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公开(公告)号：CN117668218A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202211008914.3
申请日：2022-08-22
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
IPC: G06F16/35 , G06F40/216 , G06F40/30
Abstract: 本申请实施例提供一种数据处理方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质，方法包括：获取样本文本和样本文本对应的增强文本；将样本文本和增强文本分别输入至预设的初始文本模型中进行处理，得到样本文本对应的中间嵌入向量和第一嵌入向量，以及增强文本对应的第二嵌入向量；根据中间嵌入向量、第一嵌入向量和第二嵌入向量，对初始文本模型进行训练，得到文本表征模型。本申请实施例利用样本文本输入至初始文本模型所得到的中间嵌入向量和第一嵌入向量，以及增强文本输入至初始文本模型所得到的第二嵌入向量来对初始文本模型进行训练，能够提高文本模型学习句子嵌入的效果，从而提高模型文本表征的效果，以更准确地用于后续的文本聚类。
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公开(公告)号：CN117651436A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202210974859.7
申请日：2022-08-15
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Inventor： 梁文林
Abstract: 本申请公开了一种复合材料及其制备方法、光电器件及显示装置。本申请的复合材料，包括氧化物颗粒及吸附在所述氧化物颗粒表面的有机化合物，有机化合物以螺二芴作为主要骨架，具有大π共轭体系，从而使所述有机化合物具有高导电性。而所述有机化合物通过P＝O(氧化膦基)吸附在所述氧化物颗粒表面，可以作为高导电配体，提高所述复合材料的导电性以及电子的传输和注入性能；同时也能够钝化所述氧化物颗粒的缺陷，减少空位缺陷的产生。另外，所述有机化合物吸附至所述氧化物颗粒表面，能够抑制和避免杂质离子吸附，影响所述复合材料的性能。
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公开(公告)号：CN117643730A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202210977012.4
申请日：2022-08-15
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Inventor： 聂志文
IPC: B01D1/00 , B01D3/00 , B01D3/42 , C09K11/88 , H10K50/115
Abstract: 本申请公开一种废液回收方法、量子点纯化方法、光电器件及制备方法。本申请提供的废液回收方法，包括：提供废液，其中，所述废液为通过对溶液法制备的反应产物进行纯化得到，所述废液中包括共沸溶剂组分；在第一恒压下对所述废液进行共沸处理，所述废液中的所述共沸溶剂组分进行共沸从所述废液中分离出，从而得到共沸产物，所述共沸产物即为包含至少两种能够共沸的所述共沸溶剂组分，从而通过一次蒸馏实现对所述包含至少两种溶剂的所述共沸溶剂组分回收，操作简单快捷、成本低廉。
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公开(公告)号：CN117630615A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202210994185.7
申请日：2022-08-18
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Inventor： 王成
Abstract: 本申请公开了一种载流子迁移率的测量装置和测量方法，测量装置包括基板、第一电极、第二电极、激光源以及采集电路结构。所述基板的一表面上具有供待测薄膜平铺的工作区域，第一电极和第二电极设于所述基板上，且所述第一电极和所述第二电极在所述工作区域的两侧呈相对设置。本申请提供的技术方案，很薄的待测薄膜也能实现较长的迁移距离，大大提高了测量准确性；同时，基于本申请方案，很薄的待测薄膜即可实现较长的迁移距离，不仅节省了大量材料，而且简化了薄膜制备过程，提高了测量效率。
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公开(公告)号：CN117580386A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202210925398.4
申请日：2022-08-03
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本申请公开了光电器件及其制备方法、显示装置。本申请的光电器件包括：依次层叠设置的阳极、第一空穴功能层、发光层及阴极；其中，所述第一空穴功能层包括第一空穴功能材料以及导电骨架材料，至少部分所述第一空穴功能材料填充在所述导电骨架材料形成的间隙中。所述第一空穴功能材料填充在所述导电骨架材料形成的间隙中，使所述导电骨架材料与空穴功能材料具有较大的接触面积，提供电荷传输通道，且缩短阳极与空穴功能层的电荷传输路径，提高空穴功能层的空穴传输的能力，降低光电器件的电阻，提高光电器件的载流子平衡性，提高光电器件的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113034552B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN201911357215.8
