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公开(公告)号：CN112480180A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202010950227.8
申请日：2020-09-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供有机金属化合物、包括其的有机发光器件和包括所述有机发光器件的电子设备，所述有机金属化合物由式1表示，其中式1中的M、L1、L2、n1和n2与在详细说明书中描述的相同。 M(L1)n1(L2)n2。
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公开(公告)号：CN111755629A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010227409.2
申请日：2020-03-27
Abstract: 本发明涉及组合物和包括其的有机发光器件，所述组合物包括：包括由式1表示的化合物的第一化合物、包括由式2表示的化合物的第二化合物、以及包括由式3表示的化合物的第三化合物，其中式1至3的描述与说明书中描述的相同：式1式2式3
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公开(公告)号：CN101691420B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200910009844.1
申请日：2009-01-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C08G61/126 , C08G61/123 , H01B1/127 , H01L51/0036 , H01L51/0043 , H01L51/0545 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及有机半导体共聚物和包括其的有机电子器件。根据示例性实施方式的有机半导体共聚物可由下式1表示。有机电子器件可包括上述有机半导体共聚物。根据示例性实施方式的有机半导体共聚物可提供改善的溶解性、加工性能和薄膜性能。因此，该有机半导体共聚物可用在多种电子器件中。合适的电子器件可为有机薄膜晶体管。当有机薄膜晶体管的有源层包含该有机半导体共聚物时，可获得更高的电荷迁移率和更低的断路泄漏电流。(式1)
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公开(公告)号：CN1891754B
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN200610093726.X
申请日：2006-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0036 , C08G61/122 , C08G61/126 , H01L51/0035 , H01L51/0545
Abstract: 本发明公开了一种有机聚合物半导体化合物，使用该化合物形成有机聚合物半导体薄膜的方法，和使用该化合物的有机薄膜晶体管。本发明的实施方式涉及侧链含有可除去的取代基的有机聚合物半导体化合物，同时涉及使用该有机聚合物半导体化合物作为有机活性层的有机薄膜晶体管，其具有较低的泄漏电流、较高的电荷载流子迁移率，和/或较高的开-关比。
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公开(公告)号：CN100514696C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200610003637.1
申请日：2006-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40 , C08L101/04
CPC classification number: H01L21/0212 , H01L21/02282 , H01L21/3127 , H01L21/31691 , H01L51/0036 , H01L51/052 , H01L51/0529 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 一种包括氟类聚合物薄膜的有机薄膜晶体管及其制备方法。该有机薄膜晶体管可以包括形成在基板上的的栅极、栅绝缘层、有机半导体层、源极和漏极，其中氟类聚合物薄膜可以在栅绝缘层和有机半导体层之间的界面处形成(或沉积)。该有机薄膜晶体管可以具有更高电荷载流子迁移率和/或更高开关电流比(I开/I关)。此外，聚合物有机半导体可以用于通过湿法工艺形成绝缘层和有机半导体层，因此可以通过简化的过程以降低的成本制造有机薄膜晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101200471A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200710181168.7
申请日：2007-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C09K19/3491 , C07D495/22 , C09K19/3494 , C09K19/40 , C09K2019/3408 , H01L51/0056 , H01L51/0074 , H01L51/0508 , Y02E10/549
Abstract: 本发明提供包括其中所有六个环可以稠合在一起的二－噻吩并－苯并－噻吩并－噻吩衍生物的杂并苯化合物、包括该杂并苯化合物的有机薄膜、以及包括作为载流子传输层的该有机薄膜的电子器件。本发明的化合物可以具有紧密平面结构从而实现溶剂溶解性和加工性能的改善。当该化合物用于电子器件时，可以应用沉积工艺或室温溶液工艺，并且也可以有效地实现分子间堆积和堆叠，导致电学性能提高，包括增加的电荷迁移率。
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公开(公告)号：CN117479565A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310937852.2
申请日：2023-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K50/12 , H10K101/40
Abstract: 公开发光器件和包括所述发光器件的电子设备。所述发光器件包括第一电极、与所述第一电极相对的第二电极、以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的中间层，其中所述中间层包括发射层，其中所述发射层包括m1种掺杂剂和m2种主体，并且m1和m2各自为1或更大，当m1为2或更大时，则两种或更多种掺杂剂彼此不同，当m2为2或更大时，则两种或更多种主体彼此不同，并且所述发光器件满足条件1，其中条件1可通过参照本文中提供的描述而理解。条件10德拜·V≤DMEML×(Vop‑Vinj)≤3.41德拜·V。
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公开(公告)号：CN116891507A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310382671.8
申请日：2023-04-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开有机金属化合物、包括其的有机发光器件、和包括所述有机发光器件的电子设备。所述有机金属化合物由式1表示，在式1中，M1为过渡金属，L1为由式1A表示的配体，L2为由式1B表示的配体，并且n1和n2各自独立地为1或2，其中式1A和1B中的环CY1、环CY2、环CY4、R1、R2、R4、R31、R32、X1‑X4、Y1、Z1、Z2、a1、a2、b1、b2、b31、b32和b4分别如本文中所描述的，并且*和*'各自表示与M1的结合位点。式1M1(L1)n1(L2)n2#imgabs0#
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公开(公告)号：CN113698434A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110561337.X
申请日：2021-05-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及有机金属化合物、包括有机金属化合物的有机发光器件、和包括有机发光器件的电子设备。有机金属化合物由式1表示，其中，M为过渡金属，L1和L2为如本文中提供的配体，n1和n2各自独立地为1或2，n1和n2之和为2或3，和L1不同于L2。式1M(L1)n1(L2)n2。
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公开(公告)号：CN111747992A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010228605.1
申请日：2020-03-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供有机金属化合物、包括其的有机发光器件和包括该有机发光器件的电子设备，所述有机金属化合物由式1表示，其中，在式1中，Y2、环CY1、环CY2、T1、T2、A1-A7、a1和a2如说明书中所定义。 。
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