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公开(公告)号：CN101355325A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810086978.9
申请日：2008-04-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02B27/646 , G03B5/00 , H01L41/0973 , H01L41/314 , H04N5/23248 , H04N5/23287 , Y10T29/42
Abstract: 本发明公开了一种致动装置及其制造方法以及使用其的模块位移调节装置。该致动装置包括：可变形的膜；壁，形成在所述膜上以限定空穴；杆，形成在所述空穴中，并且位于所述膜的表面上，在相对于空穴中心的一侧，以与所述膜的变形相关联地运动；致动单元，形成在所述膜的下表面上，以被压电地驱动，从而使膜变形。所述致动装置被应用于小型化的电子装置，可以适当地对功能模块进行致动。
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公开(公告)号：CN1293731C
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN200410061834.X
申请日：2004-06-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04W48/08 , H04W28/26 , H04W72/0413 , H04W72/042 , H04W84/12 , H04W88/08
Abstract: 一种在基本结构模式中使用AP的基于时分的无线LAN通信方法，所述方法包括以下步骤：在AP方，从站接收时隙分配请求帧；根据时隙分配请求帧来分配在其期间站能够发送数据的时隙；并且广播关于所分配的时隙的保留信息。一种基于时分的无线LAN通信系统包括：AP，用于接收站所发送的时隙分配请求帧，基于此分配在其期间站能够发送数据的时隙，并且广播关于所分配的时隙的保留信息；和一个或多个站，用于当具有要发送的数据时，将时隙分配请求帧发送给所述AP，接收关于由所述AP根据所接收的时隙分配请求帧而分配的时隙的保留信息，并且根据所述保留信息来发送数据。
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公开(公告)号：CN1578242A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410061834.X
申请日：2004-06-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04W48/08 , H04W28/26 , H04W72/0413 , H04W72/042 , H04W84/12 , H04W88/08
Abstract: 一种在基本结构模式中使用AP的基于时分的无线LAN通信方法，所述方法包括以下步骤：在AP方，从站接收时隙分配请求帧；根据时隙分配请求帧来分配在其期间站能够发送数据的时隙；并且广播关于所分配的时隙的保留信息。一种基于时分的无线LAN通信系统包括：AP，用于接收站所发送的时隙分配请求帧，基于此分配在其期间站能够发送数据的时隙，并且广播关于所分配的时隙的保留信息；和一个或多个站，用于当具有要发送的数据时，将时隙分配请求帧发送给所述AP，接收与AP根据所接收的时隙分配请求帧所分配的时隙有关的保留信息，并且根据信标的保留来发送数据。
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公开(公告)号：CN115714093A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211011520.3
申请日：2022-08-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种晶片缺陷测试设备、晶片缺陷测试系统和制造晶片的方法。晶片缺陷测试设备包括：晶片变量生成器，其基于接收的第一晶片的第一结构测量数据和第一工艺条件数据生成第一工艺变量和第二工艺变量，基于接收的第二晶片的第二结构测量数据和第二工艺条件数据生成第三工艺变量和第四工艺变量；异常晶片指数生成电路，其生成第一晶片向量和第二晶片向量，计算第一晶片向量和第二晶片向量之间的第一欧几里德距离和第一余弦距离，基于第一欧几里德距离和第一余弦距离的乘积生成第一晶片的第一异常晶片指数；和预测模型生成电路，其接收第一特征变量，基于第一工艺变量、第二工艺变量、第一特征变量和第一异常晶片指数通过回归生成晶片缺陷预测模型。
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公开(公告)号：CN112950530A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202011253287.0
申请日：2020-11-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储包括图像生成模型的程序代码的非暂时性计算机可读介质，该程序代码在被执行时使处理器：将包括晶片的多个半导体管芯中的一些的采样数据的输入数据输入到图像生成模型的生成器网络，并且输出指示所述多个半导体管芯的晶片图；以及将从生成器网络输出的晶片图输入到图像生成模型的鉴别器网络并鉴别晶片图。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101859607A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010158336.2
