公开(公告)号：CN103579036A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310300303.0

申请日：2013-07-17

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 岸智弥 ,  后藤裕史 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L21/66 ,  G01N22/00

CPC classification number: H01L22/12 ,  G01N22/00 ,  H01L22/24

Abstract: 能简单地评价靶组装体的品质的薄膜晶体管的半导体层用薄膜的形成所使用的靶组装体的品质评价方法。该评价方法包括：第一工序，准备靶组装体，该靶组装体通过在背板上借助结合材料空出间隙地配置多个氧化物靶构件而构成；第二工序，对靶组装体进行溅射而形成薄膜；第三工序，对薄膜的包含与靶组装体的间隙相对应的接缝部分的区域照射激励光及微波，在测定到根据激励光的照射而变化的微波的来自接缝部分的反射波的最大值之后，停止激励光的照射，对停止激励光的照射后的微波的来自接缝部分的反射波的反射率的变化进行测定，算出直到反射率成为1/e的时间作为薄膜的接缝部分的寿命值τ1；第四工序，基于接缝部分的寿命值τ1对靶组装体的品质进行评价。

公开(公告)号：CN103460351A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201280015108.7

申请日：2012-03-13

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 富久胜文 ,  三木绫 ,  后藤裕史 ,  中井淳一

IPC: H01L21/3205 ,  C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  C22C9/02 ,  C22C9/05 ,  C22C9/06 ,  C23C14/14 ,  G02F1/1343 ,  G09F9/30 ,  H01B5/02 ,  H01L21/28 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/124 ,  C22C9/00 ,  C22C9/05 ,  C23C14/165 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/136295 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/32051

Abstract: 本发明提供一种与基板和/或绝缘膜具有高密接性，并且，热处理后仍具有低电阻率的新的Cu合金膜。本发明涉及在基板上，与基板和/或绝缘膜直接接触，从基板侧按顺序由第一层和第二层构成的Cu合金膜，第一层含有元素X（Ag、Au、C、W、Ca、Mg、Al、Sn、B和/或Ni）的Cu－Mn－X合金层（第一层），第二层是由纯Cu或以Cu为主成分且电阻率比所述第一层低的Cu合金构成的层（第二层）。

公开(公告)号：CN101919060B

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN200980101632.4

申请日：2009-01-15

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 越智元隆 ,  川上信之 ,  富久胜文 ,  后藤裕史

IPC: H01L29/786 ,  C22C21/00 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/458

Abstract: 本发明提供不会发生源电极与漏电极的干蚀刻率降低或蚀刻残留的情况下，可在半导体层与作为源电极或漏电极的布线金属之间省略屏障金属的薄膜晶体管基板及显示设备。本发明是具有半导体层(1)、源电极(2)、漏电极(3)及透明导电膜(4)的薄膜晶体管基板，其中，源电极(2)及漏电极(3)由Al合金薄膜形成，所述Al合金薄膜通过利用干蚀刻法的图案化来形成，且含有0.1～1.5原子％的Si和/或Ge、0.1～3.0原子％的Ni和/或Co以及0.1～0.5原子％的La和/或Nd。

公开(公告)号：CN101083269B

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN200710103204.8

申请日：2007-05-10

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 川上信之 ,  后藤裕史 ,  日野绫

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/43 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1343

CPC classification number: H01L29/458 ,  H01L29/78609

Abstract: 提供一种可以省略在薄膜晶体管的半导体层和源电极及漏电极之间形成壁垒金属(无需在薄膜晶体管的半导体层和源电极及漏电极之间形成壁垒金属)的薄膜晶体管基板及显示器件。(1)一种薄膜晶体管基板，具有：薄膜晶体管的半导体层；源电极、漏电极；以及透明导电膜，其中，具有所述源电极及漏电极与所述薄膜晶体管的半导体层直接连接的构造，并且所述源电极及漏电极由含有0.1～6.0原子％的Ni、0.1～1.0原子％的La、0.1～1.5原子％的Si的Al合金薄膜构成，(2)一种设有所述薄膜晶体管基板的显示器件等。

公开(公告)号：CN102169905A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201110036949.3

申请日：2011-02-10

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 森田晋也 ,  后藤裕史 ,  三木绫 ,  富久胜文 ,  寺尾泰昭

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/45 ,  C22C9/05 ,  C22C9/04 ,  C22C9/00

