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公开(公告)号：CN117926422A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410089684.0
申请日：2024-01-23
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本申请涉及一种金属卤化物单晶及其制备方法、半导体材料、快中子直接探测器，所述金属卤化物单晶的化学式为(C10H26N2)4Pb3I14，所述金属卤化物单晶的晶体结构为零维结构，由有机阳离子(C10H26N2)2+和无机结构单元[Pb3I12]6‑组成，同时含有两个游离的I‑离子；其中，三个共面连接的Pb‑I八面体组成一个孤立的零维结构单元，(C10H26N2)2+位于任意两个无机结构单元[Pb3I12]6‑形成的空隙中。该金属卤化物材料由于其较高的氢原子密度而充当快中子敏感材料，同时充当产生电信号的半导体材料，可以将入射中子的能量转换为易于测量的电脉冲信号，进而实现直接探测。
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公开(公告)号：CN115188896A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210822755.4
申请日：2022-07-12
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种多元钙钛矿材料、厚膜的制备方法及X射线探测器，其中的多元钙钛矿材料的化学组分为ABX3；A为多元阳离子基团，B为二价金属离子，X为卤素阴离子，多元钙钛矿材料的制备方法包括：基于ABX3的化学配比获取原料；在所述原料中加入反溶剂后进行反应球磨，获得反应产物；在进行反应球磨时，控制球磨机转速为400～600rpm，球磨时间为24～36小时；对所述反应产物进行干燥处理，获得多元钙钛矿粉末；上述方法能够制备纯相的多元钙钛矿粉末，避免在制备多元钙钛矿厚膜的过程中产生分相和偏析，提高了X射线探测器的器件性能。
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公开(公告)号：CN118207630A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410089793.2
申请日：2024-01-23
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本申请涉及一种铋基钙钛矿单晶及其制备方法、半导体材料、X射线探测器。所述铋基钙钛矿单晶的化学式为(C9H14N)3Bi2I9，所述铋基钙钛矿单晶为零维晶体结构；其中，所述铋基钙钛矿单晶的晶体结构由面共享的(BiI6)3‑八面体层组成，(C9H14N)+离子和I‑离子紧密排列，Bi3+离子占据了所述(BiI6)3‑八面体空隙的三分之二，层之间的空隙被(C9H14N)+离子填充，所述(BiI6)3‑八面体在空间上被两个(C9H14N)+离子隔离。本申请内容为现有钙钛矿X射线探测器提供了新的材料。
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公开(公告)号：CN117926423A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410089759.5
申请日：2024-01-23
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本申请涉及一种零维镉基钙钛矿单晶及其制备方法、半导体材料、X射线探测器，所述零维镉基钙钛矿单晶的化学式为(C19H18P)2CdCl4，所述零维镉基钙钛矿单晶的晶体结构由有机阳离子(C19H18P)+和无机结构单元[CdCl4]2‑组成；其中，所述有机阳离子(C19H18P)+位于任意两个无机结构单元[CdCl4]2‑形成的空隙中。本申请内容为现有X射线探测器提供了新的材料，同时也为零维镉基钙钛矿材料的应用开辟了新的道路。
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公开(公告)号：CN117926421A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410089556.6
申请日：2024-01-23
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本申请涉及一种金属卤化物单晶及其制备方法、半导体材料、X射线探测器，所述金属卤化物单晶的化学式为(C10H26N2)SbBr5，所述金属卤化物单晶的晶体结构由有机阳离子(C10H26N2)2+和无机结构单元[SbBr6]3‑组成，晶体中(C10H26N2)2+与[SbBr6]3‑之间存在库伦作用和氢键相互作用；其中，Sb3+离子与6个Br‑离子配位形成八面体结构，所述八面体通过共享顶点的方式而连接形成1D链状结构，溴化锑链位于由(C10H26N2)2+阳离子组成的棱形柱状笼中，这些链沿着主轴方向，光轴处于解理面，这使得链内和链间具有很大的平面各向异性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115968244A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211730568.X
