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公开(公告)号：CN115792551A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211404862.1
申请日：2022-11-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26 , G01R31/265
Abstract: 本发明提供一种双极晶体管氧化层电离‑位移协同效应分析方法及装置，方法包括：采用预设能量的氧离子对第一双极晶体管进行预辐照，获得预辐照后的第一双极晶体管；采用不同剂量的60Co‑γ射线对预辐照后的第一双极晶体管和第二双极晶体管进行辐照，获得第一损伤双极晶体管和第二损伤双极晶体管；分别确定第一损伤双极晶体管和第二损伤双极晶体管的Gummel特性曲线，根据Gummel特性曲线分别确定第一损伤双极晶体管和第二损伤双极晶体管的电流增益倒数与射线剂量之间的第一对应关系和第二对应关系；根据第一对应关系和第二对应关系确定双极晶体管氧化层的电离‑位移协同效应。本发明实现了双极晶体管电离位移协同效应深层研究。
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公开(公告)号：CN115618450A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211410725.9
申请日：2022-11-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/12 , G06F30/20 , G06F111/20
Abstract: 本发明提供了一种器件结构模型的建立方法、装置、系统及存储介质，涉及仿真技术领域。本发明所述的器件结构模型的建立方法包括：采用拖拽方式构建二维结构框图，根据属性参数设置器件材料，利用仿真模拟技术，通过所述器件材料和所述二维结构框图构建器件结构模型；本发明所构建的器件结构模型，操作简便、易用性强，能够在复杂结构的器件建模时，实现快速且精准的建模，对复杂结构建模具有指导性建议。
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公开(公告)号：CN115588472A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211410954.0
申请日：2022-11-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供一种基于器件离子注入和扩散的云图显示方法及系统，涉及半导体工艺制造技术领域。本发明所述的方法包括，构建器件结构模型，获取工艺过程中的离子注入参数和扩散参数，将所述离子注入参数和所述扩散参数输入所述器件结构模型，对所述工艺过程进行仿真，得到离子注入云图和扩散云图，采用真实器件工艺对所述离子注入云图和所述扩散云图进行建模仿真并显示；本发明所述的技术方案，通过建模仿真及显示，准确模拟和预估离子注入和扩散步骤，达到了直观精确显示掺杂情况的效果。
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公开(公告)号：CN111856238B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202010735731.6
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供了一种基于载流子流向的晶体管辐射损伤分析方法及装置，方法包括：选择入射粒子；根据入射粒子分别对不同的晶体管进行辐照试验，获得多个辐照后的晶体管；分析各个辐照后的晶体管，确定各个晶体管的载流子流向和性能参数；根据载流子流向确定各个晶体管的敏感区域，和各个敏感区域在试验过程中的位移吸收剂量；确定位移吸收剂量平均值和性能参数平均值，建立性能参数平均值和位移吸收剂量平均值之间的对应关系；重复多次，获得多个对应关系，结合所有的对应关系确定晶体管性能变化与位移吸收剂量的关系，对晶体管的位移损伤进行等效分析。本发明能够对不同入射粒子在不同结构的晶体管中造成的位移损伤进行分析，步骤简单，易于操作。
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公开(公告)号：CN111766498B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202010735277.4
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种深能级瞬态谱触发信号的控制方法、装置及存储介质，涉及测试技术领域，包括：根据预设时长确定触发信号曲线数据，触发信号曲线数据包括零电压数据段、过渡曲线数据段、保持幅度数据段，过渡曲线数据段构成平滑的上升沿曲线或下降沿曲线，用于实现零电压数据段和保持幅度数据段之间的平滑过渡；将触发信号曲线数据转化为模拟信号；对模拟信号进行调制形成注入电压信号，以将注入电压信号注入至被测器件。本发明采用零电压注入形式，使注入脉冲信号由零电压沿分段指数函数波形形式构成信号的上升沿和下降沿，消除波形的尖锐边沿，消除其瞬态变化高频畸变，从而保证了触发的瞬态性，又减小了系统的干扰。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111751698B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202010735733.5