申请日：2019-12-25
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Inventor： 唐卫东
Abstract: 本申请涉及一种光流的修正方法和计算机设备，所述方法包括：获取待处理图像，其中，待处理图像为视频序列中的任一帧图像；对于待处理图像中的每个像素点，选取像素点对应的目标像素点，其中，所述目标像素点与所述像素点的特征相似度满足预设条件；获取选取到的目标像素点的光流以及像素点的光流，并根据目标像素点的光流以及像素点的光流，得到像素点的修正后的光流。本发明对于一个像素点，在该像素点对应的局域块中选择与该像素点特征相似的目标像素点，由于目标像素点同该像素点的特征相似，应属于待处理图像中显示的同一物体，这样，在视频中有大量小范围的纹理信息时，不会错误匹配相邻物体，提高了光流的精度。
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公开(公告)号：CN117548664A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202210925396.5
申请日：2022-08-03
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Inventor： 王元
Abstract: 本申请公开了提纯装置、流体反应系统和纳米粒子的提纯方法。本申请的提纯装置，通过导管可直接控制壳体内的离心罐的密封和打开而不用打开壳体。在离心罐的密封时，将待提纯液直接通过导管从提纯装置的外部导入至离心罐内，避免待提纯液中对水氧敏感的组份在被输送至提纯装置的过程中被侵蚀。离心组件相对于壳体转动实现待提纯液中固体和液体的离心分离，通过控制导管打开离心罐的第一开口和第二开口，已离心分离的液体通过第二开口流出，从而实现对待提纯液进行分离提纯，由于不用打开壳体，壳体内部可以为密封状态，能够最大程度地避免待提纯液暴露在空气中，而与氧气和/或水分接触，从而避免待提纯液中对水氧敏感的组份在提纯过程中被侵蚀。
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公开(公告)号：CN117538020A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202210924060.7
申请日：2022-08-02
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明公开了一种发光器件的检测装置和检测方法，发光器件包括层叠设置的发光层和载流子传输层，检测装置包括激发光光源组件、供电组件和光信号采集处理组件，检测方法包括：利用供电组件向发光器件供电，以使其发光层电致发光；利用激发光光源组件向发光器件射入第一激发光信号和第二激发光信号；利用光信号采集处理组件，采集发光器件射出的出射光信号，并根据出射光信号确定发光器件中发光层光致发光对应的第一光强度变化信息、载流子传输层光致发光对应的第二光强度变化信息以及发光层电致发光对应的第三光强度变化信息，从而能较准确地检测出发光器件中部分膜层的发光情况。
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公开(公告)号：CN117511533A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202210899923.X
申请日：2022-07-28
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Inventor： 聂志文
Abstract: 本申请公开了一种量子点及其制备方法、发光器件。该制备方法包括步骤：提供第一量子点核溶液，其中，所述第一量子点核溶液中的第一量子点核的平均粒径为所述第一量子点核组成材料的激子波尔半径的1.2～3倍；向所述第一量子点核溶液中加入Cd离子前驱体，进行第一反应处理，得到掺Cd的第二量子点核溶液；以及向掺Cd的第二量子点核溶液中加入壳层前驱体，进行第二反应处理，得到所述量子点。通过上述制备方法得到的量子点核的平均粒径为该量子点核组成材料对应的激子波尔半径的1.2～3倍，量子点核的量子限域效应减弱，激子束缚能力得到提高，从而提升量子点材料的稳定性。
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公开(公告)号：CN109299960B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN201710607609.9
申请日：2017-07-24
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Inventor： 孙向作
IPC: G06Q30/0242 , G06Q30/0241
Abstract: 本发明涉及移动互联网领域，提供了一种监控广告的方法、装置及计算机可读存储介质、终端设备，以便广告商能够获知推送至智能终端的广告是否被展示。所述方法包括：获取系统当前应用界面的布局文件；从布局文件中查找是否存在与被推送广告的素材信息对应控件属性相同的控件；若布局文件中存在与被推送广告的素材信息对应控件属性相同的控件，则根据布局文件中与被推送广告的素材信息对应控件属性相同的控件是否被点击，或者，根据布局文件中与被推送广告的素材信息对应控件属性相同的控件是否被点击和系统当前应用界面对应包名的信息，判断被推送广告是否在终端展示。本发明的技术方案解决了广告商不能获知推送到智能终端的广告是否被展示的问题。
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