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公开(公告)号：CN115319938A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210965253.7
申请日：2022-08-12
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本申请涉及基本电器元件技术领域，尤其涉及一种钙钛矿复合厚膜的制备方法，所述方法包括制备钙钛矿颗粒；将所述钙钛矿颗粒与光敏树脂混合，获取钙钛矿浆料；将所述钙钛矿浆料与导电基板相结合，并对所述钙钛矿浆料进行塑形，获取目标厚度的钙钛矿膜。通过本申请提供的方法，有利于简化技术流程，提高成形质量，获得满足市场需求的钙钛矿厚膜。
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公开(公告)号：CN115295579A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202211072431.X
申请日：2022-09-02
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本申请涉及半导体光电探测器领域，尤其涉及一种钙钛矿X射线探测器的封装面板及其制备方法；钙钛矿材料层，铝膜层，以及薄膜层，铝膜层设置于钙钛矿材料层与薄膜层之间，且与钙钛矿材料层和薄膜层相邻设置；其中，薄膜层为含硅元素的一个或多个无机薄膜层；所述方法包括：对基板的表面进行TFT驱动器件成型，再在成型的TFT驱动器件表面进行钙钛矿材料层成型，得到功能单元；在功能单元中钙钛矿材料层的表面贴封铝膜层，后在铝膜层表面上沉积第一无机薄膜层和第二无机薄膜层，得到含防水氧结构的封装面板；通过铝膜层和薄膜层，避免水氧环境对钙钛矿层材料的侵蚀，起到有效封装。
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公开(公告)号：CN113337277B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202110548572.3
申请日：2021-05-20
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明属于半导体材料制备与应用技术领域，公开了一种有机‑无机杂化铜基卤化物闪烁体及其制备与应用，其中闪烁体的化学通式为AxCuyXz，其中，A为[(CH3)(CH2)n]4N+，Cu为一价铜离子Cu+；X为卤素，选自Cl、Br、I中的至少一种。本发明与现有技术相比，能够有效扩展单晶闪烁体的种类，实现了发射光谱在可见光区域内可调，且荧光量子产率(PLQY)高达96.7％，能够应用于高能射线探测、X射线医学成像与安检、无损检测、工业探伤等领域。并且，本发明制备工艺简单，成本低，能够实现大规模工业化生产。基于本发明得到的柔性薄膜，尤其可应用于柔性X射线成像，得到很高的成像分辨率与极佳的成像效果。
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公开(公告)号：CN114164399B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202111314386.X
申请日：2021-11-08
Applicant: 华中科技大学 , 华中科技大学温州先进制造技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种提高一维链状晶体结构硒化锑薄膜空穴浓度的方法，其中，该方法包括：将掺杂剂和硒化锑以粉末形式充分混合，形成混合粉末，所述掺杂剂包括第Ⅳ主族元素单质或含有第Ⅳ主族元素的硒化物；将所述混合粉末进行烧结再研磨，得到掺杂粉末；将所述掺杂粉末作为蒸发源，通过气相转移沉积法得到掺杂硒化锑薄膜，所述掺杂硒化锑薄膜中的锑元素被所述掺杂剂中的第Ⅳ主族元素替换。选用第Ⅳ主族元素单质或含有第Ⅳ主族元素的硒化物作为掺杂剂对硒化锑进行掺杂，实验研究表明，使用该掺杂剂能够将硒化锑薄膜的空穴载流子浓度提升至1×1016cm‑3以上。
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公开(公告)号：CN112604928B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202011494696.X
申请日：2020-12-17
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了基于卤素钙钛矿材料的光致超声换能器，包括：钙钛矿吸光层，用于吸收光能及转化成热能；热膨胀材料层，用于吸热发生热致伸缩，产生超声波；以及衬底；其中，所述钙钛矿吸光层是由卤素钙钛矿材料制成，所述热膨胀材料层是由热膨胀材料制成，所述衬底是钙钠玻璃、ITO玻璃、FTO玻璃中的至少一种。本发明的基于卤素钙钛矿材料的光致超声换能器具备较高的光声转化效率，较宽的频谱带宽等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111348674B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202010054655.2
