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公开(公告)号:CN104962764A
公开(公告)日:2015-10-07
申请号:CN201510316633.8
申请日:2015-06-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种航天非金属基复合材料结构连接用Ti-V-Al轻质记忆合金功能化处理方法,属于航天复合材料技术领域,本发明的方法是将电弧熔炼的Ti-V-Al合金铸锭固溶处理后进行热轧,到一定厚度后重新固溶处理并淬火,之后进行冷轧。对冷轧后的试样进行退火处理,即得到具有优异形状记忆效应的Ti-V-Al轻质记忆合金。本发明能大幅提高Ti-V-Al合金形状记忆效应,其完全可逆应变达到7.5%,是除TiNi合金外的最高值。经过热机械处理后的Ti-V-Al合金是一种在航空航天领域极具潜力的复合材料结构连接用轻质记忆合金。
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公开(公告)号:CN103386593B
公开(公告)日:2015-08-19
申请号:CN201310302916.8
申请日:2013-07-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种碳纤维增强树脂基复合材料与金属的连接方法,涉及一种复合材料与金属的连接方法。本发明是要解决传统连接碳纤维增强树脂基复合材料与金属的方法存在冲击,干涉量不均匀,从而导致连接结构疲劳寿命低,疲劳寿命增益效果差的技术问题。本发明的连接方法如下:一、制备铸锭;二、拉伸TiNiNb合金连接紧固件;三、碳纤维增强树脂基复合材料与金属的连接。本发明方法可以应用于碳纤维增强树脂基复合材料与金属的连接。
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公开(公告)号:CN103386593A
公开(公告)日:2013-11-13
申请号:CN201310302916.8
申请日:2013-07-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种碳纤维增强树脂基复合材料与金属的连接方法,涉及一种复合材料与金属的连接方法。本发明是要解决传统连接碳纤维增强树脂基复合材料与金属的方法存在冲击,干涉量不均匀,从而导致连接结构疲劳寿命低,疲劳寿命增益效果差的技术问题。本发明的连接方法如下:一、制备铸锭;二、拉伸TiNiNb合金连接紧固件;三、碳纤维增强树脂基复合材料与金属的连接。本发明方法可以应用于碳纤维增强树脂基复合材料与金属的连接。
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公开(公告)号:CN102925157A
公开(公告)日:2013-02-13
申请号:CN201210490640.6
申请日:2012-11-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 核壳结构NaY(98-X)%F4∶X%Yb,2%Er@NaDyF4的制备方法,它涉及一种上转换反光材料的制备方法。本发明解决了现有的磁性荧光材料发光中心容易受高能基团的影响,从而降低了上转换发光效率和发光强度的技术问题。本方法如下:将DyCl3·6H2O加入到油酸与十八烯的混合物中,升温到160℃,形成均一的浅黄色溶液,降温,加正己烷溶液,搅拌,再升温,保温,降温,加入NH4F和NaOH的无水甲醇溶液,静置,在氩气氛围加热并保温,再加热并保温,冷却,洗涤,离心,即得。核壳结构NaY78%F4∶20%Yb,2%Er(@NaDyF4为六方相结构,发光中心不受高能基团的影响,提高了上转换发光效率,从而使发光强度大大提高。
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公开(公告)号:CN102605317A
公开(公告)日:2012-07-25
申请号:CN201210090553.1
申请日:2012-03-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 多光区发光Ag、Ga、N掺杂ZnO薄膜及其制备方法,它涉及ZnO薄膜及其制备方法。本发明是要解决现有的单一掺杂的ZnO薄膜发光强度弱、发光区域少的技术问题。本发明的多光区发光Ag、Ga、N掺杂ZnO薄膜是在衬底上溅射一层Ag、Ga、N共同掺杂的ZnO薄膜;方法:将ZnO粉末和Ga2O3粉末热压成陶瓷片,再贴上Ag,得到靶材;将靶材和衬底放到射频磁控溅射镀膜机中,将溅射室抽真空后通入N2和O2的混合气体,通过溅射得到膜片,膜片退火后,得到多光区发光Ag、Ga、N掺杂ZnO薄膜,该薄膜在紫外光、紫光、红橙光区域同时发光,可用于光电器件领域。
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公开(公告)号:CN101252009B
公开(公告)日:2012-01-04
申请号:CN200810064311.9
