公开(公告)号：CN103415926B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201280012067.6

申请日：2012-03-08

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  三星显示有限公司

Inventor： 田尾博昭 ,  三木绫 ,  森田晋也 ,  安野聪 ,  钉宫敏洋 ,  朴在佑 ,  李制勋 ,  安秉斗 ,  金建熙

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L21/02554 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/477 ,  H01L29/12 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的薄膜晶体管用氧化物，是至少含有In、Zn和Sn的In-Zn-Sn系氧化物，其中，设In-Zn-Sn系氧化物所含的金属元素的含量(原子％)分别设为[Zn]、[Sn]和[In]时，[In]/([In]+[Sn])≤0.5时满足下式(2)、(4)；[In]/([In]+[Sn])＞0.5时满足下式(1)、(3)、(4)。[In]/([In]+[Zn]+[Sn])≤0.3…(1)[In]/([In]+[Zn]+[Sn])≤1.4×{[Zn]/([Zn]+[Sn])}-0.5…(2)[Zn]/([In]+[Zn]+[Sn])≤0.83…(3)0.1≤[In]/([In]+[Zn]+[Sn])…(4)根据本发明，能够得到TFT的开关特性优异，溅射时的溅射速率高，并且，湿式蚀刻时的蚀刻速率得到恰当控制的薄膜晶体管用氧化物薄膜。

公开(公告)号：CN103579036B

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201310300303.0

申请日：2013-07-17

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 岸智弥 ,  后藤裕史 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L21/66 ,  G01N22/00

Abstract: 能简单地评价靶组装体的品质的薄膜晶体管的半导体层用薄膜的形成所使用的靶组装体的品质评价方法。该评价方法包括：第一工序，准备靶组装体，该靶组装体通过在背板上借助结合材料空出间隙地配置多个氧化物靶构件而构成；第二工序，对靶组装体进行溅射而形成薄膜；第三工序，对薄膜的包含与靶组装体的间隙相对应的接缝部分的区域照射激励光及微波，在测定到根据激励光的照射而变化的微波的来自接缝部分的反射波的最大值之后，停止激励光的照射，对停止激励光的照射后的微波的来自接缝部分的反射波的反射率的变化进行测定，算出直到反射率成为1/e的时间作为薄膜的接缝部分的寿命值τ1；第四工序，基于接缝部分的寿命值τ1对靶组装体的品质进行评价。

公开(公告)号：CN102486694B

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201010625208.4

申请日：2010-12-24

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 奥野博行 ,  三木绫 ,  钉宫敏洋

IPC: G06F3/041 ,  G06F3/045

Abstract: 本发明提供光泽度高且色彩的表现力优异的触摸面板传感器。本发明的触摸面板传感器具有透明导电膜及与透明导电膜连接的布线，其中，布线由含有稀土元素0.05～5原子％，且光泽度为800％以上的Al合金膜构成。

公开(公告)号：CN105324835A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201480035855.6

申请日：2014-06-24

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 越智元隆 ,  森田晋也 ,  高梨泰幸 ,  后藤裕史 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78693 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/247 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的薄膜晶体管在基板上至少具有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源-漏电极以及两层以上的保护膜。所述氧化物半导体层由Sn、从由In、Ga以及Zn构成的组中选择的一种以上的元素、以及O形成。另外，所述两层以上的保护膜至少由与所述氧化物半导体层相接的第一保护膜、以及所述第一保护膜以外的一层以上的第二保护膜构成，所述第一保护膜是SiOx膜且氢浓度为3.5原子％以下。

公开(公告)号：CN103229303B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201180057012.2

申请日：2011-11-28

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  三星显示有限公司

Inventor： 三木绫 ,  森田晋也 ,  钉宫敏洋 ,  安野聪 ,  朴在佑 ,  李制勋 ,  安秉斗

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  G01G19/00 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/548 ,  C23C14/5806 ,  C23C14/5873 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明涉及的薄膜晶体管的半导体层用氧化物含有Zn、Sn及In；和从由Si、Hf、Ga、Al、Ni、Ge、Ta、W及Nb构成的X组中选出的至少一种元素(X组元素)。本根据发明，可提供一种能够实现高迁移率，并且抗应力性(应力施加前后的阈值电压漂移量少)也优异的薄膜晶体管用氧化物。

公开(公告)号：CN103003860B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201180035545.0

申请日：2011-07-21

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 三木绫 ,  钉宫敏洋 ,  寺尾泰昭

IPC: G09F9/30 ,  C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  C22C9/04 ,  C22C9/05 ,  C22C9/06 ,  C22F1/08 ,  C23C30/00 ,  G02F1/1343 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786 ,  C22F1/00

