CN1519891A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN200410001022.6
申请日：2004-01-16
Applicant: TDK株式会社 , 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/205 , H01L31/18 , H01L31/04 , C23C16/42
CPC classification number: C23C16/42 , C23C16/505 , H01L21/28556 , Y02E10/548
Abstract: 一个太阳能电池10包含一个底材11，和连续层压在底材11上的一个金属电极层12、一个p－i－n结100，和一个透明电极层16。所述p－i－n结100包含一个n层13、一个i层14，和一个p层15，它们按此顺序层压。所述i层14由一个根据本发明的含氢的非结晶硅化铁薄膜制成，同时，通过向一个原料气体G的等离子区Ps内供应铁蒸气V成型于n层13上，其中的原料气体G由一种硅烷型气体和氢气混合而成。在i层14中，硅原子和/或铁原子的悬空键由氢来中止，由此，许多可能出现在非结晶硅化铁薄膜中的陷阱能级被消除。
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