公开(公告)号：CN109217839A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810661942.2

申请日：2018-06-25

Applicant: 德州仪器公司

Inventor： 严廷达

IPC: H03H9/17

CPC classification number: H03H9/0211 ,  H03H3/02 ,  H03H9/02015 ,  H03H9/02047 ,  H03H9/02157 ,  H03H9/172 ,  H03H2003/021 ,  H03H2003/025 ,  H03H9/17

Abstract: 本发明涉及具有凸面的体声波谐振器及其形成方法。实例BAW谐振器(102)包含：第一电极(112)；压电层(110)，其形成于所述第一电极(112)上，所述压电层(110)具有凸面(116)；及第二电极(120)，其形成于所述凸面(116)上。实例集成电路IC封装(100)包含BAW谐振器(102)，其安置于所述IC封装(100)中，所述BAW谐振器(102)包含具有凸面(116)的压电层(110)。

公开(公告)号：CN109150127A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810842153.9

申请日：2018-07-27

Applicant: 开元通信技术(厦门)有限公司

Inventor： 李平 ,  胡念楚 ,  贾斌

IPC: H03H3/02 ,  H03H9/02 ,  H03H9/17 ,  H03H9/54

CPC classification number: H03H3/02 ,  H03H9/02015 ,  H03H9/174 ,  H03H9/547 ,  H03H2003/023

Abstract: 本公开提供了一种薄膜体声波谐振器及其制作方法、滤波器；其中，该薄膜体声波谐振器包括：第一衬底和形成于该第一衬底上的压电堆叠结构，该压电堆叠结构具有一第一接触孔和一第二接触孔；以及第二衬底，其具有一第一凸部和一第二凸部；其中，所述第二衬底的第一凸部和第二凸部分别与所述压电堆叠结构的第一接触孔和第二接触孔键合，且在所述第二衬底和压电堆叠结构之间形成第一空气腔。本公开薄膜体声波谐振器及其制作方法、滤波器，避免了复杂的CMP工艺，避免了牺牲材料释放技术，降低了器件制作难度和生产成本，提升了体声波谐振器的可靠性。

公开(公告)号：CN108736856A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810030542.1

申请日：2018-01-12

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 林昶贤 ,  朴润锡 ,  金钟云 ,  金泰润 ,  李文喆

IPC: H03H9/02 ,  H03H9/17 ,  H03H3/02

CPC classification number: H03H9/173 ,  H03H9/02015 ,  H03H9/0514

Abstract: 本发明提供一种体声波谐振器及制造体声波谐振器的方法。所述体声波谐振器包括：基板，包括腔槽；膜层，设置在所述基板的上方并包括凸起部。下电极的一部分设置在所述凸起部上。所述体声波谐振器还包括压电层和上电极，所述压电层被构造为使得所述压电层一部分设置在所述凸起部之上，所述上电极设置在所述压电层上。通过所述腔槽形成的第一空间以及通过所述凸起部形成的第二空间形成腔，所述腔槽设置在有效区域之下，所述凸起部包括设置在所述腔槽的外部的倾斜表面。

公开(公告)号：CN107683521A

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201680034688.2

申请日：2016-04-28

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： N·江 ,  M·布莱希科 ,  N·S·德拉斯 ,  B·E·古德林

IPC: H01L21/308

CPC classification number: H03H9/02015 ,  H01L21/32056 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/41725 ,  H03H3/02 ,  H03H9/02102 ,  H03H9/02133 ,  H03H9/175 ,  H03H9/178 ,  H03H2003/025

Abstract: 在描述的示例中，一种形成钛钨层中的终端角的方法包括提供钛钨层(702)以及将光致抗蚀刻材料施加到钛钨层(704)。光致抗蚀刻材料在散焦条件下经暴露生成抗蚀刻掩膜(706)。暴露的光致抗蚀刻材料的边缘对应于倾斜终端。使用蚀刻材料蚀刻钛钨层。蚀刻材料至少部分地蚀刻在散焦条件下被暴露的光致抗蚀刻材料。蚀刻导致钛钨层中的倾斜终端(708)。

公开(公告)号：CN103312287B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201310075570.2

申请日：2013-03-11

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 小林淳治

IPC: H03H9/02 ,  H03H9/05 ,  H03H9/19

CPC classification number: H01L41/332 ,  H01L41/08 ,  H03H3/02 ,  H03H9/02015 ,  H03H9/0547 ,  H03H9/1021 ,  Y10T29/42

Abstract: 振动片和振子的制造方法、振子、振荡器以及电子设备。提供能够简单且准确地计测振动部的有效振动区域的宽度，易于管理振动特性的振动片的制造方法，振动片的制造方法包含以下步骤：准备AT切石英基板的第1步骤；在石英基板的+Y′轴侧的主面上配置第1掩模，在‑Y′轴侧的主面上以相对于第1掩模向+Z′轴侧偏移的方式配置第2掩模，隔着第1掩模和第2掩模对石英基板进行蚀刻，由此在石英基板上形成包含振动部和薄壁部的台面型基板的步骤，振动部包含向+Y′轴侧突出的第1凸部和向‑Y′轴侧突出的第2凸部，薄壁部沿着振动部的外缘配置，厚度比薄壁部的厚度薄；以及在台面型基板上形成导体图案的步骤。