申请日:2008-04-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G11B11/105
Abstract: Ni-Mn-Ga磁驱动记忆合金作为光磁混合存储材料的应用,它涉及Ni-Mn-Ga磁驱动记忆合金的新用途,特别是Ni-Mn-Ga磁驱动记忆合金作为光磁混合存储材料的应用。本发明解决了磁存储介质存在受超顺磁效应限制,记录密度高密度化受到限制的问题以及相变光存储介质需要一定的热积累过程,同时受存储介质热传导效应影响,导致信息存储密度低、写入及擦除速度慢的问题。一种Ni-Mn-Ga磁驱动记忆合金作为光磁混合存储材料的应用是以所述Ni-Mn-Ga磁驱动记忆合金用作光磁混合存储材料。光磁混合存储是一种全新的信息存储方式,它结合磁存储和光存储的优点,具有理论极限记录密度高、读出分辨率及灵敏度高、存取速度快等优点。
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公开(公告)号:CN101693970B
公开(公告)日:2011-07-27
申请号:CN200910309011.7
申请日:2009-10-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: Mn-Ni-Ga-Sn磁驱动记忆合金,它涉及一种记忆合金。本发明解决了MnNiGa磁驱动合金比ΔM/ΔS值小的问题。本发明Mn-Ni-Ga-Sn磁驱动记忆合金的分子式为Mn50Ni25Ga25-xSnx,分子式中x值为1~2。本发明的Mn-Ni-Ga-Sn磁驱动记忆合金的添加了Sn元素,引起了磁晶各向异性的增加以及ΔM/ΔS比值的升高,均有利于在Mn-Ni-Ga-Sn磁驱动记忆合金中获得磁场诱发的马氏体相变,获得大的输出应力。
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公开(公告)号:CN101028543B
公开(公告)日:2010-05-26
申请号:CN200710071986.1
申请日:2007-04-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 可降解聚癸二酸丙三醇酯止血海绵及其制备方法,它涉及一种可降解止血海绵及其制备方法。本发明解决了现有止血海绵存在机械性能较差、成本高、粘附速度慢、易脱落、安全性低的问题。本发明的产品主要由聚癸二酸丙三醇酯制成。本发明方法步骤如下:a、将癸二酸和丙三醇在100~160℃温度范围内缓慢升温同时减压脱水,获得预聚物;b、将预聚物溶于乙醇,加入致孔剂,浇铸于模具固化成型;c、用蒸馏水洗涤,再用钴60照射消毒即可。本发明的产品具有安全性能高、机械性能好、粘附速度较快、粘附牢固、可生物降解的优点,产品涂覆或接枝生物活性因子(钙离子、银离子、凝血酶)后具有止血、消炎、促细胞生长的功能。本发明的方法操作方便,成本低。
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公开(公告)号:CN101608287A
公开(公告)日:2009-12-23
申请号:CN200910072541.4
申请日:2009-07-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种NiTiNbCo宽滞后记忆合金的制备方法,它涉及一种NiTiNbCo记忆合金的制备方法。它解决了目前技术制备的NiTiNbCo记忆合金存在恢复力差、屈服强度低、作为连接紧固件使用安全性能差的问题。其方法:一、将原材料混合翻转搅拌,熔炼,制备铸锭;二、将铸锭重新熔化制棒材、冷却;三、将冷却的棒材抛光,清洗,然后放入石英管中,均匀化处理,淬水、退火,而后热轧成轧制态板材。本发明得到的NiTiNbCo宽滞后记忆合金具有高恢复力,屈服强度高、连接安全可靠的优点。本发明制备方法工艺简单、成本低。
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公开(公告)号:CN101524556A
公开(公告)日:2009-09-09
申请号:CN200910071752.6
申请日:2009-04-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: A61L27/18 , A61L27/56 , A61L27/54 , A61L27/46 , A61L27/48 , A61F2/82 , C08J9/26 , C08G69/44 , A61L27/20 , A61L27/24 , A61L27/22
Abstract: 多孔组织工程支架及其制备方法,本发明涉及组织工程支架及其制备方法。本发明解决了现有组织工程支架与细胞相容性差的问题。本发明多孔组织工程支架主要由α-羟基酸和氨基酸的共聚物和致孔剂制成;本发明的方法如下:将α-羟基酸和氨基酸制成聚合物;模压或浇铸成型即可。本发明多孔组织工程支架与细胞相容性好。本发明的方法工艺简单,便于操作。
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