磁传感器装置
    1.
    发明公开
    磁传感器装置 审中-公开

    公开(公告)号:CN119986486A

    公开(公告)日:2025-05-13

    申请号:CN202411607260.5

    申请日:2024-11-12

    Abstract: 本发明的磁场产生器构成为产生对磁传感器施加的磁场。磁场产生器的导体层包含:第一端、第二端、多个主配线、第一副配线、以及第二副配线。第一副配线包含从第一端经由多个第一连结部到达多个主配线31中的各个的多个第一路径。第二副配线包含从第二端经由多个第二连结部到达多个主配线中的各个的多个第二路径。任意两个第一路径各自所经由的多个第一连结部的数量相同。任意两个第二路径各自所经由的多个第二连结部的数量相同。

    磁传感器
    2.
    发明公开
    磁传感器 审中-实审

    公开(公告)号:CN115840173A

    公开(公告)日:2023-03-24

    申请号:CN202211150603.0

    申请日:2022-09-21

    Abstract: 磁传感器具备由多个MR元件构成的多个电阻部、和分别具有用于对多个MR元件检测对象磁场的特定分量的结构的多个凸面。多个MR元件分割成与多个电阻部对应的第一~第四区域而配置。多个凸面包含遍及第一~第四区域中的至少两个区域延伸的结构物。

    磁传感器、位置检测装置及透镜模块

    公开(公告)号:CN119224662A

    公开(公告)日:2024-12-31

    申请号:CN202410855228.2

    申请日:2024-06-28

    Abstract: 一种磁传感器,其具备:软磁性结构体,其包含多个磁轭;MR元件,其在多个磁轭的短边方向上与多个磁轭相邻,且构成为检测从多个磁轭产生的磁场。软磁性结构体还包含多个第一附加磁性体及多个第二附加磁性体,上述多个第一附加磁性体及多个第二附加磁性体被配置为在多个磁轭的长边方向上与多个磁轭排列,且被配置为在与短边方向及长边方向分别正交的正交方向上相对于多个磁轭错开。

    磁传感器
    4.
    发明公开
    磁传感器 审中-实审

    公开(公告)号:CN118642020A

    公开(公告)日:2024-09-13

    申请号:CN202410285210.3

    申请日:2024-03-13

    Abstract: 本发明的磁传感器具备:软磁性体,具有位于相互相反侧的第1端面和第2端面;第1MR元件,配置于第1端面的附近;第2MR元件,配置于第2端面的附近;第1引线,电连接第1MR元件和第2MR元件,并且包括从与第1MR元件和第2MR元件排列的第1方向正交的第2方向观察时与软磁性体重叠的部分。

    传感器
    5.
    发明公开
    传感器 审中-实审

    公开(公告)号:CN115840175A

    公开(公告)日:2023-03-24

    申请号:CN202211154919.7

    申请日:2022-09-21

    Abstract: 本发明涉及一种传感器。磁传感器具备包含平坦部和突出部的绝缘层、第一MR元件、以及第二MR元件。突出部具有第一倾斜面和第二倾斜面。第一MR元件配置在第一倾斜面之上。第二MR元件配置在第二倾斜面之上。突出部沿着与基板的上表面平行的第一方向延伸,并且包含在突出部中的第一方向的端部分别向与基板的上表面平行的方向凹陷的多个凹部。

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