Abstract: 本发明提供即使Cu系合金布线膜和半导体层直接接触，接触电阻率也低并且密接性优异的薄膜晶体管基板。该薄膜晶体管基板，具有薄膜晶体管的半导体层和Cu合金层，其中，在所述半导体层和所述Cu合金层之间包括含氧层，构成所述含氧层的氧的一部分或全部与所述薄膜晶体管的所述半导体层的Si结合，所述Cu合金层作为合金元素含有合计为2原子％以上20原子％以下的X(X是从Mn、Ni、Zn和Mg中选出的至少一种)，所述Cu合金层经所述含氧层与所述薄膜晶体管的所述半导体层连接。

公开(公告)号：CN101542696B

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200780044289.5

申请日：2007-11-27

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  富久胜文 ,  日野绫 ,  奥野博行 ,  中井淳一 ,  川上信之 ,  越智元隆

IPC: H01L21/3205 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  H01L21/285 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L23/53219 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供显示装置用Al合金膜、使用该Al合金膜的显示装置及显示装置用的溅射靶材，所述显示装置用Al合金膜在基板上与导电性氧化膜直接连接，Al合金膜含有Ge0.05～0.5原子％，含有Gd及/或La合计为0.05～0.45原子％。本发明的Al合金膜未设置阻挡金属，即使导电性氧化膜和Al合金膜直接连接，导电性氧化膜和Al合金膜之间的粘接性也很高、接触电阻率低，优选干法刻蚀性能优异。

公开(公告)号：CN100561319C

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200510081886.8

申请日：2005-07-06

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  钉宫敏洋 ,  富久胜文 ,  中井淳一

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/133

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F1/1368

Abstract: 显示器及其制备方法。该显示器包括基材、在所述基材上形成的薄膜晶体管和透明导电膜以及使所述薄膜晶体管和所述透明导电膜电连接的铝合金膜，以使在所述铝合金膜和所述透明导电膜之间界面处存在所述铝合金的氧化物膜，而所述氧化物膜具有1～10nm的厚度并含有不超过44原子%的氧。该显示器具有彼此直接接触的铝合金膜和透明导电膜，避免了在它们之间需要阻挡层金属。

公开(公告)号：CN101335294A

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200810128672.5

申请日：2008-06-23

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 越智元隆 ,  后藤裕史 ,  奥野博行 ,  武富雄一

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/786 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L29/458

Abstract: 提供一种即使减少Al合金中的合金元素，仍能够降低与透明氧化物导电膜的接触阻抗的低接触阻抗型电极，和用于制造这种电极的有用的方法，以及具有这种电极的显示装置。本发明的低接触阻抗型电极，在与氧化物透明导电膜直接接触的由Al合金膜构成的低接触阻抗型电极中，所述Al合金膜以0.1～1.0原子％的比例含有比Al离子化倾向小的金属元素，且Al合金膜与氧化物透明电极直接接触的Al合金膜表面，形成有以最大的高粗糙度Rz计为5nm以上的凹凸。

公开(公告)号：CN101335203A

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200810108560.3

申请日：2008-05-27

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  越智元隆 ,  武富雄一 ,  川上信之

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/84 ,  H01L23/532 ,  H01L29/43 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1343 ,  H01B13/00 ,  H01B5/14

CPC classification number: G02F1/136286 ,  B32B2457/20 ,  C22C21/00 ,  G02F2001/136295

Abstract: 本发明提供一种层叠构造及其制造方法，其不增加氧化物透明导电膜和Al合金膜之间的接触电阻且直接连接氧化物透明导电膜和Al合金、布线电阻小，在显影液等电解质液中不易发生电池作用腐蚀。其中制造层叠构造的方法具备有：在基板上形成所述氧化物透明导电膜的第一工序、在该氧化物透明导电膜上形成含有离子化倾向比铝小的合金成分的Al合金膜的第二工序、在由铝和所述合金成分构成的金属间化合物的析出温度以上，对所述Al合金膜进行加热的第三工序。

公开(公告)号：CN101330102A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810108563.7

申请日：2008-05-27

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 日野绫 ,  后藤裕史

IPC: H01L29/43 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908

Abstract: 提供一种技术，即使省略势垒金属层，也能够发挥优异的TFT特性，并能够将源－漏配线直接且确实地连接在TFT的半导体层上。在具有薄膜晶体管的半导体层(33)和源－漏电极(28、29)的薄膜晶体管基板中，源－漏电极(28、29)由含有氧的含氧层(28a、29a)、和纯Cu或Cu合金的薄膜(28b、29b)构成。构成含氧层的氧的一部分或全部与薄膜晶体管的半导体层(33)的Si结合。另外，纯Cu或Cu合金的薄膜(28a、29a)经由含氧层(28a、29a)与薄膜晶体管的半导体层(33)连接。