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公开(公告)号：CN107611187A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710795754.4
申请日：2017-09-06
Applicant: 蚌埠玻璃工业设计研究院
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0224 , H01B5/14
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开一种绒面多层膜透明导电玻璃，包括玻璃基底，玻璃基底顶面由下至上依次设有下ZnO基薄膜与上ZnO基薄膜，上ZnO基薄膜表面设有一组离散分布的球坑，使上ZnO基薄膜表面呈凹凸的织构化结构；上ZnO基薄膜的厚度小于球坑的直径；通过离散分布的球坑，在上ZnO基薄膜表面形成凹凸的织构化结构，从而得到高透过率、低电阻率的多层膜透明导电玻璃；制作时，可以先在下ZnO基薄膜表面制备单层离散的聚苯乙烯小球层，然后利用聚苯乙烯小球层作为掩膜，溅射生长上ZnO基薄膜，之后去除聚苯乙烯小球，即在上ZnO基薄膜表面形成凹凸的织构化结构；由于聚苯乙烯小球层的直径与浓度可控，因而使得上ZnO基薄膜表面的微结构可控，调节ZnO基薄膜的雾度。
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公开(公告)号：CN107546341A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710796080.X
申请日：2017-09-06
Applicant: 蚌埠玻璃工业设计研究院
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开一种柔性多层透明导电氧化物薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、清洗柔性基底；S2、通过磁控溅射在柔性基底表面沉积下SiO2膜层，下SiO2膜层厚度为15～60nm；S3、采用电子束蒸发技术在下SiO2膜层表面蒸发Ag膜层，Ag膜层厚度6～20nm；S4、在真空腔内对Ag膜层进行Ar等离子辐照；S5、通过磁控溅射在Ag膜层表面沉积上SiO2膜层，得到所述透明导电氧化物薄膜，上SiO2膜层厚度为15～60nm；本发明得到的透明导电SiO2/Ag/SiO2的复合薄膜，具有更好的透过率和导电性能；对Ag膜层采用等离子体辐照，使Ag膜层成膜质量更好，整个复合膜系具有更好的透过率和导电性；SiO2膜层与Ag膜层之间浸润性良好，不需要金属过渡层，且成本低廉，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN107527959A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201611188632.0
申请日：2016-12-21
Applicant: 蚌埠玻璃工业设计研究院 , 中国建材国际工程集团有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0445
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/022425 , H01L31/022483 , H01L31/0445
Abstract: 本发明公开一种多层自带绒面的AZO薄膜，包括依次叠加的底层AZO薄膜、中间层AZO薄膜与顶层AZO薄膜，各层AZO薄膜的晶粒尺寸由下至上依次增加，每层AZO薄膜的表面均呈凹凸结构，各层AZO薄膜的表面粗糙度由下至上依次增加；将不同晶粒尺寸的AZO薄膜叠加，且由下至上晶粒尺寸逐渐变大，每一层AZO薄膜表面都带有凹凸结构，从而得到多层绒面结构的AZO薄膜，使得太阳光在入射以后，形成对光的折射和散射，把入射到薄膜中的光分散到各个角度，从而提高入射光在电池中的光程，增加光的吸收，增大电子空穴的形成几率。
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公开(公告)号：CN106784089A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611188428.9
申请日：2016-12-21
Applicant: 蚌埠玻璃工业设计研究院 , 中国建材国际工程集团有限公司
IPC: H01L31/048 , H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/048 , H01L31/0236
Abstract: 本发明公开一种自陷光ZnO基透明导电玻璃的制备方法，包括以下步骤：S1、采用磁控溅射工艺，在玻璃衬底表面溅射生长下ZnO基薄膜；S2、采用液相法，在下ZnO基薄膜表面制备单层离散分布的SiO2小球模板层；S3、采用磁控溅射工艺，在SiO2小球模板层上溅射生长上ZnO基薄膜，上ZnO基薄膜的厚度小于SiO2小球的直径，得到表面形貌呈凹凸织构化结构的自陷光ZnO基透明导电玻璃；结合磁控溅射与液相法镀膜的固有优点，在制备时，SiO2小球表面微结构可根据需要进行调整，使得上ZnO基薄膜的表面微结构容易控制，形成均匀性优良的表面微结构，实现高透过率、低电阻，制备工艺简单，降低成本，利于推广应用。
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公开(公告)号：CN106756846A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611188594.9
申请日：2016-12-21
Applicant: 蚌埠玻璃工业设计研究院 , 中国建材国际工程集团有限公司
CPC classification number: C23C14/352 , C23C14/0605
