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公开(公告)号：CN1573993A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410048920.7
申请日：2004-06-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/2433 , G11B7/2534 , G11B7/258 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432
Abstract: 本发明的光学信息记录介质中包含的记录层14，含有低氧化物Te－O－M(M是从金属元素、半金属元素以及半导体元素之中选择的至少一种元素)或低氧化物A－O(A是从Sb、Sn、In、Zn、Mo以及W之中选择的至少一种元素)与材料X(X是从氟化物、碳化物、氮化物以及氧化物之中选择的至少一种化合物)的混合物。其中所谓低氧化物，是指氧元素的组成比处于比按化学计量组成的氧元素的组成比小的范围内的氧化物。
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公开(公告)号：CN1169135C
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN01111350.2
申请日：2001-03-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/266 , G11B7/00454 , G11B7/00557 , G11B7/243 , G11B7/26 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/24322 , Y10T428/21
Abstract: 提供一种信息记录媒体及其制造方法，可以实现高密度记录，重复改写性能好，结晶化灵敏度随时间下降小。根据本发明的一种信息记录媒体，具有在基板和基板的上方配置的记录层，其特征在于：上述记录层的构成元素包含从Ag、Al、Cr、Mn和N中选出的至少1种元素M以及Ge、Sb、Te、Sn，而且，通过照射能量束，在结晶相和非结晶相之间以可逆方式引起相变态；上述记录层由组成式[(Ge，Sn)ASb2Te3+A]100-BMB表示的材料形成，这里，0＜A≤10、0＜b≤20。
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公开(公告)号：CN1168080C
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN97190519.3
申请日：1997-03-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/257 , G11B7/00454 , G11B7/00557 , G11B7/006 , G11B7/0062 , G11B7/00718 , G11B7/24 , G11B7/243 , G11B7/26 , G11B7/266 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715
Abstract: 一种相变记录媒体，为设有以Ge-N、Ge-N-O为代表的阻挡层的记录媒体，以防止记录层和电介质保护层之间发生层间化学反应和原子扩展。阻挡材料也可以用于保护层其本身。由此可以明显抑制现有相变型光学信息记录媒体中观察到的重复记录擦除所造成的反射率下降和信号振幅的下降，可使重写次数增加。
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公开(公告)号：CN1445767A
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN03107320.4
申请日：2003-03-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/24038 , G11B7/2534 , G11B7/2542 , G11B7/257 , G11B7/258 , G11B7/2585 , G11B7/259 , G11B7/266 , G11B2007/25706 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 本发明的光学信息记录介质，其特征为，至少含有一个信息层，该信息层从激光入射侧按顺序包括：含有从Zr和Hf中选择的至少1种元素(M1)、Cr和O的第1电介质膜；设在前述第1电介质膜上、通过激光的照射光学特性可逆地变化的记录膜；设在前述记录膜上、含有从Zr和Hf中选择的至少1种元素(M1)、Cr和O的第2电介质膜，前述第1电介质膜的Cr原子浓度至少为6at％以上，前述第2电介质膜的Cr原子浓度至少为9at％以上，并且，前述第2电介质膜的Cr原子浓度比前述第1电介质膜的Cr原子浓度大。
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公开(公告)号：CN1350489A
公开(公告)日：2002-05-22
申请号：CN00807627.8
申请日：2000-03-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B13/00 , G03G5/02 , G11B7/243 , G11B7/2433 , G11B7/2585 , G11B7/26 , G11B7/266 , G11B9/00 , G11B9/04 , G11B9/08 , G11B11/00 , G11B11/08 , G11B11/12 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/24322 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11C13/0004 , G11C13/04 , G11C2029/0403 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1683 , Y10T428/21
Abstract: 一种信息记录媒体,在基板上设有记录材料层,利用电能或电磁波能在进行电学或光学可检测的状态间可以产生可逆的相转移,形成所述记录层的记录材料是一种结构为在所述可逆性相变化的一个相中,含有晶格缺陷的结晶结构的材料,或者是一种在所述可逆相变化的一个相中形成含有晶格缺陷的结晶部分和非结晶部分构成的复合相,所述结晶部分和非结晶部分含有共同的元素的材料,而且做成由所述晶格缺陷的至少一部分构成的所述结晶构造的元素以外的元素镶嵌的信息记录媒体,由此提供的记录媒体设有的记录薄膜记录再生的反复产生的记录特性以及再生特性的变动小,耐候性好,抗组成变动强,而且特性容易控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1347082A
