公开(公告)号：CN1739200A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN200480002338.5

申请日：2004-01-16

Applicant: TDK株式会社 ,  株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山田宽 ,  师冈久雄 ,  西和夫

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/0264 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  Y02E10/548

Abstract: 太阳电池(10)在硅基板等的基体(11)上顺序层积金属电极层(12)、pin结(100)和透明电极层(16)。另外，pin结(100)构成为依次层积n层(13)、i层(14)和p层(15)。并且，i层(14)由含有氢原子的非晶质的硅化铁(FexSiy：H)形成。在i层(14)中，通过使这里含有的氢原子的至少一部分来终结硅原子和/或铁原子的悬空键，而能够消除在非晶质的硅铁膜中产生的多种陷阱能级，由此，i层(14)发现了作为真半导体层的特性。

公开(公告)号：CN1841789B

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200610073777.6

申请日：2006-03-30

Applicant: TDK株式会社 ,  株式会社半导体能源研究所

Inventor： 师冈久雄 ,  越前谷刚 ,  藤冈裕一 ,  高桥沙希 ,  西和夫

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L31/075 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/056 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/548

Abstract: 本发明提供可抑制红色地调节外观色的太阳能电池。当光电转换层(4)包含非晶硅时，在该光电转换层(4)与反射电极层(2)之间设置光吸收层(3)。光电转换层(4)(非晶硅)主要对短中波段具有有选择地光吸收特性，而该光吸收层(3)主要对长波段具有光吸收特性。经由光电转换层(4)的入射光(太阳光)(L)再经过光吸收层(3)后在反射电极层(2)上反射，即入射光(L)中在光电转换层(4)和光吸收层(3)上被吸收后的残余光在反射电极层(2)反射，因此与在光电转换层(4)与反射电极层(2)之间不设光吸收层(3)的情况相比，抑制了反射光(R)的红色。

公开(公告)号：CN100386013C

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200510063741.5

申请日：2005-03-24

Applicant: TDK株式会社 ,  株式会社半导体能源研究所

Inventor： 师冈久雄 ,  二宫英昭 ,  岛村淳一 ,  西和夫

IPC: H05K13/00 ,  C09J9/00 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/02

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L21/67132 ,  H05K1/0393 ,  H05K3/0058 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49131 ,  Y10T29/49144 ,  Y10T29/5193 ,  Y10T29/53174

Abstract: 本发明提供有助于改善电子元件性能的基体保持方法。使用其在180℃×10分钟的检查条件下进行气相色谱质谱分析时检测的气体的总量在以正十四烷换算时为100.5μg/g以下的、具备适当的气体释放特性的粘接带(20)，将塑料薄膜(1)保持在保持框(10)上。将由保持框(10)保持的塑料薄膜(1)投入电子元件(例如太阳能电池)的制造工序，即使在该制造工序中对塑料薄膜(1)实施伴随发热的处理(例如等离子体CVD等的成膜处理)，也能抑制因受热而从粘接带(20)释放的不需要气体的释放量，因此不易发生因该不需要的气体而恶化电子元件性能的情况。

公开(公告)号：CN105322037A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510303483.7

申请日：2015-06-05

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 小卷壮 ,  藤冈裕一 ,  师冈久雄 ,  山田宽

IPC: H01L31/048 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/048 ,  B32B17/00 ,  G04C10/02 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0481 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/548 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及太阳能电池及其制造方法。在薄片状的太阳能电池(200)中，按以下所述顺序重叠第一固化树脂层(40)、含有树脂的基板(10)、光电转换层(100)以及第二固化树脂层(9)。第一固化树脂层(40)的线膨胀系数为第二固化树脂层(9)的线膨胀系数以上，第二固化树脂层(9)的线膨胀系数大于基板(10)的线膨胀系数，与基板(10)相对的第一固化树脂层(40)的第一表面(40a)侧的固化度为C1％并且处于第一表面(40a)相反侧的第一固化树脂层(40)的第二表面(40b)侧的固化度为C2％时，C2大于C1，(C2-C1)为2～15％。太阳能电池(200)的第一固化树脂层(40)侧的表面(S1)翘曲成凸状，太阳能电池(200)的第二固化树脂层(9)侧的表面(S2)翘曲成凹状。

公开(公告)号：CN1156024C

公开(公告)日：2004-06-30

申请号：CN98108941.0

申请日：1998-05-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  TDK株式会社

Inventor： 师冈久雄 ,  栗原克树 ,  三浦贵光 ,  松濑充贵 ,  山田宽 ,  晃井康行

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/202 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/046 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 在包括设置在柔性基片(11)上并由非单晶硅薄膜叠层构成的光电转换层(14)的太阳能电池中，柔性基片(11)具有2.0ppm/℃至10.0ppm/℃的线性热膨胀系数。这时，柔性基片(11)与光电转换层(14)的线性热膨胀系数可互相很接近，从而减小了制造步骤中和制造步骤后的翘曲和变形。还有，由于也减小了施于光电转换层(14)的应力，所以，能够提高光电转换效率。

公开(公告)号：CN1674777A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN200510063741.5