Abstract: 本发明公开了一种共掺杂DLC薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：（1）将分别经过丙酮、酒精、去离子水等严格清洗的玻璃衬底置于载物台上，载物台正对钨W、石墨C两靶材的焦点处。（2）W、C两靶材都分别成45°倾斜，都对准衬底。（3）氩离子轰击靶材，达到去除靶材表面杂质和活化靶材的作用。（4）通入氩气，使两靶材同时起辉，通过分别改变每个靶材的参数，达到制备高性能的W掺杂类金刚石薄膜。本发明通过改变每个靶材的工艺参数，可以根据实际需要制备不同掺杂量和不同性能的W掺杂DLC薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106582764A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611188587.9
申请日：2016-12-21
Applicant: 蚌埠玻璃工业设计研究院 , 中国建材国际工程集团有限公司
CPC classification number: B01J27/24 , B01J35/004 , B01J35/1004 , B01J37/34
Abstract: 一种增大比表面积的氮掺杂二氧化钛薄膜的制备方法，包括如下步骤：（1）采用氢氟酸和TMAH混合后的复合溶液对玻璃基片进行喷淋（2）清洗玻璃基片，后用高压N2吹干；（3）采用磁控溅射技术在所述玻璃基片表面微结构上沉积氮掺杂二氧化钛薄膜，从而得到具有更大比表面积的氮掺杂二氧化钛薄膜。本发明采用氢氟酸和TMAH混合后的复合溶液对玻璃基片表面进行喷淋处理，获得微结构的玻璃基片，然后在玻璃基片上以磁控溅射技术沉积氮掺杂二氧化钛薄膜，从而得到具有更大比表面积的薄膜，提高了薄膜光催化的效率。
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公开(公告)号：CN105546857A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510876489.3
申请日：2015-12-03
Applicant: 凯盛光伏材料有限公司 , 蚌埠玻璃工业设计研究院
CPC classification number: Y02E10/40 , C23C14/0036 , C23C14/022 , C23C14/0641 , C23C14/0676 , C23C14/10 , C23C14/35 , F24S70/20
Abstract: 本发明公开一种太阳能选择性吸收膜系及其制备方法，包括金属基底，所述金属基底的顶面呈凹凸不平的微结构，金属基底的顶面沉积有TiAlN吸收阻隔层，TiAlN吸收阻隔层上沉积有TiNxOy吸收层，TiNxOy吸收层上沉积有SiO2减反层，SiO2减反层上沉积有AlN减反保护层；采用反应离子束技术对金属基底的顶面进行刻蚀形成微结构，增大了金属基底与膜层之间的附着力，使膜层不易脱落，延长膜系的使用寿命；利用磁控溅射沉积各膜层，TiAlN吸收阻隔层能够阻止金属基底和TiNxOy吸收层之间的扩散，增大整个膜系对太阳光的吸收；利用折射率不同的AlN和SiO2组成的双层减反膜系能够提升减反效果；AlN减反保护层具有优良的耐蚀耐磨性能，在高温大气环境下，膜层寿命持久，提高使用寿命。
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公开(公告)号：CN104120398A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201410391818.0
申请日：2014-08-11
Applicant: 中国建材国际工程集团有限公司 , 蚌埠玻璃工业设计研究院
Abstract: 一种消影玻璃中折射率匹配层的连续沉积方法，包括(a)使用第一工作气体对靶材进行溅射，以使得所述靶材材料的原子沉积在基片上；并且(b)使用第二工作气体对所述靶材进行溅射，以使得所述靶材材料的原子沉积在所述基片上。本发明采用磁控溅射法在不换靶的情况下，仅通过改变通入的气体就可以实现折射率匹配层的制备，结构简单，制备方便，成本低，可以有效消除刻蚀阴影，有利于企业大规模生产。
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公开(公告)号：CN103132038A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201310060505.2
申请日：2013-02-27
Applicant: 蚌埠玻璃工业设计研究院 , 中国建材国际工程集团有限公司
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明涉及一种消除阴极背面辉光放电装置，包括阴极背板（1），其特征在于：在阴极背板（1）上设有绝缘板（2）。本发明的优点：本发明提供的装置不仅可以解决平面阴极全部放置在腔体内，不会发生背板辉光放电的问题，而且可以应用到旋转阴极中，解决相同的问题。
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公开(公告)号：CN210607285U
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201921979984.7
申请日：2019-11-16
Applicant: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
IPC: H01L31/0392 , H01L31/0236 , H01L31/0224 , H01L31/0216
Abstract: 本实用新型公开一种高吸收率的碲化镉薄膜太阳能电池，包括柔性基底，柔性基底顶面由下至上依次层叠有前电极、缓冲层、吸收层、背接触层与保护层，吸收层为CdTe薄膜；前电极包含由下至上依次层叠的下阻隔层、透明导电层与上阻隔层；透明导电层的顶面呈凹凸的绒面结构；下阻隔层的厚度为20～80nm、透明导电层的厚度为600～1000nm、上阻隔层的厚度为15～60nm；缓冲层的厚度为40～120nm；吸收层的厚度为1500～2500nm；背接触层的厚度为5～30nm；保护层的厚度为10～40nm；该薄膜太阳能电池能够提高对太阳能的吸收率，增强薄膜太阳能电池的整体性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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