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公开(公告)号：CN101958362A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910160633.8
申请日：2009-07-17
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0232
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种纳米波导结构半导体光探测器的制备方法，包括以下步骤：在半绝缘衬底上生长光探测器的外延材料，依次生长缓冲层，底部谐振腔反射镜，下隔离层，探测器吸收层，上隔离层，顶部谐振腔反射镜；在光探测器顶部欲作为反射镜的薄膜上实现具有特定几何图样的有限周期数目纳米波导结构；去除没有进行保护的区域，直到露出欧姆接触层表面；在欧姆接触层表面蒸发多层金属合金，同步完成垂直腔型光探测器的欧姆接触层；进行光探测器的隔离和介质钝化以及开孔互连，得到所需光探测器。其可作为光探测器谐振腔的宽带高反射率反射镜、偏振控制器或自聚焦透镜，解决工作在光通信用长波长波段的半导体光探测器中磷化铟基材料的制约。
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公开(公告)号：CN1244836C
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN03128708.5
申请日：2003-04-30
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 一种石英及玻璃材料中二阶极化率产生与增强的方法，其特征在于：其工艺过程为：准备材料、载氢、紫外曝光、褪火；本发明适用于各种结构的石英玻璃材料，光纤、薄膜、熔融石英等，特别适用于石英玻璃光纤；工艺简单，成本低，从材料到工艺都很成熟，产生的二阶极化率效率高，可控制性好，重复性好，技术稳定可靠。
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公开(公告)号：CN1328390A
公开(公告)日：2001-12-26
申请号：CN01120077.4
申请日：2001-07-11
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种光电子器件,特别涉及一种具有非平行腔结构的集成解复用光电子器件及制备方法。本发明其特征在于在需要形成楔形结构的外延层表面形成引导层以及掩膜层,在需要形成的楔形结构顶端的位置除去掩膜层,然后置于腐蚀液中,引导层的腐蚀速率较快,引导层在侧向腐蚀的同时,逐渐露出相邻的腐蚀速率较慢的外延层,在相邻的外延层上就腐蚀出楔形结构,使得腔之间形成一个θ角,其中0°
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公开(公告)号：CN118311826A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410439238.8
申请日：2024-04-12
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明提供一种在PDMS柔性材料上制备微纳光栅图形的纳米压印方法，涉及集成光学和硅基光子学技术领域，该方法包括：对硅衬底进行预处理；采用电子束曝光工艺，在所述预处理后的硅衬底上加工出硬质微纳光栅图形，形成硅基纳米压印模板；利用所述硅基纳米压印模板和预设配比的PDMS硅胶混合液，制备PDMS柔性器件；所述PDMS柔性器件的表面印有与所述硬质光栅图形互补的微纳光栅图形。通过电子束曝光和PDMS硅胶制备工艺的结合，使得PDMS柔性器件上制备出特征尺寸达到百纳米量级，加工精度提升，同时这种转印技术有利于大规模量产。
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公开(公告)号：CN113555454B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202110736248.4
申请日：2021-06-30
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/109
Abstract: 本发明公开了一种光探测器，自上而下包括光反射单元、光探测单元和滤波单元，光反射单元的中心、光探测单元的中心与滤波单元的中心位于同一直线上，光反射单元、光探测单元以及滤波单元关于直线镜像对称，光反射单元包含对称斜反射结构，对称斜反射结构的反射率不小于预设反射率，对称斜反射结构的斜反射角度不小于预设角度，光探测单元包含光吸收层，滤波单元包含第一反射镜和第二反射镜，第一反射镜和第二反射镜平行相对放置。本发明通过多次吸收增强效应和独立的滤波选择特性，极大缓解了量子效率、响应速度和光谱线宽三者之间的相互制约关系，实现易集成、超窄光谱线宽、大调谐范围、高量子效率和高响应速度等特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115663596A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211229143.0
申请日：2022-10-09
