-
公开(公告)号：CN106052883B
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201610302609.3
申请日：2016-05-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01J5/20
Abstract: 本发明提供一种三层微桥结构，包括桥面、第二层微桥、第一层微桥、左右铝电极，该微桥结构最上层的桥面铺有光吸收材料以及热敏电阻薄膜和钝化层，桥面与第二层微桥之间形成上层光学谐振腔，两层微桥之间构成了中层光学谐振腔，第一层微桥和底层硅衬底之间构成了下层光学谐振腔，本发明还提供一种包含所述微桥结构的三层非制冷微测辐射热计及其制备方法，本发明微桥结构有三个谐振腔，光学吸收效率得到极大提升；其次在仿真过程中，同样的应力条件下，三层S型微桥结构比单层L型和双层S型两种结构的形变量都要小，这保证了微桥结构良好的力学稳定性。同时，桥腿的增长也提升了器件整体的温升。
-
公开(公告)号：CN108550593A
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201810254366.X
申请日：2018-03-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明属于光探测器技术领域，具体涉及一种基于复合结构的石墨烯-量子点双色光探测器及其制备方法。针对现有的石墨烯-量子点混合光探测器由于量子点对光的吸收波段的限制，导致了一个探测器只能检测波长为较窄范围内的光的缺陷，本发明的技术方案是：由下至上由金属衬底、绝缘层Ⅰ、石墨烯Ⅰ、量子点Ⅰ、介质层、石墨烯Ⅱ、量子点Ⅱ和绝缘层Ⅱ共八层层状结构构成，所述量子点Ⅰ两侧分别设置有两个电极Ⅰ，两个电极Ⅰ分别作为源电极和漏电极；所述量子点Ⅱ两侧分别设置有两个电极Ⅱ，两个电极Ⅱ分别作为源电极和漏电极；所述量子点Ⅰ和量子点Ⅱ分别采用两种量子点材料制作。本发明适用于多色光检测。
-
公开(公告)号：CN107154023A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201710347472.8
申请日：2017-05-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于生成对抗网络和亚像素卷积的人脸超分辨率重建方法，包括以下步骤：A、利用常用的公开人脸图像数据集，进行预处理，制作低分辨率人脸图像与对应高分辨率人脸图像训练集；B、构建用于训练的生成对抗网络模型，在生成网络中加入亚像素卷积层来实现超分辨率图像生成并引入包含特征损失的加权型损失函数；C、将步骤A得到的训练集依次输入生成对抗网络模型中进行模型训练，调整参数，达到收敛；D、将待处理的低分辨率人脸图像进行预处理，输入步骤C得到的对抗模型得到超分辨率重建后的高分辨率图像，可生成具有人脸轮廓更清晰、细节更具体、特征不变性的高分辨率对应图像，提升了人脸识别准确率，有更好的人脸超分辨率重建效果。
-
公开(公告)号：CN103679095B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201310639729.9
申请日：2013-12-02
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06K7/00
Abstract: 本发明提出了一种导轨式无源RFID室内定位系统架构与方法，其特征在于，该系统架构与方法首次运用滑动导轨结合无源标签进行室内定位，创新性地设计了一种无源标签定位算法和一套基于本系统架构的多定位任务调度策略。在该系统架构中，滑动导轨承载单个阅读器在控制电路和步进电机的驱动下，通过连续移动阅读器和横向导轨，使单个阅读器的扫描范围覆盖整个室内。基于该系统架构提出的无源标签定位算法和多定位任务调度策略，能够实现无源标签室内精准定位服务，以及室内定位任务的高效调度。该系统架构与方法只需单一阅读器并且无需部署有源参考标签，能够实现对多个定位目标的精确定位。
-
公开(公告)号：CN106052883A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610302609.3
申请日：2016-05-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01J5/20
CPC classification number: G01J5/20
Abstract: 本发明提供一种三层微桥结构，包括桥面、第二层微桥、第一层微桥、左右铝电极，该微桥结构最上层的桥面铺有光吸收材料以及热敏电阻薄膜和钝化层，桥面与第二层微桥之间形成上层光学谐振腔，两层微桥之间构成了中层光学谐振腔，第一层微桥和底层硅衬底之间构成了下层光学谐振腔，本发明还提供一种包含所述微桥结构的三层非制冷微测辐射热计及其制备方法，本发明微桥结构有三个谐振腔，光学吸收效率得到极大提升；其次在仿真过程中，同样的应力条件下，三层S型微桥结构比单层L型和双层S型两种结构的形变量都要小，这保证了微桥结构良好的力学稳定性。同时，桥腿的增长也提升了器件整体的温升。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105758524A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610188152.8
