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公开(公告)号：CN1906043A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200580001529.4
申请日：2005-05-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/266 , G11B7/00454 , G11B7/24038 , G11B7/2433 , G11B9/04 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , Y10T428/21
Abstract: 在通过照射光、或者通过施加电能来记录再生信息的信息记录介质中，通过以含有如下材料的方式形成产生可逆性相变的记录层，就能够得到在高线速度下且广线速度范围内确保高擦去性能与优质记录保存性的信息记录介质，所述材料含有Ge、Bi、Te以及元素M且以(GeTe)x[(M2Te3)y(Bi2Te3)1－y]100－x(mol％)(式中，M表示从Al、Ga以及In中选择的至少一种元素，x以及y满足80≤x＜100、0＜y≤0.9)表示。
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公开(公告)号：CN1877720A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200610100582.6
申请日：2001-08-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/253 , G11B7/0045 , G11B7/126 , G11B7/1263 , G11B7/24 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/26 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , Y10T428/21 , Y10T428/24942
Abstract: 提供具有两层记录层而且记录、消除性能好的信息记录介质，及其制造方法和其记录再生方法。配置第1信息层(11)和第2信息层(20)，第1信息层(11)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第1记录层(4)，第2信息层(20)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第2记录层(14)。而且，第1记录层(4)由第1材料组成，第2记录层(14)由第2材料组成，且两种材料不同。
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公开(公告)号：CN1278325C
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200410030407.5
申请日：1997-03-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/257 , G11B7/00454 , G11B7/00557 , G11B7/006 , G11B7/0062 , G11B7/00718 , G11B7/24 , G11B7/243 , G11B7/26 , G11B7/266 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715
Abstract: 一种相变记录媒体，为设有以Ge-N、Ge-N-O为代表的阻挡层的记录媒体，以防止记录层和电介质保护层之间发生层间化学反应和原子扩展。阻挡材料也可以用于保护层其本身。由此可以明显抑制现有相变型光学信息记录媒体中观察到的重复记录擦除所造成的反射率下降和信号振幅的下降，可使重写次数增加。
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公开(公告)号：CN1764550A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200480007888.6
申请日：2004-03-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/24038 , G11B7/266 , G11B2007/24312 , G11B2007/24316 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , Y10T428/21
Abstract: 一种信息记录介质，包括：可以利用光学装置或电装置在结晶相与非晶相之间可逆相变的记录层，其中记录层至少包括Ge，Te，M1(M1是从Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Yb和Lu组成的组中选择的至少一种元素)、M2(M2是从Sb和Bi组成的组中选择的至少一种元素)和M3(M3是从Te和Bi组成的组中选择的至少一种元素)。
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公开(公告)号：CN1251193C
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200410031702.2
申请日：1999-03-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/252 , G11B7/00454 , G11B7/0052 , G11B7/006 , G11B7/243 , G11B7/2534 , G11B7/257 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25716
Abstract: 提供一种既能抑制改写失真、又能获得快的结晶速度、能快速地记录信息的相变型的光学信息记录媒体。设定记录层(3)呈结晶状态时激光在该记录层中的吸收率Ac比记录层呈非结晶状态时激光在该记录层中的吸收率Aa大，而且与记录层(3)的两侧相接地设置结晶促进层(7、8)，用来促进记录层从非结晶状态向结晶状态变化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1248211C
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN02803169.5
申请日：2002-07-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/24 , G11B7/0045 , G11B7/125 , B41M5/26
CPC classification number: G11B7/0062 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/253 , G11B7/257 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2571
Abstract: 光信息记录媒体(10)包括第一基板(11)、与第一基板(11)平行配置的第二基板(12)、以及配置在第一基板(11)与第二基板(12)之间的信息层(20)，信息层(20)包括记录层(23)和与记录层(23)相邻的无机物层(下部界面层(22)/上部界面层(24))。通过从第一基板(11)侧入射的激光束(14)的照射使记录层(23)在光学上可以识别的两种以上不同的状态之间变化。上述无机物层以SixGe1-x(0.3≤x≤0.9)的氮化物为主要成分。本发明提供一种即使利用短波长的光束进行记录/重放或对多个信息层进行记录/重放时也能够很好地进行记录/重放的光信息记录媒体以及使用它的记录方法。
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公开(公告)号：CN1685403A
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN03822766.5
申请日：2003-09-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/0045 , G11B7/24 , G11B7/30 , G11B20/10
CPC classification number: G11B7/00736 , G11B7/006 , G11B7/0079 , G11B20/00086
Abstract: DVD等的光记录介质具有可以进行数据重写的数据记录区域(103)和只能进行补写不能进行数据的删除的一次写入区域(104)。在一次写入区域(104)能够记录作为光盘所固有的号码的介质固有号码信息(105)。在数据记录区域(103)中记录数据的部分和未记录数据的部分的反射率不同，在一次写入区域(103)形成的记录坑的反射率比数据记录区域(103)的记录数据部分和未记录数据部分的反射率中高的反射率还高。向一次写入区域(104)的数据记录是通过将在数据记录区域(103)记录可重写的数据所必需热量的3倍～25倍热量的激光照射一次写入区域(104)来进行的。
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公开(公告)号：CN1670828A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200510052929.X
申请日：2001-08-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/253 , G11B7/0045 , G11B7/126 , G11B7/1263 , G11B7/24 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/26 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , Y10T428/21 , Y10T428/24942
Abstract: 提供具有两层记录层而且记录、消除性能好的信息记录介质，及其制造方法和其记录再生方法。配置第1信息层(11)和第2信息层(20)，第1信息层(11)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第1记录层(4)，第2信息层(20)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第2记录层(14)。而且，第1记录层(4)由第1材料组成，第2记录层(14)由第2材料组成，且两种材料不同。
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公开(公告)号：CN1203550C
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN01135992.7
申请日：2001-10-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625
Abstract: 一种存储器，包括：第一和第二记录层，用于利用晶相和非晶相之间的可逆相变来记录信息，该相变是因施加电流脉冲引起的温度升高而产生的。第一和第二记录层的结晶化温度TX1和TX2具有关系TX1＜TX2。第一和第二记录层的结晶化时间tx1和tx2具有关系tx1＞tx2。Ra1+Ra2、Ra1+Rc2、Rc1+Ra2和Rc1+Rc2彼此不同，其中，非晶相中第一记录层的电阻值为Ra1，晶相中第一记录层的电阻值为Rc1，非晶相中第二记录层的电阻值为Ra2，晶相中第二记录层的电阻值为Rc2。
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公开(公告)号：CN1606080A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN200410084969.8
申请日：2004-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C23C14/0036 , C23C14/08 , G11B7/243 , G11B7/26 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432
Abstract: 在生产包含氧含量更低的氧化物作为主要成分的一次书写记录介质时，如果通过引入大量氧到膜形成气体中进行记录层的膜形成并且溅射靶子不含氧，那么生产出的每个介质具有不同性能，这是因为气体中的氧流量容易变化，并且记录层中所含的氧的组分比也容易变化。为解决上述问题，在基质上至少具有记录层和能够记录与复制信息的信息记录介质含有氧化物A－O或A－O－M(A是至少含有Te，Sb，Ge，Sn，In，Zn，Mo和W中任意一种的材料，而M是至少含有金属元素、半金属元素和半导体金属元素中任意一种的材料)，在生产该层的过程中使用的溅射靶子至少含有A－O和，A和/或M。使用该方法，甚至可在大规模生产线上生产出具有高重现性和稳定性的记录层。
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