申请日：2005-03-24

Applicant: TDK株式会社 ,  株式会社半导体能源研究所

Inventor： 师冈久雄 ,  二宫英昭 ,  岛村淳一 ,  西和夫

IPC: H05K13/00 ,  C09J9/00 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/02

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L21/67132 ,  H05K1/0393 ,  H05K3/0058 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49131 ,  Y10T29/49144 ,  Y10T29/5193 ,  Y10T29/53174

Abstract: 本发明提供有助于改善电子元件性能的基体保持方法。使用其在180℃×10分钟的检查条件下进行气相色谱质谱分析时检测的气体的总量在以正十四烷换算时为100.5μg/g以下的、具备适当的气体释放特性的粘接带(20)，将塑料薄膜(1)保持在保持框(10)上。将由保持框(10)保持的塑料薄膜(1)投入电子元件(例如太阳能电池)的制造工序，即使在该制造工序中对塑料薄膜(1)实施伴随发热的处理(例如等离子体CVD等的成膜处理)，也能抑制因受热而从粘接带(20)释放的不需要气体的释放量，因此不易发生因该不需要的气体而恶化电子元件性能的情况。

公开(公告)号：CN1204159A

公开(公告)日：1999-01-06

申请号：CN98108941.0

申请日：1998-05-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  TDK株式会社

Inventor： 师冈久雄 ,  栗原克树 ,  三浦贵光 ,  松濑充贵 ,  山田宽 ,  晃井康行

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/202 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/046 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 在包括设置在柔性基片11上并由非单晶硅薄膜叠层构成的光电转换层14的太阳能电池中,柔性基片11具有2.0ppm/℃至10.0ppm/℃的热性热膨胀系数。这时,柔性基片11与光电转换层14的线性热膨胀系数可互相很接近,从而减小了制造步骤中和制造步骤后的翘曲和变形。还有,由于也减小了施于光电转换层14的应力,所以,能够提高光电转换效率。

公开(公告)号：CN105322037B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201510303483.7

申请日：2015-06-05

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 小卷壮 ,  藤冈裕一 ,  师冈久雄 ,  山田宽

IPC: H01L31/048 ,  G04C10/02 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/075 ,  H01L31/046

CPC classification number: H01L31/048 ,  B32B17/00 ,  G04C10/02 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0481 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/548

Abstract: 本发明涉及太阳能电池及其制造方法。在薄片状的太阳能电池(200)中，按以下所述顺序重叠第一固化树脂层(40)、含有树脂的基板(10)、光电转换层(100)以及第二固化树脂层(9)。第一固化树脂层(40)的线膨胀系数为第二固化树脂层(9)的线膨胀系数以上，第二固化树脂层(9)的线膨胀系数大于基板(10)的线膨胀系数，与基板(10)相对的第一固化树脂层(40)的第一表面(40a)侧的固化度为C1％并且处于第一表面(40a)相反侧的第一固化树脂层(40)的第二表面(40b)侧的固化度为C2％时，C2大于C1，(C2‑C1)为2～15％。太阳能电池(200)的第一固化树脂层(40)侧的表面(S1)翘曲成凸状，太阳能电池(200)的第二固化树脂层(9)侧的表面(S2)翘曲成凹状。

公开(公告)号：CN1739200B

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN200480002338.5

申请日：2004-01-16

Applicant: TDK株式会社 ,  株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山田宽 ,  师冈久雄 ,  西和夫

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/0264 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  Y02E10/548

Abstract: 太阳电池(10)在硅基板等的基体(11)上顺序层积金属电极层(12)、pin结(100)和透明电极层(16)。另外，pin结(100)构成为依次层积n层(13)、i层(14)和p层(15)。并且，i层(14)由含有氢原子的非晶质的硅化铁(FexSiy:H)形成。在i层(14)中，通过使这里含有的氢原子的至少一部分来终结硅原子和/或铁原子的悬空键，而能够消除在非晶质的硅铁膜中产生的多种陷阱能级，由此，i层(14)发现了作为真半导体层的特性。

公开(公告)号：CN100399512C

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200410001022.6

申请日：2004-01-16

Applicant: TDK株式会社 ,  株式会社半导体能源研究所

Inventor： 师冈久雄 ,  山田宽 ,  西和夫

IPC: H01L21/205 ,  H01L31/18 ,  H01L31/04 ,  C23C16/42

CPC classification number: C23C16/42 ,  C23C16/505 ,  H01L21/28556 ,  Y02E10/548

Abstract: 一个太阳能电池10包含一个底材11，和连续层压在底材11上的一个金属电极层12、一个p-i-n结100，和一个透明电极层16。所述p-i-n结100包含一个n层13、一个i层14，和一个p层15，它们按此顺序层压。所述i层14由一个根据本发明的含氢的非结晶硅化铁薄膜制成，同时，通过向一个原料气体G的等离子区Ps内供应铁蒸气V成型于n层13上，其中的原料气体G由一种硅烷型气体和氢气混合而成。在i层14中，硅原子和/或铁原子的悬空键由氢来中止，由此，许多可能出现在非结晶硅化铁薄膜中的陷阱能级被消除。