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公开(公告)号：CN107557756B
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201710579260.2
申请日：2015-11-11
Applicant: 南通大学
Abstract: 一种用于制备BiGaO3薄膜材料的气体脉冲序列，由铋前驱体气体脉冲、镓前驱体气体脉冲、氧前驱体气体脉冲、惰性气体脉冲组成，所述气体脉冲序列通入真空反应腔中；化学吸附反应在真空反应腔中进行，铋前驱体气体脉冲、镓前驱体气体脉冲、氧前驱体气体脉冲、惰性气体脉冲按照一定的次序依次通入真空反应腔中。通过采用本发明的制备BiGaO3薄膜材料的方法，可以实现BiGaO3薄膜生长厚度的精确可控，且BiGaO3薄膜表面平整度大大优于现有技术。
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公开(公告)号：CN107974667B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201711222641.1
申请日：2017-11-28
Applicant: 南通大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明揭示了一种快速测定时序式ALD前驱体临界脉冲宽度的方法，通过ALD制程沉积单独一个薄膜样品即可确定所采用的时序式ALD制程的前驱体临界脉冲宽度；在该方法中，ALD前驱体气体脉冲宽度t可被控制地改变：前驱体A气体脉冲宽度t从短到长逐渐增大，通过QCM测量所得到的薄膜在每一个前驱体A气体脉冲宽度t的指定沉积循环中的质量改变量Δm，最终得到每次薄膜质量增加量Δm与前驱体气体脉冲宽度t的函数关系，分析所得到的Δm与t的函数关系来确定所采用时序式ALD制程的ALD前驱体A临界脉冲宽度。整个测定过程只需要沉积一个薄膜样品即可测定前驱体临界脉冲宽度，所需消耗的前驱体也极大地减少，测试时间大大缩短。
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公开(公告)号：CN108566205A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810357471.6
申请日：2018-04-19
Applicant: 南通大学
IPC: H03M1/66
Abstract: 本发明揭示了一种基于FPGA实现的D/A转换器，电阻串联网络中的每一个电阻值均相等，则每一个节点的电压分别对应于每一个数字信号输入值所对应的模拟电压值。当数字信号输入到基于FPGA实现的单刀多掷开关的数字信号输入端口时，单刀多掷开关依据这一输入值将开关拨转到对应的模拟信号输入端口，从而将串联电阻分压得到的对应的电压值输出至模拟信号输出端口，此时D/A转换器的输出电压值就是数字信号转换后的模拟电压值。
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公开(公告)号：CN105675711B
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201610008914.1
申请日：2016-01-05
Abstract: 一种批量获取磁性材料M‑T、ΔS‑T曲线的方法，建议分类号为G01N 27/72。本发明既不是对现有热力学理论的改进，也不是对现有磁熵变的计算机计算方法作出的算法改进，而是专门针对利用PPMS系统进行磁性材料的测量得到磁矩—磁场—温度测试数据并进行技术处理而得到测量磁性材料的磁熵变‑温度特性的技术方案，不仅解决了现有技术中PPMS测量得到的数据难以评估磁性材料的磁熵变—温度特性的难题，其效率大大提升，极大地降低了对计算机内存的需求。
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公开(公告)号：CN107475687A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710579314.5
申请日：2015-11-11
Applicant: 南通大学
Abstract: 一种制备BiGaO3薄膜材料的反应装置，包括有铋前驱体源、铋前驱体管路手动阀、铋前驱体管路自动阀、铋前驱体载气管路质量流量控制器、镓前驱体源、镓前驱体管路手动阀、镓前驱体管路自动阀、镓前驱体载气管路质量流量控制器、氧前驱体源、氧前驱体管路手动阀、氧前驱体管路自动阀、氧前驱体载气管路质量流量控制器、惰性气体源、惰性气体管路手动阀、真空反应腔、真空泵、真空泵进气口自动阀门、设备控制器，真空反应腔中设有电加热器和温度传感器，铋前驱体源1、镓前驱体源2、氧前驱体源3的容器均设有电加热器和半导体制冷器。该装置可实现薄膜生长时厚度的精确可控。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107447202A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710579276.3
申请日：2015-11-11
Applicant: 南通大学
IPC: C23C16/40 , C23C16/52 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/40 , C23C16/45531 , C23C16/45544 , C23C16/52
