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公开(公告)号：CN114591686B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202210235074.8
申请日：2022-03-11
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
IPC: C09G1/02 , C23F3/04 , C23F11/10 , C23F11/14 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种铜阻挡层化学机械抛光液及其应用，该抛光液包含研磨颗粒、双组分腐蚀抑制剂、络合剂、润湿剂、pH调节剂和氧化剂，余量为水。在铜阻挡层化学机械抛光过程中，本发明的双组分腐蚀抑制剂通过竞争吸附在铜的凹陷处形成保护膜；随着CMP的进行，腐蚀抑制剂分子膜会呈现“刹车”效应，使得铜的抛光速率逐渐降低，以达到全局平坦化的效果，改善抛光后晶圆的表面质量。
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公开(公告)号：CN114591686A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210235074.8
申请日：2022-03-11
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
IPC: C09G1/02 , C23F3/04 , C23F11/10 , C23F11/14 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种铜阻挡层化学机械抛光液及其应用，该抛光液包含研磨颗粒、双组分腐蚀抑制剂、络合剂、润湿剂、pH调节剂和氧化剂，余量为水。在铜阻挡层化学机械抛光过程中，本发明的双组分腐蚀抑制剂通过竞争吸附在铜的凹陷处形成保护膜；随着CMP的进行，腐蚀抑制剂分子膜会呈现“刹车”效应，使得铜的抛光速率逐渐降低，以达到全局平坦化的效果，改善抛光后晶圆的表面质量。
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公开(公告)号：CN113861848A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111312049.7
申请日：2021-11-08
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明提供一种再生晶圆化学机械抛光液及其制备方法，其质量百分数组成包括5％～50％的研磨颗粒、0.1％～10％的速率促进剂、0.5％～5％的络合剂、0.1％～2％的pH调节剂、0.001％～1％的非离子表面活性剂和0.001％～1％的甜菜碱型两性离子表面活性剂，余量为水。该抛光液可有效修复再生晶圆表面损伤，去除表面残余膜，并保持对硅晶圆的高去除速率。抛光后再生晶圆表面质量优异，增加循环使用次数。
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公开(公告)号：CN113802122A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111066247.X
申请日：2021-09-13
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
IPC: C23F3/06
Abstract: 本发明公开了一种减少点腐蚀的钨插塞化学机械抛光液及其应用，所述抛光液包含如下质量百分含量的组分：2％‑20％研磨剂、0.5％～5％的氧化剂、0.01％～0.5％的钨催化剂，0.01％‑0.05％的点腐蚀抑制剂，其余部分为去离子水。本发明的钨插塞化学机械抛光液具有抛光速率快、表面质量好、稳定性优异等特点。
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公开(公告)号：CN113583572A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110775237.7
申请日：2021-07-09
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钨化学机械抛光液及其应用，所述抛光液包括二氧化硅磨料、硝酸铁、氧化剂、有机酸、表面活性剂和水，其中，所述二氧化硅磨料具有较高的表面粗糙度，且被多胺基聚合物包覆。本发明钨抛光液的磨料被多胺基聚合物包覆，通过多胺基聚合物的质子化和去质子化可逆反应，可以达到pH缓冲的目的，避免因pH局部改变而导致表面抛光不均匀，提高抛光的全局平整度。另外，与含未经改性磨料的抛光液相比，本发明抛光液的胶体稳定性明显提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113549400A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110910821.9
申请日：2021-08-10
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
IPC: C09G1/02 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种提高抛光液循环利用率的方法及硅片抛光方法，通过对待处理的抛光液中添加络合助剂、渗透剂、分散剂、pH值调节剂进行处理，实现抛光液多次循环利用的抛光效果。本发明可延长抛光液循环使用时间，总循环使用次数在30‑40次，且循环过程中硅片表面不易产生划伤，与抛光液未经处理直接循环使用相比，具有显著优势。
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公开(公告)号：CN113802122B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202111066247.X
申请日：2021-09-13
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
IPC: C23F3/06
Abstract: 本发明公开了一种减少点腐蚀的钨插塞化学机械抛光液及其应用，所述抛光液包含如下质量百分含量的组分：2％‑20％研磨剂、0.5％～5％的氧化剂、0.01％～0.5％的钨催化剂，0.01％‑0.05％的点腐蚀抑制剂，其余部分为去离子水。本发明的钨插塞化学机械抛光液具有抛光速率快、表面质量好、稳定性优异等特点。
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公开(公告)号：CN113583572B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202110775237.7
申请日：2021-07-09
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钨化学机械抛光液及其应用，所述抛光液包括二氧化硅磨料、硝酸铁、氧化剂、有机酸、表面活性剂和水，其中，所述二氧化硅磨料具有较高的表面粗糙度，且被多胺基聚合物包覆。本发明钨抛光液的磨料被多胺基聚合物包覆，通过多胺基聚合物的质子化和去质子化可逆反应，可以达到pH缓冲的目的，避免因pH局部改变而导致表面抛光不均匀，提高抛光的全局平整度。另外，与含未经改性磨料的抛光液相比，本发明抛光液的胶体稳定性明显提高。
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公开(公告)号：CN113861848B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202111312049.7
申请日：2021-11-08
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明提供一种再生晶圆化学机械抛光液及其制备方法，其质量百分数组成包括5％～50％的研磨颗粒、0.1％～10％的速率促进剂、0.5％～5％的络合剂、0.1％～2％的pH调节剂、0.001％～1％的非离子表面活性剂和0.001％～1％的甜菜碱型两性离子表面活性剂，余量为水。该抛光液可有效修复再生晶圆表面损伤，去除表面残余膜，并保持对硅晶圆的高去除速率。抛光后再生晶圆表面质量优异，增加循环使用次数。
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公开(公告)号：CN113549399B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202110883514.6
申请日：2021-08-03
Applicant: 万华化学集团电子材料有限公司 , 万华化学集团股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种适用于硅片粗抛光的化学机械抛光组合物及其应用，所述化学机械抛光组合物包括研磨颗粒、含有重氮基团的化合物、pH值调节剂、络合剂和去离子水。本发明的抛光组合物中含有重氮基团的化合物中的重氮基团，带有一个单位的正电荷，与表面带有电荷的研磨粒子发生协同作用，实现了抛光组合物对硅的高速去除。
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