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公开(公告)号：CN112635594A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011506539.6
申请日：2020-12-18
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0328 , H01L31/032 , H01L31/0296 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于极性J‑TMDs/β‑Ga2O3异质结的高速光电子器件及其制备方法，主要解决现有β‑Ga2O3基光电子器件响应速度慢的问题。其包括衬底(1)、β‑Ga2O3光吸收层(2)和金属源漏电极(4,5)，衬底采用SiO2/Si衬底，且SiO2作为栅介质材料，Si作为底部的栅电极；β‑Ga2O3光吸收层的上部设有极性J‑TMDs层，用于与该光吸收层构成异质结，以抑制激子复合，使得电荷在异质结界面处快速转移；金属源电极位于β‑Ga2O3层上的一端，金属漏电极位于极性J‑TMDs层上与金属源电极相对的一端。本发明提升了界面处的传输性能，提高了器件的响应速度，可用于制备高性能的光电探测器。
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公开(公告)号：CN112563124A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011452269.5
申请日：2020-12-10
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/033 , H01L21/3213
Abstract: 本发明公开了一种大面积超薄镂空硬掩模的制备方法，主要解决现有技术制备的镂空硬掩模厚度大，面积小的问题。其实现方案是：1)选用双抛硅基片，并进行清洗；2)在双抛硅基片正反两面上生长一层致密氮化硅薄膜；3)在长有致密氮化硅薄膜的基片正面及背面分别进行光刻，在正面的光刻胶上形成与电极图案互补的光刻胶图案，在背面形成对应的窗口图案；4)在表面图案化的基片正面及背面利用干法刻蚀工艺将3)制作的电极图案和窗口图案转移至氮化硅薄膜上；5)将经过4)处理的基片进行湿法刻蚀，并清洗及干燥，除去胶及残留物，获得镂空硬掩模。本发明具有大面积、无形变及可重复利用的优点且生产成本低、效率高，可用于半导体器件的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111933519A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010882872.0
申请日：2020-08-28
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种非层状二维氧化镓薄膜的制备方法，主要解决现有技术中低维氧化镓薄膜制备困难、性能低下的问题。其实现方案是：1)选用Si/SiO2作为衬底并进行清洗和吹干的预处理；2)选取不同表面积的二维层状材料GaSe或GaS晶体材料并进行表面氧化，制备原子级别厚度的二维β-Ga2O3薄膜；3)选用转印聚合物聚二甲基硅氧烷PDMS或聚甲基丙烯酸甲酯PMMA，将其旋涂到β-Ga2O3表面，用于将二维β-Ga2O3从二维层状材料底物上机械剥离后，再转移到Si/SiO2衬底上。本发明制备的二维β-Ga2O3薄膜原厚度薄面积大，改善了β-Ga2O3材料性质，可用于制备高性能氧化镓电子器件。
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公开(公告)号：CN111081808A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911170523.X
申请日：2019-11-26
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于MoS2/Ga2O3异质结的光电探测器、制备方法及应用，属于光电器件技术领域，包括从下到上依次层叠设置的衬底、Ga2O3层和MoS2层，MoS2层的两端对称设置有金属电极层，且金属电极层的底端均位于所述Ga2O3层上；Ga2O3层与MoS2层组成异质结；本发明采用二维材料MoS2/Ga2O3的异质结结构，降低二维材料光电探测器的暗电流，提升其在弱光下的光探测，实现光电探测器对紫外-可见-近红外波段全谱光探测。
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公开(公告)号：CN110473906A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910802269.4
申请日：2019-08-28
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种氧化镓基场效应晶体管，属于半导体电子技术领域，包括衬底，所述衬底上部设有绝缘层，所述绝缘层上部设有氧化镓沟道层，所述氧化镓沟道层上部两端分别设有二维层状材料界面修饰层，两端的所述二维层状材料界面修饰层上部分别设有源漏区电极，所述氧化镓沟道层上部在两个所述源漏区电极之间设有介质层，所述介质层上部设有栅电极；本发明设有二维层状材料界面修饰层，克服了现有技术的金属直接与氧化镓沟道层接触使得接触特性受表面氧悬挂键影响且接触电阻较大的问题，使得本发明的氧化镓基场效应晶体管具有较低的电极接触电阻，较高的载流子注入效率。
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公开(公告)号：CN109326678A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201811181410.5
申请日：2018-10-11
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种柔性二硫化钼光电晶体管及其制备方法，主要解决现有柔性晶体管制作工艺难度较高及性能较差的问题。该晶体管结构自下而上包括栅极(1)，介电层(2)，半导体层(3)；该半导体层(3)的两端设有分别与介电层(2)连接的源电极(4)和漏电极(5)，该栅极(1)采用表面蒸有ITO透明电极层的柔性透明材料聚萘二甲酸乙二醇酯PEN，该半导体层(3)掺杂有5％-15％的氢氧化钾水溶液。本发明通过运用衬底转移技术将器件从硅衬底上转移到PEN衬底上，并且在衬底转移过程中对二硫化钼材料进行掺杂以降低其接触电阻，简化了制作工艺，降低了成本，提高了器件的性能和柔性，可用于电子、通信和医疗设备。
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公开(公告)号：CN210325807U
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201921416886.2
申请日：2019-08-28
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种氧化镓基场效应晶体管，属于半导体电子技术领域，包括衬底，所述衬底上部设有绝缘层，所述绝缘层上部设有氧化镓沟道层，所述氧化镓沟道层上部两端分别设有二维层状材料界面修饰层，两端的所述二维层状材料界面修饰层上部分别设有源漏区电极，所述氧化镓沟道层上部在两个所述源漏区电极之间设有介质层，所述介质层上部设有栅电极；本实用新型设有二维层状材料界面修饰层，克服了现有技术的金属直接与氧化镓沟道层接触使得接触特性受表面氧悬挂键影响且接触电阻较大的问题，使得氧化镓基场效应晶体管具有较低的电极接触电阻，较高的载流子注入效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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