公开(公告)号：CN103312288B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310079212.9

申请日：2013-03-13

Applicant: 太阳诱电株式会社

Inventor： 横山刚 ,  岩崎誉志纪 ,  西原时弘 ,  恩田阳介

IPC: H03H9/02 ,  H03H9/54

CPC classification number: H01L41/0805 ,  H01L41/187 ,  H03H9/02015 ,  H03H9/02102 ,  H03H9/0222 ,  H03H9/02228 ,  H03H9/173 ,  H03H9/174 ,  H03H9/175 ,  H03H9/54 ,  H03H9/584

Abstract: 一种声波器件，其包括：由含有二价元素和四价元素、或者二价元素和五价元素的氮化铝膜制成的压电膜；以及激发经由压电膜传播的声波的电极。

公开(公告)号：CN103765769B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201280041628.5

申请日：2012-08-28

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 神藤始

IPC: H03H3/02 ,  H03H9/02 ,  H03H9/05 ,  H03H9/17

CPC classification number: H01L41/183 ,  H01L41/18 ,  H01L41/29 ,  H03H3/02 ,  H03H9/02015 ,  H03H9/0595 ,  H03H9/173 ,  Y10T29/42

Abstract: 得到利用LiTaO3的厚度切变振动模式且机电耦合系数k2高的压电体波装置。压电体波装置成与压电薄板(5)相接的第1、第2电极(6、7)，利用了由LiTaO3构成的压电薄板(5)的厚度切变振动模式，在LiTaO3的欧拉角( θ，ψ)中，为0°，θ处于54°以上且107°以下的范围内。(1)具备：由LiTaO3构成的压电薄板(5)、和设置

公开(公告)号：CN106209003A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610527875.6

申请日：2016-07-06

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  黄凯 ,  贾棋 ,  张师斌 ,  游天桂 ,  王曦

IPC: H03H3/02 ,  H03H9/02

CPC classification number: H03H3/02 ,  H03H9/02015 ,  H03H2003/023

Abstract: 本发明提供一种利用薄膜转移技术制备薄膜体声波器件的方法，包括：1）提供氧化物单晶衬底；2）自注入面向所述氧化物单晶衬底内进行离子注入，而后在注入面形成下电极；或在注入面形成下电极，而后自注入面向氧化物单晶衬底内进行离子注入；3）提供支撑衬底，将步骤2）得到的结构与支撑衬底键合；4）沿缺陷层剥离部分氧化物单晶衬底，得到氧化物单晶薄膜，氧化物单晶薄膜及下电极转移至支撑衬底上；5）腐蚀支撑衬底以形成空腔；6）在氧化物单晶薄膜表面形成上电极。本发明提供一种新的方法制备金属电极-单晶氧化物-金属电极的薄膜体声波滤波器核心结构，有效解决金属电极间无法制备单晶氧化物的问题。

公开(公告)号：CN106100601A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610378566.7

申请日：2016-05-31

Applicant: 中电科技德清华莹电子有限公司

Inventor： 陈培杕 ,  刘众 ,  李勇 ,  宋松 ,  杨鑫垚

IPC: H03H3/02 ,  H03H9/02 ,  H03H9/17 ,  H03H9/54

CPC classification number: H03H3/02 ,  H03H9/02015 ,  H03H9/171 ,  H03H9/54 ,  H03H2003/023

Abstract: 本发明提出一种采用超薄压电单晶体制作的薄膜体声波谐振器，包括具有地室的高阻衬底、由上金属电极和下金属电极夹持压电体组成的三明治有源结构，三明治有源结构设置于高阻衬底上端；所述压电体为超薄压电单晶体，地室内设有若干根支柱。超薄压电单晶体所用的压电单晶体，为所有可实用化的压电单晶体，如石英、钽酸锂、铌酸锂、四硼酸锂、锗酸铋、硅酸铋、硅酸镓镧系列、正磷酸铝和铌酸钾。所用的高阻衬底，为硅、石英、碳化硅、三氧化二铝、蓝宝石、金刚石等微电子技术常用衬底材料。本发明的优点有：超薄压电单晶体，晶体完整性未被破坏，为完美单晶；可以自由选择晶体及其晶向，优化器件性能；超薄压电单晶体生产技术前景明朗。

公开(公告)号：CN104040886B

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201280040247.5

申请日：2012-08-20

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： C·左 ,  C·尹 ,  J·金

IPC: H03H9/02

CPC classification number: H01L41/183 ,  H01L41/277 ,  H03H9/02015 ,  H03H9/02228 ,  Y10T29/42

Abstract: 描述了谐振器。该谐振器包括多个电极。该谐振器还包括复合压电材料。该复合压电材料包括至少一层第一压电材料和至少一层第二压电材料。至少一个电极耦合至该复合压电材料的底部。至少一个电极耦合至该复合压电材料的顶部。