CPC classification number: G09F9/30 ,  C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  C22C9/04 ,  C22C9/05 ,  C22C9/06 ,  C22F1/08 ,  C23C14/185 ,  C23C28/321 ,  C23C28/322 ,  C23C28/345 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136295 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/32051 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/3279 ,  H01L29/45 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/12535 ,  Y10T428/12611 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明具备具有与含氧绝缘体层的高密接性和低电阻率的Cu合金膜的显示装置。本发明的显示装置用Cu合金膜，具有包括第一层(Y)和第二层(X)的层叠构造，其中，所述第一层(Y)由合计含有1.2～20原子％的从由Zn、Ni、Ti、Al、Mg、Ca、W、Nb和Mn构成的群中选出的至少一种的元素的Cu合金构成，所述第二层(X)由纯Cu或以Cu为主成分的Cu合金即电阻率比所述第一层(Y)低的Cu合金构成，所述第一层(Y)的一部或全部与含氧绝缘体层直接接触，并且，所述第一层(Y)含有Zn或Ni时，所述第一层(Y)的膜厚为10nm以上100nm以下，所述第一层(Y)不含有Zn和Ni时，所述第一层(Y)的膜厚为5nm以上100nm以下。

公开(公告)号：CN103579036A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310300303.0

申请日：2013-07-17

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 岸智弥 ,  后藤裕史 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L21/66 ,  G01N22/00

CPC classification number: H01L22/12 ,  G01N22/00 ,  H01L22/24

Abstract: 能简单地评价靶组装体的品质的薄膜晶体管的半导体层用薄膜的形成所使用的靶组装体的品质评价方法。该评价方法包括：第一工序，准备靶组装体，该靶组装体通过在背板上借助结合材料空出间隙地配置多个氧化物靶构件而构成；第二工序，对靶组装体进行溅射而形成薄膜；第三工序，对薄膜的包含与靶组装体的间隙相对应的接缝部分的区域照射激励光及微波，在测定到根据激励光的照射而变化的微波的来自接缝部分的反射波的最大值之后，停止激励光的照射，对停止激励光的照射后的微波的来自接缝部分的反射波的反射率的变化进行测定，算出直到反射率成为1/e的时间作为薄膜的接缝部分的寿命值τ1；第四工序，基于接缝部分的寿命值τ1对靶组装体的品质进行评价。

公开(公告)号：CN103493210A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201280019704.2

申请日：2012-04-19

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 前田刚彰 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1222 ,  H01L29/78693

Abstract: 提供一种在有机EL显示器或液晶显示器等显示装置中，形成保护膜等时不需要氧化处理层，也能够使薄膜晶体管的电特性稳定的氧化物半导体层。本发明的薄膜晶体管构造在基板上至少从基板侧开始依次具备氧化物半导体层、源／漏电极和保护膜，该薄膜晶体管构造的主旨在于，所述氧化物半导体层是Zn占金属元素整体的含有量在50原子％以上、且形成在源／漏电极及保护膜侧的第1氧化物半导体层、和包含从由In、Ga及Zn构成的组中选择的至少1种元素、且形成在基板侧的第2氧化物半导体层的层叠体，并且所述第1氧化物半导体层和所述源／漏电极及保护膜直接接触。

公开(公告)号：CN103493209A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201280019557.9

申请日：2012-04-19

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  三星显示有限公司

Inventor： 前田刚彰 ,  钉宫敏洋 ,  宋俊昊 ,  李制勋 ,  安秉斗 ,  金建熙

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1222 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明提供一种在有机EL显示器或液晶显示器等显示装置中，在形成保护膜等时无需氧化处理层，就能使薄膜晶体管的电特性稳定的氧化物半导体层。本发明的薄膜晶体管构造在基板上至少从基板侧依次具备氧化物半导体层、源/漏电极和保护膜，该薄膜晶体管构造的主旨在于：上述氧化物半导体层为第1氧化物半导体层和第2氧化物半导体层的层叠体，上述第1氧化物半导体层中的Zn占金属元素整体的含有量为50原子％以上且形成在源/漏电极以及保护膜侧，上述第2氧化物半导体层包括从由In、Ga以及Zn构成的组中选择的至少一种元素和Sn并形成在基板侧，而且上述第1氧化物半导体层、与上述源/漏电极及保护膜直接接触。

公开(公告)号：CN103403214A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201280010495.5

申请日：2012-02-27

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 奥野博行 ,  钉宫敏洋

IPC: C23C14/14 ,  C22C21/00 ,  C22F1/00 ,  C23C14/34 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC classification number: C22C21/00 ,  C22F1/04 ,  C23C14/165 ,  C23C14/185 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/2855 ,  H01L23/53219 ,  H01L27/124 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种高温耐热性优良，膜自身的电阻（配线电阻）也低，且碱环境下的耐蚀性也优良的显示装置用Al合金膜。本发明涉及一种Al合金膜，其含有Ge（0.01～2.0原子%）和X组元素（Ta、Ti、Zr、Hf、W、Cr、Nb、Mo、Ir、Pt、Re及/或Os），且对进行450～600℃的加热处理时的含有Al、X组元素及Ge的析出物中的当量圆直径为50nm以上的析出物的密度进行控制。