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公开(公告)号：CN119584769A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202311153533.9
申请日：2023-09-07
Applicant: 广东聚华新型显示研究院 , TCL科技集团股份有限公司
IPC: H10K50/115 , H10K50/84 , H10K71/00
Abstract: 本申请公开了一种发光器件及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域。发光器件包括：层叠设置的第一电极、发光层和第二电极，发光层的材料包括纳米颗粒；发光器件还包括第一载流子功能层、钝化层，第一电极和第二电极之间的功能层中的一种含有钝化剂，钝化剂包括AX类化合物，A选自R‑COOH‑，X选自锂离子、ⅡA族元素的金属离子或ⅡB族元素的金属离子。本申请提供的发光器件，钝化剂中的A离子作为富电性的路易斯碱，可与纳米颗粒表面含正电荷的缺陷结合，钝化缺陷，提高纳米颗粒的性能，促进量子点发光；钝化剂中的X离子的离子半径小，可钝化纳米颗粒表面含负电荷的缺陷，降低发光器件的功耗，提高发光器件的发光效率。
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公开(公告)号：CN117705768A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202211084897.1
申请日：2022-09-06
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Inventor： 王成
Abstract: 本申请提供了一种载流子迁移率的检测装置及检测方法，检测装置包括：导电衬底、设置于导电衬底一侧且相绝缘的电极层、光源以及测量机构，其中，电极层包括相对设置且相间隔的第一电极和第二电极，第一电极与第二电极之间的间隔区域用于填充待测材料，光源用于照射待测材料以产生光生载流子，测量机构用于对待测材料施加电压以使光生载流子在第一电极与第二电极之间迁移，并使导电衬底与待测材料之间形成电场以将在第一电极与第二电极之间迁移的载流子调控为预设类型，以及获取光生载流子的渡越时间，所述检测装置具有检测成本低、操作简便、检测精准度高的优点。
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公开(公告)号：CN117630615A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202210994185.7
申请日：2022-08-18
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Inventor： 王成
Abstract: 本申请公开了一种载流子迁移率的测量装置和测量方法，测量装置包括基板、第一电极、第二电极、激光源以及采集电路结构。所述基板的一表面上具有供待测薄膜平铺的工作区域，第一电极和第二电极设于所述基板上，且所述第一电极和所述第二电极在所述工作区域的两侧呈相对设置。本申请提供的技术方案，很薄的待测薄膜也能实现较长的迁移距离，大大提高了测量准确性；同时，基于本申请方案，很薄的待测薄膜即可实现较长的迁移距离，不仅节省了大量材料，而且简化了薄膜制备过程，提高了测量效率。
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公开(公告)号：CN117538020A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202210924060.7
申请日：2022-08-02
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明公开了一种发光器件的检测装置和检测方法，发光器件包括层叠设置的发光层和载流子传输层，检测装置包括激发光光源组件、供电组件和光信号采集处理组件，检测方法包括：利用供电组件向发光器件供电，以使其发光层电致发光；利用激发光光源组件向发光器件射入第一激发光信号和第二激发光信号；利用光信号采集处理组件，采集发光器件射出的出射光信号，并根据出射光信号确定发光器件中发光层光致发光对应的第一光强度变化信息、载流子传输层光致发光对应的第二光强度变化信息以及发光层电致发光对应的第三光强度变化信息，从而能较准确地检测出发光器件中部分膜层的发光情况。
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公开(公告)号：CN117783065A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202211156835.7
申请日：2022-09-22
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
IPC: G01N21/64
Abstract: 本申请提供一种量子产率测试装置以及测试方法，量子产率测试装置包括：发射单元，发射单元用于发射入射光线；积分球，积分球具有入射口以及出射口，入射口用于接收入射光线，出射口用于射出出射光线；采集单元，采集单元用于同时采集预设波长范围内的出射光线的第一光谱，以缩短量子产率测试时间。本申请通过发射单元发射入射光线，入射光线在照射积分球内的检测样品后从出射口射出，由于采集单元同时采集预设波长范围内的出射光线的第一光谱，无需多次分别采集不同波段光线强度，进而避免了检测样品被长时间照射，最终造成量子点在较长激发态下发生破坏进而影响测量准确性的现象。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117783064A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202211156825.3