申请日：2020-01-17
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明属于类钙钛矿纳米晶技术领域，公开了一种Cs3Cu2X5纳米晶的制备方法及产物，其中制备方法是通过向热注入法制备Cs3Cu2X5纳米晶的前驱液中额外引入卤化铟InX3或卤化锌ZnX2，利用热注入法制备纳米晶的工艺制备得到Cs3Cu2X5纳米晶，其中X选自Cl、Br、I。本发明通过对纳米晶制备方法中关键的调控纳米晶生长的前驱物进行改进，以卤化铟或卤化锌作为前驱物中的添加剂，配合以铜元素作为铅元素的替代物，完成无铅金属卤化物发光纳米晶的制备，本发明制备过程易于实现，成本低，同时还能够解决含铅卤素钙钛矿纳米晶存在的缺陷。
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公开(公告)号：CN112604928A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011494696.X
申请日：2020-12-17
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了基于卤素钙钛矿材料的光致超声换能器，包括：钙钛矿吸光层，用于吸收光能及转化成热能；热膨胀材料层，用于吸热发生热致伸缩，产生超声波；以及衬底；其中，所述钙钛矿吸光层是由卤素钙钛矿材料制成，所述热膨胀材料层是由热膨胀材料制成，所述衬底是钙钠玻璃、ITO玻璃、FTO玻璃中的至少一种。本发明的基于卤素钙钛矿材料的光致超声换能器具备较高的光声转化效率，较宽的频谱带宽等优点。
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公开(公告)号：CN112490307A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011311538.6
申请日：2020-11-20
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明特别涉及一种用于光电探测器的无表面缺陷的钙钛矿及其制备方法，属于晶体材料加工技术领域，钙钛矿包括钙钛矿本体，钙钛矿本体至少一表面键合有钝化剂，钝化剂为PEAX，其中，X为Cl、Br和I中的至少一种；利用PEAX(卤化苯乙胺)对于钙钛矿表面悬挂键的钝化作用，减小表面的漏电流点，同时抑制了钙钛矿的离子迁移，降低钙钛矿光电探测器器件工作时的暗电流，提高了器件的性能。
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公开(公告)号：CN108444927B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201810200969.1
申请日：2018-03-12
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明公开了一种光谱分析芯片及其制备方法，该光谱分析芯片从下至上依次包括硅衬底层、量子点光敏薄膜、以及光学天线，其中，光学天线是由金属纳米结构周期性排列得到的阵列；该光谱分析芯片还包括至少一对与量子点光敏薄膜接触的金属电极构成光电探测器。探测芯片制备分三步：制备光学天线；制备量子点光敏薄膜；制作电极完成芯片制备。本发明利用金属纳米结构与量子点光敏薄膜之间的协同配合，利用光学天线的滤波和光场增强功能以及量子点的量子限域效应，对量子点光敏薄膜的光电响应进行波长调制和增敏，实现高灵敏、窄通带、可调谐的光电探测器单元，集成制备得到高灵敏光谱分析芯片。
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公开(公告)号：CN119546156A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411531917.4
申请日：2024-10-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请提供了一种钙钛矿前驱体溶液、钙钛矿电池及其制备方法，属于钙钛矿太阳能电池技术领域，其中，按摩尔份数计，包括1份第一组分、0.05~0.15份第二组分和溶剂，第一组分为CsaFA1‑aPb(IbBr1‑b)3，其中a=0.1~0.5，b=0.2~0.8；第二组分为YPbX3，其中Y包括FA和MA中的一种或两种，X包括Cl、OCN、F中的一种或多种。本申请在宽带隙钙钛矿前驱体溶液中引入MAPbX3或FAPbX3，将部分Br替换为离子半径更小的X，在结晶过程中原位钝化晶界缺陷，抑制了非辐射复合以及光致相偏析；随后在组分中略微增加MAPbX3或FAPbX3的含量，略微过量的X‑会诱导晶格常数小的超宽带隙钙钛矿的形成，多余的X离子自发被排挤到晶界中，避免了非辐射复合的产生，从而提升器件性能。
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