Abstract: 一种制备Bi(AlxGa1-x)O3薄膜的气体脉冲序列，由有机铋源气体脉冲、有机铝源气体脉冲、有机镓源气体脉冲、氧前驱体气体脉冲、惰性气体脉冲组成，在一个生长周期中，各气体脉冲数量为4的倍数且不小于12，有机铋源气体脉冲和有机铝源气体脉冲的数量之和等于氧前驱体脉冲的数量，有机铋源气体脉冲、有机铝源气体脉冲和氧前驱体气体脉冲的数量之和等于惰性气体脉冲的数量，在任意一个有机铋源气体脉冲或氧前驱体气体脉冲或有机铝气体脉冲的之前或之后，都具有一个惰性气体脉冲；在任一个有机铋源气体脉冲或有机铝气体脉冲的次邻近处，都还具有一个氧前驱体气体脉冲。可以实现Bi(AlxGa1-x)O3薄膜生长厚度的精确可控。
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公开(公告)号：CN105386006B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201510766400.8
申请日：2015-11-11
Abstract: 前驱体时间分隔式制备镓酸铋薄膜的方法。一种前驱体时间分隔式的自限制性表面吸附反应制备BiGaO3薄膜材料的方法，BiGaO3薄膜材料生长在衬底材料上，BiGaO3薄膜材料的空间群为Pcca，晶格常数为a=5.626Å，b=5.081Å，c=10.339Å，BiGaO3薄膜材料在所选择的衬底上生长得到的择优取向为（112），采用前驱体时间分隔式的自限制性表面吸附反应得到，所述表面吸附反应特指朗缪尔吸附机制的不可逆的化学吸附反应。通过采用本发明的制备BiGaO3薄膜材料的方法，可以实现BiGaO3薄膜生长厚度的精确可控，且BiGaO3薄膜表面平整度大大优于现有技术。
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公开(公告)号：CN105369216B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201510764938.5
申请日：2015-11-11
Abstract: 一种前驱体时间分隔式的自限制性表面吸附反应制备BiAlO3薄膜材料的方法，BiAlO3薄膜材料生长在衬底材料上，所述的BiAlO3薄膜材料的空间群为R3c，晶格常数为a=7.611Å，c=7.942Å；采用前驱体时间分隔式的自限制性表面吸附反应得到，所述表面吸附反应特指朗缪尔吸附机制的不可逆的化学吸附反应。通过采用本发明的制备BiAlO3薄膜材料的方法，可以实现BiAlO3薄膜生长厚度的精确可控，且BiAlO3薄膜表面平整度大大优于现有技术。
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公开(公告)号：CN105274492B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201510766708.2
申请日：2015-11-11
Abstract: 一种制备Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜材料的方法，Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜材料生长在衬底材料上，采用铝镓有机源脉冲混插式的自限制性表面吸附反应得到，所述表面吸附反应特指朗缪尔吸附机制的不可逆的化学吸附反应。通过采用本发明的制备Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜材料的方法，可以实现Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜生长厚度的精确可控，且Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜表面平整度大大优于现有技术。由于Bi(AlxGa1‑x)O3为无铅材料，使其成为Pb(Zr1‑xTix)O3的潜在替换者。
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公开(公告)号：CN105386006A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510766400.8
申请日：2015-11-11
CPC classification number: C23C16/409 , C23C16/52 , C30B25/16 , C30B29/22
Abstract: 前驱体时间分隔式制备镓酸铋薄膜的方法。一种前驱体时间分隔式的自限制性表面吸附反应制备BiGaO3薄膜材料的方法，BiGaO3薄膜材料生长在衬底材料上，BiGaO3薄膜材料的空间群为Pcca，晶格常数为a=5.626？，b=5.081？，c=10.339？，BiGaO3薄膜材料在所选择的衬底上生长得到的择优取向为（112），采用前驱体时间分隔式的自限制性表面吸附反应得到，所述表面吸附反应特指朗缪尔吸附机制的不可逆的化学吸附反应。通过采用本发明的制备BiGaO3薄膜材料的方法，可以实现BiGaO3薄膜生长厚度的精确可控，且BiGaO3薄膜表面平整度大大优于现有技术。
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