公开(公告)日：2002-05-01
申请号：CN01135703.7
申请日：2001-08-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/253 , G11B7/0045 , G11B7/126 , G11B7/1263 , G11B7/24 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/26 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , Y10T428/21 , Y10T428/24942
Abstract: 提供具有两层记录层而且记录、消除性能好的信息记录介质,及其制造方法和其记录再生方法。配置第1信息层11和第2信息层20,第1信息层11包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第1记录层4,第2信息层20包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第2记录层14。而且,第1记录层4由第1材料组成,第2记录层14由第2材料组成,且两种材料不同。
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公开(公告)号：CN1245330A
公开(公告)日：2000-02-23
申请号：CN99111652.6
申请日：1999-08-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/126 , G11B7/00454 , G11B7/005 , G11B7/006 , G11B7/00718 , G11B7/24 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/256 , G11B7/2578 , G11B7/2585 , G11B7/259 , G11B7/2595 , G11B7/26 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/24322 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25716 , G11B2007/25718 , Y10S428/913 , Y10S430/146 , Y10T428/21 , Y10T428/31678
Abstract: 提供一种能抑制交叉擦除、即使在高密度、高线速度的过量写入中也能使擦除率高、而且跳动小的信息记录再生的光学信息记录媒体。在透明基板1上依次重叠下侧保护层2、记录层3、上侧保护层4、中间层5、反射层6,构成媒体,导热系数按照反射层、中间层、上侧保护层的顺序依次增大,而且使记录层的厚度为4～16nm。设光吸收层的折射率为n1、消光系数为k1,光吸收层的厚度d1在0.1λ/(n1·k1)≤d1≤1.0λ/(n1·k1)的范围内。
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公开(公告)号：CN1200700A
公开(公告)日：1998-12-02
申请号：CN97191225.4
申请日：1997-09-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/24 , G11B7/26 , G11B2007/24306 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432
Abstract: 提供一种光学信息记录媒体,该媒体在透明基板上备有至少含有Te、O及M原子(其中,M是从金属元素、半金属元素及半导体元素中选择的至少一种原子)的信息层、通过将上述信息层中的O原子的含有比例定为40atom%以上、60atom%以下,M原子的含有比例定为2atom%以上、25atom%以下,Te原子的含有比例定为15atom%以上、58atom%以下,在记录位长b对光点直径d的比b/d小的信息的记录、再生时,能以较宽的功率容限获得C/N比高、起伏小的良好的记录特性。
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公开(公告)号：CN86107003A
公开(公告)日：1987-08-19
申请号：CN86107003
申请日：1986-09-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/00454 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/257 , G11B7/266 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , Y10S430/146
Abstract: 用激光对情报进行记录、重放、抹除及改写的相变化型的可逆光学情报记录介质，是在玻璃、树脂等表面平滑的基片上涂复Ge、Te、Sb(或Bi)三元素、或将Te的一部分置换成Se的四元素记录薄膜。该介质在其结晶时有以多个Te或Se构成化学量组成的化合物为主的结晶相，且各成分间存在化学量组成的稳定化合物相，从而提高了结晶速度及延长了反复记录/抹除的寿命，提高Se粘性可易于结晶化。如Te置换量适当，可得到记录/抹除兼优膜的组成。
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公开(公告)号：CN101317224B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN200680044259.X
申请日：2006-11-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/2578
CPC classification number: G11B7/2578 , G11B2007/25706 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 提供一种高密度记录中的信号质量良好且保存可靠性高的光学信息记录介质及其记录再生方法和记录再生装置。为此，本发明的光学信息记录介质，在透明基板上具备依次包括记录层和电介质层的至少一个信息层，所述电介质层包含从50分子％以上98分子％以下的Zn-O和2分子％以上50分子％以下的Y-O、Ce-O、Nb-O、Ta-O、Cr-O和Mo-O中选出的一种或者多种化合物。
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