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明提供一种抑制载流子横向扩散的半导体量子阱结构及制备方法。该结构包括依次层叠设置的下势垒层、量子阱层、成核结构和上势垒层；其中，成核结构的形貌为岛状和/或沟槽状，成核结构未全部覆盖量子阱层；成核结构的带隙宽度不等于上势垒层的带隙宽度。本发明能够减少量子阱内载流子的横向扩散，从而减少载流子在量子阱结构中位错区域的非辐射复合，提高量子阱结构的发光性能。采用该量子阱结构作为有源区的激光器对位错的容忍度将得到明显提升，尤其是硅基异质外延生长的Ⅲ‑Ⅴ族半导体量子阱激光器。本发明切实可行，为半导体量子阱结构的生长提供了全新的方案，将推进对应的半导体量子阱激光器在硅基光电集成芯片中的应用。
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公开(公告)号：CN114566423A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202011359732.1
申请日：2020-11-27
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明实施例提供一种硅上III‑V族半导体外延结构及其制备方法，该方法包括：在硅衬底上直接或间接生长适配层；在所述适配层上直接或间接生长III‑V族半导体目标外延结构；其中，所述适配层包括三元系III族砷化物适配层或二元系III‑V族化合物适配层。该方法生长工艺简单，易调控，对生长设备没有特殊要求。特别是，降低穿透位错密度所需的适配层的厚度薄，使得后续通过增加层数和厚度来优化III‑V族半导体外延结构变为可能，利于硅上高性能III‑V族半导体器件的制备。
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公开(公告)号：CN114496725A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111468703.3
申请日：2021-12-03
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明提供一种无偏角Si(001)衬底InP材料的金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法，A)将无偏角Si(001)衬底清洗后，在氢气环境下进行表面退火处理；B)采用MOCVD方法在退火后的无偏角Si(001)衬底上依次生长GaAs成核层、中温GaAs层和高温GaAs层；C)采用MOCVD方法在所述高温GaAs层上依次生长InP成核层和高温InP层。本发明在氢气环境下进行高温退火，能够使无偏角Si(001)表面的单层原子台阶转换为双层原子台阶，避免后续生长出现的反相畴缺陷。本发明工艺简单且成本较低，能够在CMOS工艺兼容的无偏角Si(001)衬底上实现高质量无反相畴InP外延层的大规模化生产。
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公开(公告)号：CN111751909B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202010502084.4
申请日：2020-06-04
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明实施例提供一种具有纳米间隙层的超透镜及超分辨成像系统，该超透镜包括周期性薄膜结构和至少一层纳米间隙层，其中：所述周期性薄膜结构是由金属层和介质层堆叠构成的，所述纳米间隙层的两侧为所述介质层。本发明实施例通过引入纳米间隙层，使得坡音廷矢量在纳米间隙层与介质层的交界面处发生传播方向的偏折，从而导致物像的主瓣和旁瓣的对数比增大，大幅改善两个及两个以上物体成像时，多个像点的旁瓣与旁瓣之间以及旁瓣与主瓣之间互相重叠导致的干扰问题，并能对静止的物体和/或移动的物体进行突破衍射极限的纳米级超高分辨率三维成像，在纳米材料实时成像、生物医学成像和超精密纳米光刻等领域具有重要应用前景。
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公开(公告)号：CN111223955B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN201911050883.6
申请日：2019-10-31
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0216 , H01L31/0352
Abstract: 本发明涉及光电子技术领域，提供了一种具有微孔的波导耦合结构的光探测器，包括柱状的衬底以及在衬底的顶面沿轴向设置的多个外延层，多个外延层包括吸收层，沿衬底的轴向方向贯穿吸收层开设若干锥形孔；至少在一个锥形孔的外侧壁与吸收层的顶面和/或底面的接触处布置低折射率材料，用于与吸收层形成强耦合波导结构。本发明提供的具有微孔耦合结构的光探测器，通过设置若干锥形孔，减小了吸收层中有源区的面积，降低了充电时间常数，提高了光探测器的响应速率；另外，形成的强耦合波导结构，可以使得进入锥形孔的入射光经其内侧壁折射后进入吸收层，并在吸收层中横向传输，增加了光程，提高了量子效率。
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