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公开(公告)号：CN100389538C
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN99800641.6
申请日：1999-04-28
Applicant: TDK株式会社
IPC: H03H9/17
Abstract: 本发明的目的是提供一种有效机电耦合常数高，在用作滤波器时分数带宽可展宽，并且在用作振荡器时归一化频率变化宽度可展宽的压电体振子。本发明的另一目的是提供一种可工作于数百MHz下同时可保持高有效机电耦合常数的微小压电体振子。该压电体振子包括一压电衬底，该压电衬底由铌酸钾单晶或定向结晶体构成并具有一对主表面，及至少一对分别形成于压电衬底主表面上的相对的电极，此振子利用沿主表面传播的厚度振动。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1266553A
公开(公告)日：2000-09-13
申请号：CN99800641.6
申请日：1999-04-28
Applicant: TDK株式会社
IPC: H03H9/17
Abstract: 本发明的目的是提供一种有效机电耦合常数高,在用作滤波器时分数带宽可展宽,并且在用作振荡器时归一化频率变化宽度可展宽的压电体振子。本发明的另一目的是提供一种可工作于数百MHz下同时可保持高有效机电耦合常数的微小压电体振子。该压电体振子包括一压电被底,该压电衬底由铌酸钾单晶或定向结晶体构成并具有一对主表面,及至少一对分别形成于压电衬底主表面上的相对的电极,此振子利用沿主表面传播的厚度振动。
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公开(公告)号：CN100571030C
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200310120320.2
申请日：2003-12-11
Applicant: TDK株式会社
IPC: H03H9/17
CPC classification number: H03H9/175 , H03H3/04 , H03H9/02102 , H03H9/02149 , H03H9/174 , H03H9/605 , H03H9/706 , H03H2003/0407
Abstract: 压电谐振滤波器包括一组串联谐振器和一组并联谐振器，以便形成梯形滤波器电路。每个谐振器具有带压电特性的压电薄膜(15)，和被布置在所述压电薄膜(15)的相反表面上的下部电极和上部电极(14和16)，用于施加激励电压到压电薄膜(15)。该并联谐振器组呈现滤波器中的低频端衰减极端值，而串联谐振器组呈现滤波器中的高频端衰减极端值。串联谐振器组和并联谐振器组的至少一个谐振器具有温度补偿层(20)，用来使得谐振频率的温度系数接近于零。在串联谐振器组中的温度补偿层(20)的厚度不同于在并联谐振器组中的温度补偿层(20)的厚度。
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公开(公告)号：CN1312728C
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN03155667.1
申请日：2003-09-01
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H03H3/02 , H01L21/02381 , H01L21/02488 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L21/02554 , H01L21/02609 , H01L21/2855 , H01L21/32051 , H01L29/045 , H01L41/0477 , H01L41/0815 , H01L41/29 , H01L41/316 , H01L41/319 , H01L2224/48091 , H03H9/02015 , H03H9/02133 , H03H9/174 , H03H9/176 , H01L2924/00014
Abstract: 一种电子器件基片结构，包括：基片(2)，被形成于基片(2)上作为面心立方结构的(111)定向膜或作为六方最密结构的(0001)定向膜的金属薄膜(4)，以及具有被形成于金属薄膜(4)上作为纤锌矿晶体结构的(0001)定向的纤锌矿型薄膜(5)，其中：两种薄膜的每个都是多晶膜，其包含在所述平面中的晶体定向的方向不同的至少两种晶粒；当金属薄膜(4)是(111)定向膜时，纤锌矿型薄膜(5)的平面中的 轴平行于金属薄膜4的平面中的 轴；并且当金属薄膜(4)是(0001)定向膜时，纤锌矿型薄膜(5)的平面中的 轴平行于金属薄膜(4)的平面中的 轴。
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公开(公告)号：CN1487563A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN03155667.1
申请日：2003-09-01
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H03H3/02 , H01L21/02381 , H01L21/02488 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L21/02554 , H01L21/02609 , H01L21/2855 , H01L21/32051 , H01L29/045 , H01L41/0477 , H01L41/0815 , H01L41/29 , H01L41/316 , H01L41/319 , H01L2224/48091 , H03H9/02015 , H03H9/02133 , H03H9/174 , H03H9/176 , H01L2924/00014
Abstract: 一种电子器件基片结构，包括：基片2，被形成于基片2上作为面心立方结构的(111)定向膜或作为六方最密结构的(0001)定向膜的金属薄膜4，以及具有被形成于金属薄膜4上作为纤锌矿晶体结构的(0001)定向的纤锌矿型薄膜5，其中：两种薄膜的每个都是多晶膜，其包含在所述平面中的晶体定向的方向不同的至少两种晶粒；当金属薄膜4是(111)定向膜时，纤锌矿型薄膜5的平面中的 轴平行于金属薄膜4的平面中的 轴；并且当金属薄膜4是(0001)定向膜时，纤锌矿型薄膜5的平面中的 轴平行于金属薄膜4的平面中的 轴。
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公开(公告)号：CN1507152A
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN200310120320.2
申请日：2003-12-11
Applicant: TDK株式会社
IPC: H03H9/17
CPC classification number: H03H9/175 , H03H3/04 , H03H9/02102 , H03H9/02149 , H03H9/174 , H03H9/605 , H03H9/706 , H03H2003/0407
Abstract: 压电谐振滤波器包括一组串联谐振器和一组并联谐振器，以便形成梯形滤波器电路。每个谐振器具有带压电特性的压电薄膜(15)，和被布置在所述压电薄膜(15)的相反表面上的下部电极和上部电极(14和16)，用于施加激励电压到压电薄膜(15)。该并联谐振器组呈现滤波器中的低频端衰减极端值，而串联谐振器组呈现滤波器中的高频端衰减极端值。串联谐振器组和并联谐振器组的至少一个谐振器具有温度补偿层(20)，用来使得谐振频率的温度系数接近于零。在串联谐振器组中的温度补偿层(20)的厚度不同于在并联谐振器组中的温度补偿层(20)的厚度。
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