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供了一种电子器件氧化层中固定正电荷陷阱的检测方法，包括以下步骤：选择P型半导体材料制备成衬底；在衬底上制备N型外延层；在外延层上形成P+源区、P+漏区和N+阱区；在外延层上生长氧化层；对氧化层进行刻蚀，漏出阱区和衬底，在未刻蚀部分制备电极，形成P+源极、P+漏极和栅极；将源极和漏极接地，栅氧电场保持负偏置，阱区正偏置，衬底正偏置；将源极、漏极、阱区和衬底接地，栅氧电场保持正偏置；栅氧电场交替进行正偏置和负偏置，正偏置和负偏置的交替时间和交替次数相同，在偏置过程中，检测平带电压变化，提取氧化物层俘获正电荷的状态，达到电子器件氧化层中固定正电荷陷阱检测与判定的目的。
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公开(公告)号：CN115270289A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210770215.6
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种原子氧或紫外辐照通量的计算装置、方法及模拟器，涉及航天器仿真计算技术领域，所述计算装置包括：环境参数设定模块，用于获取影响航天器外表面原子氧通量的第一空间环境参数或影响航天器外表面紫外辐照强度的第二空间环境参数；模型建立模块，用于建立航天器的三维模型，并将航天器表面剖分成多个多边形网格单元；参数导入模块用于将第一空间环境参数或第二空间环境参数输入到三维模型；选择模块用于确定采用蒙卡计算方法或射线追踪计算方法；计算模块用于计算航天器表面原子氧或紫外辐照通量。本发明操作简单，能够准确、快速地计算不同环境条件下材料表面的原子氧或紫外辐照通量。
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公开(公告)号：CN115249517A
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202210762591.0
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供一种模拟单晶硅高压干氧热氧化工艺的方法，涉及硅工艺模拟技术领域，包括如下步骤：步骤S1：构建单晶硅的模型，在模型中的单晶硅表面设置真空层，在真空层内添加O2分子，并在高于大气压的状态下采用反应力场分子动力学方法对单晶硅的原子位置进行优化；步骤S2：加热单晶硅至反应温度后，保持恒温恒压，至单晶硅与O2分子充分反应，对模型退火，冷却后优化原子位置，得到氧化样品；氧化样品包括氧化层、次氧化层和硅基底层；步骤S3：获取氧化层和次氧化层的结构特征参数。本发明通过高压提高O2分子浓度加快反应速率，并获取氧化层及次氧化层结构特征参数，有利于研究氧化层与次氧化层界面处的次氧化状态和应力分布。
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公开(公告)号：CN115204024A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210769798.0
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/25
Abstract: 本发明提供一种复杂近地空间航天器外粒子环境实时量化表征的分析方法，包括：确定分析的任务时间范围和仿真时间步长；获取所述任务时间范围内的任意一个时间参数，并根据轨道动力学与轨道运动学计算得到航天器在所述时间参数对应的位置参数；输入所述时间参数、所述位置参数及空间粒子的控制参数，输出空间粒子量化表征；根据所述空间粒子量化表征指导航天器的总体设计优化。本发明提供的复杂近地空间航天器外粒子环境实时量化表征的分析方法能够通过仿真方式分析航天器在轨运行期间所处位置的空间粒子的实时量化表征，仿真效率和精度较高，预测航天器在轨运行时受到的空间环境影响，对指导航天器的总体设计优化具有重要意义。
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公开(公告)号：CN115203919A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210768336.7
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明提供了一种航天器在轨运行状态的显示方法，涉及航天器仿真计算技术领域，所述方法包括：解析环境文件，将解析后的数据信息存入内存结构中，所述数据信息包括航天器四元数、轨道六根数、原子氧密度、来流方向、光照方向以及经纬高中的一种或几种；创建播放控制组件，利用所述播放控制组件实现航天器在轨运行中迎风面、受晒面和/或运行轨道的显示，其中，所述播放控制组件根据所述内存结构中原始数据的时间设置所述播放控制组件的起止时间范围以实现对显示影像画面的播放控制。与现有技术比较，本发明可达到直观显示航天器在轨运行过程中迎风面、受晒面以及运行轨道的目的，且方法简单，显示准确。
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