公开(公告)号：CN1259727C

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：CN01819415.X

申请日：2001-11-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 横川俊哉 ,  铃木朝实良 ,  出口正洋 ,  吉井重雄 ,  古屋博之

IPC: H01L29/778 ,  H04M1/00

CPC classification number: H01L27/0605 ,  H01L21/8252 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7785 ,  H03F3/601 ,  H03F2200/294

Abstract: 本发明缓和高耐压和低电阻的折衷，提供低耗电、高耐压半导体装置，及用这种装置的通信系统用机器。其解决方法为，HEMT，包括InP基板(201)上的，由InAlAs层(202)、InGaAs层(203)、n型掺杂层(204a)、及无掺杂层(204b)相互交错沉积而成的多重δ掺杂InAlAs层(204)、InP层(205)、肖特基栅电极(210)、源电极(209a)及漏电极(209b)。电流流过InGaAs层(203)内的多重δ掺杂InAlAs层(204)的界面附近区域(沟道区域)时，对于通过载流子供应层的多重δ掺杂InAlAs层(204)的载波移动电阻会降低，且可以提高非接通时的耐压。

公开(公告)号：CN1254026C

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN01135078.4

申请日：2001-11-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 横川俊哉 ,  高桥邦方 ,  内田正雄 ,  北畠真 ,  楠本修

IPC: H04B17/00 ,  H01L29/16 ,  H01L21/28

CPC classification number: H03F3/601 ,  H01L21/8213 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/105 ,  H01L29/157 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/365 ,  H01L29/7725 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H03D7/125 ,  H03F2200/294

Abstract: 一种通信系统用仪器，包括：在SiC衬底上集成了肖特基二极管、MOSFET、电容器以及电感器的半导体装置。在SiC衬底(10)上，从下至上依次设置有：把含有高浓度的n型杂质(氮)的δ掺杂层(12a)和非掺杂层(12b)相互叠层在一起形成的第一叠层部(12)；把含有高浓度的p型杂质(铝)的δ掺杂层(13a)和非掺杂层(13b)相互叠层在一起形成的第二叠层部(13)。δ掺杂层的载流子扩散到非掺杂层。而且，由于非掺杂层中的杂质浓度较低，所以杂质离子的散乱减少，能得到低电阻和高耐压值。适合配置在使用温度、空间上的限制等非常苛刻的条件下。

公开(公告)号：CN1736009A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200480002108.9

申请日：2004-04-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长谷川义晃 ,  横川俊哉 ,  山田笃志

IPC: H01S5/323

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2206 ,  H01S5/2216 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/305 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04 ,  H01S2304/12

Abstract: 本发明的半导体发光元件的制造方法，包括：在第1III－V族化合物半导体上形成条状的掩膜层的工序(A)；在第1III－V族化合物半导体的表面中没有被所述掩膜层覆盖的区域上，有选择地使第2III－V族化合物半导体成长，从而形成具有被所述掩膜层规定的条状开口部的电流狭窄层的工序(B)；有选择地除去掩膜层的工序(C)；使覆盖通过所述条状开口部而露出的第1III－V族化合物半导体的表面及电流狭窄层的表面的第3III－V族化合物半导体成长的工序(D)。

公开(公告)号：CN1237369C

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN03800880.7

申请日：2003-01-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大塚信之 ,  吉井重雄 ,  鬼头雅弘 ,  横川俊哉

IPC: G02F1/015

CPC classification number: B82Y20/00 ,  G02F1/015 ,  G02F1/017 ,  G02F2202/32 ,  G02F2203/02 ,  G02F2203/10

Abstract: 本发明的调制器包括：第一导电型的第一半导体层(33)；与第一半导体层连接的第二导电型的第二半导体层(31)；第二导电型的第三半导体层(46)；在第二半导体层和第三半导体层之间形成的电介质层(111)；在电介质层中的具有多个导体片的天线电极(32)，该多个导体片整体形成网状，并在该网状的交点配置成相互分离且与第二半导体层和第三半导体层两者成接触状态；电连接所述第一半导体层的第一电极(8)；和电连接第三半导体层的第二电极(7)。

公开(公告)号：CN1602569A

公开(公告)日：2005-03-30

申请号：CN03801328.2

申请日：2003-02-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大塚信之 ,  吉井重雄 ,  横川俊哉

IPC: H01S5/10

CPC classification number: H01S5/187 ,  H01S5/028 ,  H01S5/105 ,  H01S5/124 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/42

Abstract: 本发明的半导体发光元件包括：n型InP基板(1)；以及条纹结构(10)，条纹结构(10)包含在该n型InP基板(1)上条纹状形成的n型InP下部覆盖层(3)、相对于所述n型InP基板(1)而具有平行方向的谐振器的有源层(4)、和p型InP上部覆盖层(5)。这种条纹结构(10)有凹部(9)排列为矩形点阵状的光子晶体结构(2)，光子晶体结构(2)的凹部(9)的排列方向和谐振器方向相同。此外，在谐振器方向上延长的条纹状的上部电极(6)形成在条纹结构(10)上。这样构成的本发明的半导体发光元件相对n型InP基板(1)在垂直的方向上发光。

公开(公告)号：CN202405309U

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201120398988.3

申请日：2011-10-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 藤金正树 ,  井上彰 ,  横川俊哉

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/50 ,  H01L33/52 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/54 ,  H01L33/18 ,  H01L2933/0091

Abstract: 本实用新型的发光器件具有放射偏振光的氮化物半导体发光元件(402)、和覆盖氮化物半导体发光元件(402)的光提取面并含有树脂和分散在树脂内的非荧光体粒子的光提取控制层(404)，光提取控制层(404)以0.01vol％以上10vol％以下的比例含有非荧光体粒子，非荧光体粒子的直径为30nm以上150nm以下。

公开(公告)号：CN202695521U

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201220147307.0

申请日：2012-04-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 井上彰 ,  藤金正树 ,  横川俊哉

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/10

CPC classification number: H01L33/18 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/14 ,  H01L2224/16225

Abstract: 氮化物系半导体发光元件(300)具备基板(304)和氮化物半导体层叠构造，氮化物半导体层叠构造具有用于射出偏振光的氮化物半导体活性层(306)，基板(304)的多个侧面(332)中的至少一个侧面相对于基板(304)的主面(333)而形成的角度θ大于90度，基板(304)的多个侧面(332)中的至少一个侧面与基板(304)的主面(333)之间的交线相对于偏振光的主面(333)内的偏振方向(324)而形成的角度的绝对值即角度θ2(mod 180度)是不包含0度与90度的角度。