申请日：2022-12-30
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: H10K85/10 , C09D133/20 , C09D179/08 , C09D7/61 , H10K85/30 , H10K99/00
Abstract: 本申请涉及一种钙钛矿悬浊液及其制备方法，属于X射线成像技术领域；该悬浊液的成分包括钙钛矿颗粒和聚合物，所述聚合物的配位能力足以使所述聚合物锚定于所述钙钛矿颗粒；通过在钙钛矿悬浊液中加入聚合物，该聚合物可以锚定在钙钛矿颗粒上，增大了钙钛矿颗粒的半径，进而增大了钙钛矿颗粒所收到的拽力，而钙钛矿颗粒在钙钛矿悬浊液中受到向下的重力和向上的浮力和拽力，本方案通过增大了拽力，相当于增大了向上的力，起到改善钙钛矿悬浊液沉降的效果，进而实现提高成像效果的目的。
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公开(公告)号：CN112531110B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202011329619.9
申请日：2020-11-24
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明特别涉及一种MAPbI3厚膜的表面处理方法，属于钙钛矿膜制备技术领域，方法包括：获得MAPbI3厚膜初品；将MAPbI3厚膜初品的一个表面贴合PI膜一面，压制后，获得MAPbI3厚膜；在压制过程中，保持MAPbI3厚膜初品的温度恒定，且MAPbI3厚膜初品的温度为25℃‑120℃。通过将PI膜对MAPbI3厚膜表面进行覆盖并施压，处理方法工艺简单、处理成本低，提高了MAPbI3厚膜的密度，降低了MAPbI3厚膜的表面粗糙度，减少了表面悬挂键，从而降低变质发黄的可能，提高MAPbI3厚膜表面的光响应和表面载流子寿命，使得表面载流子寿命与靠近基底的MAPbI3厚膜背面近视相等。
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公开(公告)号：CN117923807A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410089627.2
申请日：2024-01-23
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本申请涉及一种快中子成像材料及其制备方法，所述方法包括：得到(C19H18P)2MnBr4前驱体溶液；将所述(C19H18P)2MnBr4前驱体溶液与聚丙烯腈进行混合，得到聚合物前驱体溶液；将所述聚合物前驱体溶液涂覆于基体上，后进行干燥，得到快中子成像材料。本申请内容为快中子成像提供了新的材料，同时提高了现有快中子成像材料的空间分辨率。
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公开(公告)号：CN115988936A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211723721.6
申请日：2022-12-30
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本申请涉及一种X射线探测器及其功能单元和制备方法，属于半导体光电探测器技术领域；对电路基底的表面进行改性，以使钙钛矿在电路基底表面的成核势垒小于钙钛矿在溶液中的三维成核势垒，得到改性电路基底；在电路基底改性电路基底表面生长钙钛矿晶体，得到功能单元；通过降低钙钛矿在电路基底表面的成核势垒并使之小于钙钛矿在溶液中的三维成核势垒，实现钙钛矿在电路基底上的异质成核和生长，进而通过直接在电路基体上直接原位生长钙钛矿晶体，避免了采用键合工艺来实现钙钛矿晶体的附着，进而避免了使用昂贵的键合机和ACF胶，克服了ACF胶内部的导电金属颗粒可能分布不均匀，存在产生坏点和不同像素和晶体的界面导电性不均一的问题。
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公开(公告)号：CN112531110A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011329619.9
申请日：2020-11-24
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明特别涉及一种MAPbI3厚膜的表面处理方法，属于钙钛矿膜制备技术领域，方法包括：获得MAPbI3厚膜初品；将MAPbI3厚膜初品的一个表面贴合PI膜一面，压制后，获得MAPbI3厚膜；在压制过程中，保持MAPbI3厚膜初品的温度恒定，且MAPbI3厚膜初品的温度为25℃‑120℃。通过将PI膜对MAPbI3厚膜表面进行覆盖并施压，处理方法工艺简单、处理成本低，提高了MAPbI3厚膜的密度，降低了MAPbI3厚膜的表面粗糙度，减少了表面悬挂键，从而降低变质发黄的可能，提高MAPbI3厚膜表面的光响应和表面载流子寿命，使得表面载流子寿命与靠近基底的MAPbI3厚膜背面近视相等。
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