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公开(公告)号：CN101960595B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201080001161.2
申请日：2010-02-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L45/146 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 在非易失性存储元件(100)中，电阻变化层(107)包含第一金属氧化物MOx和第二金属氧化物MOy，以公式13来表示化学反应式且与所述第一金属氧化物、所述第二金属氧化物、氧离子以及电子相关的化学反应的反应能量在2eV以下，所述MOx以及所述MOy的组(MOx，MOy)是从由(Cr2O3，CrO3)、(Co3O4，Co2O3)、(Mn3O4，Mn2O3)、(VO2，V2O5)、(Ce2O3，CeO2)、(W3O8，WO3)、(Cu2O，CuO)、(SnO，SnO2)、(NbO2，Nb2O5)、以及(Ti2O3，TiO2)而成的群中选择的一组。(公式13)
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公开(公告)号：CN101978496B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN200980100360.6
申请日：2009-07-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/71 , G11C2213/79 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 本发明提供非易失性存储元件和其制造方法、以及使用该非易失性存储元件的非易失性半导体装置。该非易失性存储元件包括：第一电极(103)；第二电极(108)；和介于第一电极(103)与第二电极(107)之间，电阻值根据施加于两电极(103)、(108)间的电信号可逆地变化的电阻变化层(107)，该电阻变化层(107)至少具有叠层有第一含铪层和第二含铪层的叠层构造，该第一含铪层具有以HfOx(其中，0.9≤x≤1.6)表示的组成，该第二含铪层具有以HfOy(其中，1.8＜y＜2.0)表示的组成。
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公开(公告)号：CN101836296B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN200980100763.0
申请日：2009-08-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L45/147 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 电阻变化型非易失性存储装置包括半导体基板(301)；电阻变化元件(309)，由下部电极(309a)、上部电极(309c)以及电阻变化层(309b)构成，在所述电阻变化层中通过施加到两极之间的极性不同的电压信号，电阻值可逆地变化；以及N型MOS晶体管(317)，构成于半导体基板(301)的主面；电阻变化层(309b)具有与下部电极(309a)相接的组成为MOx的缺氧型的过渡金属的氧化物层(309b-1)、与上部电极(309c)相接的组成为MOy的缺氧型的过渡金属的氧化物层(309b-2)，其中x＜y；将在使电阻变化层(309b)成为高电阻的电压信号被施加时成为晶体管(317)的漏极的N型扩散层区域(302b)与下部电极(309a)连接来构成存储器单元(300)。
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公开(公告)号：CN101501852B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200780029756.7
申请日：2007-11-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/10
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/1021 , H01L27/2409 , H01L27/2418 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1683
Abstract: 本发明呈如下结构：在衬底(12)上形成有由金属氧化物材料构成的可变电阻膜(14)被下部电极(13)和上部电极(15)夹着的电阻变化元件(16)；和与该电阻变化元件(16)连接、阻挡层(18)被下部的第一电极层(17)和上部的第二电极层(19)夹着的整流元件(20)。并且，构成为电阻变化元件(16)和整流元件(20)在可变电阻膜(14)的厚度方向上串联连接，阻挡层(18)是具有氢阻隔性的阻隔层。
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公开(公告)号：CN102017145B
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN200980114976.9
申请日：2009-12-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/56 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 提供以低的击穿电压来能够进行稳定的电阻变化工作的非易失性存储元件。非易失性存储元件(100)包括第一电极(103)、第二电极(105)、以及电阻变化层(104)，电阻变化层(104)介于两个电极(103以及105)之间，根据提供到两个电极(103以及105)之间的电压的极性，在高电阻状态与低电阻状态之间进行可逆转移。电阻变化层(104)由包含第一过渡金属的氧化物的第一氧化物层(104a)和包含与第一过渡金属不同的第二过渡金属的氧化物的第二氧化物层(104b)层叠而构成。第二过渡金属的标准电极电位比第一过渡金属的标准电极电位小，而且，满足以下的(1)以及(2)之中的至少一方，(1)第二氧化物层(104b)的介电常数比所述第一氧化物层(104a)的介电常数大，以及(2)第二氧化物层(104b)的带隙比第一氧化物层(104a)的带隙小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101981695B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200980111679.9