申请日：2016-03-29
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: G01J3/2823 , G01J3/0205 , G01N21/01
Abstract: 本方法提出了一种基于全通单模板互补采样的光谱相机及成像方法，用于解决现有光谱成像系统结构复杂和光谱图像重构质量差的技术问题；其结构包括透镜组、编码模块、观测模块和图像重构处理模块，透镜组是由一组透镜组成；编码模块采用由多个透射阵元和反射阵元随机组合的面阵结构，且与光谱图像的透射方向成锐角，用于对光谱图像的透射信息和反射信息分别进行随机编码；观测模块包括透射观测模块和反射观测模块，用于对已编码的光谱图像进行透射观测和反射观测；图像重构模块将该两个观测结果进行联立融合进行光谱图像的重构。本发明具有系统结构简单、光通量高和曝光时间短的特点，可用于矿产勘探，自然灾害监测和军事侦察等领域。
-
公开(公告)号：CN105021280A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510496793.5
申请日：2015-08-13
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01J3/28
Abstract: 本发明公开了一种基于全色和压缩光谱成像的图像超分辨率系统及方法，主要解决现有图像重构质量差和面阵探测器空间分辨率低的问题。其成像系统包括两路观测通道和图像重构处理器，第一路观测通道由物镜、编码模板、带通滤波器、中继透镜组、双阿米奇棱镜和面阵探测器组成，用以获取压缩光谱观测图像；第二路观测通道由物镜、带通滤波器和面阵探测器组成，用以获取全色光谱观测图像；两路光谱观测图像通过图像重构处理器，利用光谱图像的稀疏性，求解非线性优化实现图像的超分辨率重构。本发明能获得具有高空间分辨率图像，可用于地理遥感、气象观测、灾害预防超分辨率图像的获取。
-
公开(公告)号：CN102709322B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201210172341.8
申请日：2012-05-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 高阈值电压氮化镓增强型晶体管结构及制备方法，涉及半导体技术。本发明自下至上包括基板、GaN和AlGaN层和绝缘栅介质层，其特征在于，所述绝缘栅介质层包括绝缘隧道层、固定电荷层和绝缘帽层，固定电荷层设置于绝缘隧道层上方或嵌于绝缘隧道层上部，固定电荷层的上方设置有绝缘帽层，绝缘帽层上方为栅金属。本发明的有益效果是，与其它制造增强型GaN场效应晶体管的技术相比，本技术的制备工艺可控性好，所研制的器件性能重复性好。所研制的增强型GaN MISHEMT器件性能良好，阈值电压大，最大源漏饱和电流密度大，栅漏电小，器件工作电压范围宽，完全可满足GaN集成电路研制需要。
-
公开(公告)号：CN102393251B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201110298926.X
申请日：2011-09-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种双层微测辐射热计及其制作方法，包括用于非制冷红外探测器或非制冷太赫兹探测器微测辐射热计的微桥结构，其特征在于，该微桥由上桥面和下桥面两个独立的桥面所组成，光吸收材料处在上桥面、热敏电阻材料处在下桥面，微桥上桥面的四根上下桥面连接柱与微桥下桥面的金属热量传输层相连接。微桥的上桥面包含一层或多层光吸收材料。这种双层微桥一方面具有较高的光吸收率和填充因子，另一方面还具有较高的温度均匀性和力学稳定性。这种双层微测辐射热计及其制备方法能克服现有技术中存在的缺陷，提高了器件的工作性能，适宜大规模产业化生产。
-
公开(公告)号：CN102709322A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210172341.8
申请日：2012-05-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 高阈值电压氮化镓增强型晶体管结构及制备方法，涉及半导体技术。本发明自下至上包括基板、GaN和AlGaN层和绝缘栅介质层，其特征在于，所述绝缘栅介质层包括绝缘隧道层、固定电荷层和绝缘帽层，固定电荷层设置于绝缘隧道层上方或嵌于绝缘隧道层上部，固定电荷层的上方设置有绝缘帽层，绝缘帽层上方为栅金属。本发明的有益效果是，与其它制造增强型GaN场效应晶体管的技术相比，本技术的制备工艺可控性好，所研制的器件性能重复性好。所研制的增强型GaN MISHEMT器件性能良好，阈值电压大，最大源漏饱和电流密度大，栅漏电小，器件工作电压范围宽，完全可满足GaN集成电路研制需要。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
151
records
(took 0.033 seconds)
