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公开(公告)号：CN114814674B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202210058998.5
申请日：2022-01-19
Applicant: TDK株式会社
IPC: G01R33/09
Abstract: 本发明提供一种能够容易地应对各种设计条件的磁传感器的设计方法。磁传感器具有串联连接的第一及第二磁阻效应元件和串联连接的第三及第四磁阻效应元件，第一及第二磁阻效应元件的组和第三及第四磁阻效应元件的组并联连接，第一及第四磁阻效应元件连接到电源侧。在设计该磁传感器时，对于第一～第四磁化固定层的磁化方向分别相对于规定的基准角度旋转第一～第四角度θ1～θ4，θ1＝θ3、θ2＝θ4、θ1≠θ2，且θ1－θ2不同的多个磁传感器求出在与各磁传感器的输出之间成立规定的线性关系的第一～第四磁化自由层的磁化方向的角度范围和磁传感器的输出范围的关系，从多个磁传感器选择满足角度范围和输出范围的要求条件的磁传感器。
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公开(公告)号：CN113495233A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202110247384.7
申请日：2021-03-02
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的一种实施方式的磁场检测装置具备：磁阻效应元件和线圈。线圈包含第一阶层部分和第二阶层部分，并且通过供给电流可以对磁阻效应元件形成沿着第二轴向施加的感应磁场，该第一阶层部分和第二阶层部分在第一轴向上以夹着磁阻效应元件的方式相对。第一阶层部分具有多个第一导体，该多个第一导体各自沿着第三轴向延伸且在第二轴向上排列成互相并联。第二阶层部分具有1个第二导体或多个第二导体，该1个第二导体在第三轴向上延伸，该多个第二导体各自沿着第三轴向延伸且在第二轴向上排列成互相并联。第一导体的宽度比第二导体的宽度窄。
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公开(公告)号：CN113447866A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110324244.5
申请日：2021-03-26
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种磁传感器及其制造方法。该磁传感器包括MR元件和支承部件。支承部件的上表面包含倾斜部。MR元件包含MR元件主体、下部电极和上部电极。下部电极具有离倾斜部的下端部最近的第一端部和离倾斜部的上端部最近的第二端部。MR元件主体配置在与第一端部相比离第二端部更近的位置。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN113447866B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202110324244.5
申请日：2021-03-26
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种磁传感器及其制造方法。该磁传感器包括MR元件和支承部件。支承部件的上表面包含倾斜部。MR元件包含MR元件主体、下部电极和上部电极。下部电极具有离倾斜部的下端部最近的第一端部和离倾斜部的上端部最近的第二端部。MR元件主体配置在与第一端部相比离第二端部更近的位置。
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公开(公告)号：CN113495233B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202110247384.7
申请日：2021-03-02
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的一种实施方式的磁场检测装置具备：磁阻效应元件和线圈。线圈包含第一阶层部分和第二阶层部分，并且通过供给电流可以对磁阻效应元件形成沿着第二轴向施加的感应磁场，该第一阶层部分和第二阶层部分在第一轴向上以夹着磁阻效应元件的方式相对。第一阶层部分具有多个第一导体，该多个第一导体各自沿着第三轴向延伸且在第二轴向上排列成互相并联。第二阶层部分具有1个第二导体或多个第二导体，该1个第二导体在第三轴向上延伸，该多个第二导体各自沿着第三轴向延伸且在第二轴向上排列成互相并联。第一导体的宽度比第二导体的宽度窄。
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公开(公告)号：CN114924215A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202111133406.3
申请日：2021-09-27
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 小林尚史
IPC: G01R33/09
Abstract: 本发明的磁传感器具备：磁场转换部，其将第一方向的输入磁场作为与其正交的第二方向的输出磁场输出；磁场检测部，其设置于能够被施加输出磁场的位置；磁屏蔽，其屏蔽与第一及第二方向正交的第三方向的外部磁场。在沿着第一方向观察时，磁场转换部的第三方向的长度比第二方向的长度长。磁屏蔽设置于与磁场转换部及磁场检测部重叠的位置。磁场检测部由将包含第一及第二磁场检测部的第一桥接电路与包含第三及第四磁场检测部的第二桥接电路并联连接而成的惠斯通电桥电路构成。第一～第四磁场检测部包含两个磁阻部，第一～第四磁场检测部所包含的两个磁阻部具有包含磁化方向相互不同的磁化固定层的磁阻效应元件。
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公开(公告)号：CN114814674A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210058998.5
申请日：2022-01-19
Applicant: TDK株式会社
IPC: G01R33/09
Abstract: 本发明提供一种能够容易地应对各种设计条件的磁传感器的设计方法。磁传感器具有串联连接的第一及第二磁阻效应元件和串联连接的第三及第四磁阻效应元件，第一及第二磁阻效应元件的组和第三及第四磁阻效应元件的组并联连接，第一及第四磁阻效应元件连接到电源侧。在设计该磁传感器时，对于第一～第四磁化固定层的磁化方向分别相对于规定的基准角度旋转第一～第四角度θ1～θ4，θ1＝θ3、θ2＝θ4、θ1≠θ2，且θ1－θ2不同的多个磁传感器求出在与各磁传感器的输出之间成立规定的线性关系的第一～第四磁化自由层的磁化方向的角度范围和磁传感器的输出范围的关系，从多个磁传感器选择满足角度范围和输出范围的要求条件的磁传感器。
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