申请日：2010-03-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C29/56 , G11C5/04 , G11C29/56016 , G11C2029/5602
Abstract: 本发明公开了一种用于存储器安装测试的主板和系统。根据示例性实施例的主板可包括基板和至少一个插座。所述至少一个插座可在与基板平行的方向上将存储器模块连接到基板。包括主板的存储器安装测试系统可占用较小的空间，这是因为所述存储器模块在与主板平行的方向上连接到主板。
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公开(公告)号：CN1101106C
公开(公告)日：2003-02-05
申请号：CN97117573.X
申请日：1997-09-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/225
CPC classification number: H04N5/23287 , G02B27/646 , H04N5/2254 , H04N5/23248
Abstract: 一种抖动控制装置。包括：一第一棱镜，安装得相对于光轴的直角方向可直线移动以折射传播入射光，在相对于移动方向使出射角小于入射角；一第一驱动器，直线驱动第一棱镜；一第二棱镜，安装得与第一棱镜相邻，并在与第一棱镜移动的方向成直角的方向上可直线移动以折射传播入射光，在相对于第二棱镜移动方向使出射角小于入射角，和一直线移动第二棱镜的第二驱动器，通过适当移动第一和第二棱镜，防止在摄像屏幕上形成的图像的抖动。
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公开(公告)号：CN1181676A
公开(公告)日：1998-05-13
申请号：CN97117573.X
申请日：1997-09-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04N5/23287 , G02B27/646 , H04N5/2254 , H04N5/23248
Abstract: 一种抖动控制装置。包括:一第一棱镜,安装得相对于光轴的直角方向可直线移动以折射传播入射光,在相对于移动方向使出射角小于入射角;一第一驱动器,直线驱动第一棱镜;一第二棱镜,安装得与第一棱镜相邻,并在与第一棱镜移动的方向成直角的方向上可直线移动以折射传播入射光,在相对于第二棱镜移动方向使出射角小于入射角,和一直线移动第二棱镜的第二驱动器,通过适当移动第一和第二棱镜,防止在摄像屏幕上形成的图像的抖动。
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公开(公告)号：CN119089945A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202410713503.7
申请日：2024-06-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06N3/0464 , G06N3/0442 , G06N3/0475 , G06N3/047 , G06N3/045 , G06N20/10 , G06N3/126 , G06N3/092 , G06N3/086
Abstract: 提供了生成学习模型的方法和用于预测半导体装置结构的设备。所述设备包括：存储设备，被配置为存储学习模型，学习模型被配置为预测半导体装置的结构；以及存储器，被配置为存储至少一个代码，和至少一个处理器，可操作地连接到存储器并且被配置为执行至少一个代码以：将从半导体装置测量的非破坏性计量数据输入到学习模型中，并且基于学习模型预测半导体装置的结构，其中，学习模型使用训练数据被训练，训练数据包括作为非破坏性计量数据的第一数据和作为结构计量数据的第二数据，第二数据是第一数据的参考数据，并且其中，训练数据基于具有作为参考轴的与第一数据对应的第一轴和与第二数据对应的第二轴的空间中的第一投影数据的相似性被细化。
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公开(公告)号：CN103811079B
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201310560306.8
申请日：2013-11-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/50
Abstract: 公开了半导体器件的测试方法和半导体测试装置。该测试方法包括：提供半导体器件，该半导体器件具有包括有源区和隔离区的衬底、包括在有源区上的栅极绝缘层和栅极、在有源区中的结区、和连接到结区的电容器的易失性器件存储单元、以及在隔离区上的穿过栅极；向栅极提供第一测试电压并且向穿过栅极提供大于第一测试电压的第二测试电压以恶化栅极绝缘层的界面缺陷；以及测量易失性器件存储单元的保持特性。
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