申请日：2022-09-22
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
IPC: G01N21/64
Abstract: 本申请提供一种量子产率测试装置以及测试方法，量子产率测试装置包括：发射单元，发射单元用于发射入射光线；积分球，积分球具有入射口以及出射口，入射口用于接收入射光线，出射口用于射出出射光线；采集单元，采集单元用于采集出射光线的光谱；其中，积分球内设置有可旋转的第一反射镜，第一反射镜具有第一工作位置以及第二工作位置；当第一反射镜位于第一工作位置时，入射光线沿背离出射口的方向传播，当第一反射镜位于第二工作位置时，入射光线沿朝向出射口的方向传播。本申请通过转动第一反射镜即可使入射光线是否照射样品，从而无需在测量过程中取出检测样品，降低了不同波段情况下荧光量子产率的测量难度。
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公开(公告)号：CN116242809A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202111486091.0
申请日：2021-12-07
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
IPC: G01N21/64
Abstract: 本申请实施例公开了一种量子产率测量装置及其量子产率的测量方法，该量子产率测量装置包括积分球、光源和载样设备，光源用于提供射入积分球内的激发光束；载样设备设置在积分球中；载样设备包括机架、样品台和掩膜板；样品台和掩膜板均设置在机架上，样品台用于放置待测试样品；掩膜板设有用于供激发光束穿过并照射到待测试样品的通孔，通孔的面积小于或等于4mm2。本申请还提供了基于该量子产率测量装置的量子产率的测量方法。本申请提供的量子产率测量装置、量子产率的测量方法可以提高待测试样品的荧光量子产率的测量准确性。
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公开(公告)号：CN118265323A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202211701334.2
申请日：2022-12-28
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Inventor： 王成
IPC: H10K50/12 , H10K50/115
Abstract: 本申请公开了一种发光器件，所述发光器件包括层叠的阳极、发光单元和阴极，所述发光单元包括至少两个层叠的子发光单元和至少一淬灭层，每一淬灭层设置在相邻的两个子发光单元之间；所述淬灭层的材料包括偶极材料。所述发光器件在发光单元中插入一层偶极材料形成的淬灭层，在发光器件通电时，偶极材料的极性发生偏转被诱导至沿着电场方向分布，有利于提升载流子的注入和传输；当发光器件断电时，外加电场消失，偶极材料的偶极极性恢复，可加速激子的淬灭，提升亮度衰减的响应速率。本申请还公开了一种包括所述发光器件的显示装置。
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公开(公告)号：CN117074806A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202210502801.2
申请日：2022-05-09
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明提供测算薄膜光电器件中不良区域的方法，涉及光电领域。测算薄膜光电器件中不良区域的方法包括利用脉冲激光照射薄膜光电器件的待测区域；对薄膜光电器件施加电压，以使薄膜光电器件的阴极的电势高于阳极的电势；获取在电压作用下通过薄膜光电器件的电流随时间的变化的电流信息；以及根据电流信息计算薄膜光电器件中不良区域情况。待测区域该方法能够测算出薄膜光电器件中目标膜层中不良区域的情况，并且该方法测算的准确性高。
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公开(公告)号：CN119334601A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202310908732.X
申请日：2023-07-21
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Inventor： 王成
Abstract: 本申请提供了一种电致发光器件的时延测量方法、系统、设备与存储介质，方法包括：控制发光装置以预设波长的光照射光电探测器；控制信号发生器生成驱动信号；通过光电探测器待测电致发光器件在驱动信号输入下所产生的目标示波信号；基于驱动信号与目标示波信号之间的差异，确定待测电致发光器件的发光时延信息。本申请实施例通过控制一定波长的光照射光电探测器，使光电探测器产生背景光电信号，从而在信号发生器生成驱动信号驱动待测电致发光器件发光时，可以在背景光电信号的基础上，叠加驱动光电信号得到示波信号，便于后续准确计算电致发光器件的发光时延信息。
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