申请日：2009-07-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1641
Abstract: 本发明提供一种电阻变化元件及其制造方法，该电阻变化元件的特征在于，包括：第一电极(103)；第二电极(107)；以及，设置成介于第一电极(103)和第二电极(107)之间，并与第一电极(103)和第二电极(107)相接，能够基于施加在第一电极(103)和第二电极(107)之间的极性不同的电信号产生可逆变化的电阻变化层，其中，电阻变化层由氧不足型过渡金属氧化物层构成，第二电极(107)由具有微小突起(108)的铂构成。
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公开(公告)号：CN101496173A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200780028452.9
申请日：2007-07-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C2213/56 , G11C2213/71 , G11C2213/77 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供一种非易失性半导体存储装置及其制造方法。非易失性存储装置(25)包括：半导体基板(11)；在半导体基板(11)上形成的下层配线(12)；在下层配线(12)的上方以与该下层配线(12)交叉的方式形成的上层配线(20)；在下层配线(12)和上层配线(20)之间设置的层间绝缘膜(13)；和被埋入形成于层间绝缘膜(13)的接触孔(14)中，与下层配线(12)和上层配线(20)电连接的电阻变化层(15)；上层配线(20)具备至少两层：由具有氢阻挡性的导电性材料构成的最下层(21)、和比该最下层比电阻小的导电体层(22)。
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公开(公告)号：CN101395717A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200780007386.7
申请日：2007-02-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/146 , H01L45/1683 , Y10T29/49099
Abstract: 本发明提供电阻变化型元件、半导体装置和其制造方法。电阻变化型元件的制造方法包括：在设置于基板上的层间绝缘层(104)中且底部具有下部电极(103)的接触孔(105)中，以接触孔(105)中的上表面位于层间绝缘层(104)的上表面的下方的方式堆积电阻变化材料(106)的工序；在堆积的电阻变化材料(106)之上，以接触孔(105)中的上表面位于层间绝缘层(104)的上表面的上方的方式堆积上部电极材料的工序；和通过CMP对具有叠层的电阻变化材料(106)和上部电极材料的电阻变化型元件进行元件分离的工序。
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公开(公告)号：CN100405612C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN03808462.7
申请日：2003-04-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 高木刚
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/49 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/4983 , H01L21/2807 , H01L21/28105 , H01L21/28114 , H01L21/28247 , H01L21/32105 , H01L21/823807 , H01L21/823842 , H01L21/82385 , H01L21/823864 , H01L29/1054 , H01L29/7836 , H01L29/802
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置的制造方法，其包括：在半导体基板10上隔着栅极绝缘膜11形成下部栅电极膜的工序；在下部栅电极膜上形成由比下部栅电极膜氧化速度慢的材料构成的上部栅电极膜的工序；对上部栅电极膜及下部栅电极膜进行图案化处理、形成具有下部栅电极12a及上部栅电极12b的栅电极12的工序；向半导体基板10中导入杂质、形成源-漏极区域15的工序；对下部栅电极12a及上部栅电极12b的侧面进行氧化、形成下部栅电极12a侧方的栅极长方向的厚度比上部栅电极12b的侧方的栅极长方向的厚度大的氧化膜侧壁13的工序。
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公开(公告)号：CN1989610A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200580025371.4
申请日：2005-07-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/8238 , H03B5/12 , H01L27/092 , H03K3/354
CPC classification number: H01L27/088 , H01L27/0617 , H01L27/092 , H03B5/1203 , H03B5/1215 , H03B5/1228 , H03K3/0315 , H03K3/0322 , H03K3/354
Abstract: 在本发明的振荡器中，作为放大器件而含有的场效应晶体管(12)、(13)是具有在半导体基板上所形成的基极区域、在所述基极区域上所形成的与所述基极区域不同的导电型源极区域以及漏极区域、在所述源极区域以及漏极区域之间所形成的埋沟层、和在所述埋沟层的上方通过删极绝缘膜而形成的删极电极的埋沟型晶体管，并且与所述基极区域电连接的基极端子(b12)、(b13)与用来供给电源电位(Vdd)的电源配线连接。
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