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公开(公告)号：CN119963971A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510028017.6
申请日：2019-02-15
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： A·C·M·库普曼 , S·A·米德莱布鲁克斯 , A·G·M·基尔斯 , M·J·马斯洛
IPC: G06V10/82 , G03F7/20 , G06V10/764 , G06V10/74 , G06N3/0464 , G06V20/70
Abstract: 本发明描述了一种用于训练图案化过程的深度学习模型的方法。该方法包括获得（i）训练数据，该训练数据包括具有多个特征的衬底的至少一部分的输入图像和真实图像；（ii）类别集，每个类别对应于输入图像内衬底的多个特征的特征；和（iii）深度学习模型，被配置为接收训练数据和类别集；通过使用输入图像对深度学习模型进行建模和/或模拟来生成被预测的图像；基于被预测的图像中的特征与真实图像中的对应特征的匹配将类别集中的类别分配给被预测的图像中的特征；和通过使用损失函数迭代地分配权重并通过建模和/或模拟来生成训练后的深度学习模型。
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公开(公告)号：CN119960263A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510035461.0
申请日：2019-07-19
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20 , G03F1/36 , G06F30/392
Abstract: 描述一种用于确定蚀刻轮廓的方法。所述方法包括：确定起始遮蔽层轮廓。确定负载信息。所述负载信息指示针对所述遮蔽层轮廓的蚀刻速率对正被蚀刻的材料的数量和图案的依赖性。确定通量信息。所述通量信息指示所述蚀刻速率对入射到所述遮蔽层轮廓上的辐射的强度和散布角的依赖性。确定再沉积信息。所述再沉积信息指示所述蚀刻速率对从所述遮蔽层轮廓移除且再沉积回到所述遮蔽层轮廓上的材料的量的依赖性。基于所述负载信息、所述通量信息和/或所述再沉积信息，确定所述晶片的所述层的输出蚀刻轮廓。
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公开(公告)号：CN119923599A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202380070561.6
申请日：2023-09-29
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/00
Abstract: 提供一种用于光刻设备的反射镜层，包括与硅形成化学键的至少一种元素，所述化学键具有至少447 kJ mol‑1的键解离能量。也提供一种制造这样的反射镜层的方法、一种包括本文中所描述的反射镜层的反射镜、以及一种包括这样的反射镜层或反射镜的光刻设备。也描述钼硅硫化物、氧化物、硒化物或氟化物在反射镜层或反射镜中的用法，以及这样的反射镜层或反射镜在光刻设备或方法中的用法。
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公开(公告)号：CN113795459B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202080034482.6
申请日：2020-03-25
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 本公开描述了一种具有半导体芯片的图像形成元件，半导体芯片具有微机电系统(MEMS)装置(210)和电压生成器(220)，每个电压生成器被配置为：生成由MEMS装置中的一个或多个MEMS装置使用的电压。浮置接地可以用于向由电压生成器生成的电压添加电压。半导体芯片可以包括电连接(235)，其中每个电压生成器被配置为通过电连接来向一个或多个MEMS装置提供电压。MEMS装置可以在半导体芯片中限定边界，MEMS装置、电压生成器和电连接位于该边界内。每个MEMS装置可以生成静电场以操纵多束带电粒子显微镜的电子小束。可以基于到半导体芯片中的基准位置(例如，光学轴线)的距离将MEMS装置组织成组。
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公开(公告)号：CN119852153A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411949671.2
申请日：2019-09-13
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: H01J37/28 , G01N23/2251 , H01J37/26 , H01L21/66
Abstract: 公开了一种改进的带电粒子束检查装置，更具体地公开了一种用于检查晶片的粒子束装置，包括用于检测快充电缺陷的改进的扫描机构。一种改进的带电粒子束检查装置可以包括带电粒子束源，该带电粒子束源向晶片的区域传送带电粒子并且扫描该区域。改进的带电粒子束装置还可以包括控制器，该控制器包括电路以在时间序列内产生该区域的多个图像，对这些图像被比较以检测快充电缺陷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115327861B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202211006576.X
申请日：2018-08-08
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/3065
Abstract: 公开了控制图案化过程的方法。在一种布置中，获得从对穿过衬底上的结构的目标层的蚀刻路径中的倾斜的测量得到的倾斜数据。该倾斜表示蚀刻路径的方向与目标层的平面的垂直线偏离。倾斜数据被用于控制用于在另外的层中形成图案的图案化过程。
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公开(公告)号：CN113439237B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202080014154.X
申请日：2020-01-30
Applicant: ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供了一种包括投射系统的设备，该投射系统具有光轴并且被配置为投射辐射束。该设备包括被布置为测量由投射系统投射的辐射束的测量单元，该测量单元包括开口、以及感测表面，在使用时辐射束穿过开口，感测表面横向于光轴延伸并且被布置为测量穿过开口的辐射束。光刻设备被配置为在多个测量位置之间、在横向于光轴的平面中移动感测表面。辐射束限定上述平面中的视图，并且测量单元被配置为使得感测表面在每个测量位置捕获视图的一部分，该一部分比100％的视图小。本发明包括一种相对应的方法。
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公开(公告)号：CN119739008A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411796789.6
申请日：2019-12-12
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： P·弗里斯克
IPC: G03F7/20 , G06F30/398 , G06F119/18
Abstract: 一种用于样本方案(624)生成的方法，具有以下步骤：获取(606)与位置的集合相关联的测量数据(608)；分析(610)测量数据以确定位置的统计上不同的组；以及基于统计上不同的组来配置(614)样本方案生成算法(622)。一种方法，包括：获取与跨一个或多个基底的样本方案相关联的约束(618)和/或多个关键性能指标(620)；以及在包括多目标遗传算法(622)的样本方案生成算法中使用约束(618)和/或多个关键性能指标(620)。位置可定义跨越跨一个或多个基底的多个场的一个或多个区域，并且分析(610)测量数据的步骤可以包括使用不同的相应子采样来跨所跨越的多个场进行堆叠。
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公开(公告)号：CN113454533B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202080015882.2
申请日：2020-01-30
Applicant: ASML荷兰有限公司
Abstract: 本文描述了一种用于确定衬底上的印刷图案的测量数据的方法。方法涉及：获得（i）衬底的原始图像，包括与参考图案相对应的印刷图案，（ii）原始图像的平均图像，以及（iii）基于平均图像的复合轮廓。进一步地，复合轮廓相对于参考图案的参考轮廓对准，并且原始轮廓是基于对准的复合轮廓和复合轮廓的管芯到数据库对准的输出从原始图像提取的。进一步地，方法基于原始轮廓确定多个图案测量结果，并且基于多个图案测量结果确定与印刷图案相对应的测量数据。进一步地，方法确定多个过程变化，诸如随机变化、管芯间变化、管芯内变化和总变化。
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公开(公告)号：CN114514465B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202080064490.5
申请日：2020-09-07
Applicant: ASML荷兰有限公司
Inventor： 倪永锋
Abstract: 用于通过光谱展宽生成宽带辐射的辐射源组件和方法。所述组件包括泵浦源，被配置为以一个或多个波长发射经调制的泵浦辐射。所述组件还包括光纤，被配置为接收由所述泵浦源发射的所述经调制的泵浦辐射，所述光纤包括沿着所述光纤的长度的一部分延伸的中空芯部。所述中空芯部被配置为在通过所述光纤传播期间引导所述接收到的辐射。由所述泵浦源发射的所述辐射包括处于泵浦波长的第一辐射，并且所述泵浦源被配置为调制所述第一辐射以激发所述光纤中的光谱展宽。
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