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公开(公告)号：CN108807387A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810347421.X
申请日：2018-04-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11 , H01L29/423
Abstract: 公开了一种半导体器件，其包括：第一有源图案和第二有源图案，第一有源图案和第二有源图案在衬底上在第一方向上延伸并且在交叉第一方向的第二方向上彼此间隔开；第一栅极结构，其跨越第一有源图案和第二有源图案延伸；第二栅极结构，其与第一栅极结构间隔开；以及节点接触，其在第一栅极结构与第二栅极结构之间，将第一有源图案和第二有源图案彼此电连接。节点接触包括与第一有源图案相邻的第一端和与第二有源图案相邻的第二端。节点接触的第二端在第一方向上相对于节点接触的第一端偏移，从而距离第二栅极结构比距离第一栅极结构更近。
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公开(公告)号：CN113707658B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202110850759.9
申请日：2016-04-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L27/02 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，具有有源图案和源极/漏极区域；栅电极，在第一方向上与有源图案交叉并在与第一方向垂直的第二方向上彼此隔开；第一接触和第二接触，分别电连接至源极/漏极区域并在第二方向上间隔开，当在平面图中观看时，源极/漏极区域和与之连接的第一接触和第二接触位于栅电极之间，第一接触中的每一个与最靠近第一接触的栅电极的相应对的相邻栅电极分别隔开第一间隔距离和第二间隔距离，第二接触中的每一个与最靠近第二接触的栅电极的相应对的相邻栅电极分别隔开第三间隔距离和第四间隔距离，第一间隔距离与第二间隔距离的比不同于第三间隔距离与第四间隔距离的比。
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公开(公告)号：CN113707658A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110850759.9
申请日：2016-04-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L27/02 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，具有有源图案和源极/漏极区域；栅电极，在第一方向上与有源图案交叉并在与第一方向垂直的第二方向上彼此隔开；第一接触和第二接触，分别电连接至源极/漏极区域并在第二方向上间隔开，当在平面图中观看时，源极/漏极区域和与之连接的第一接触和第二接触位于栅电极之间，第一接触中的每一个与最靠近第一接触的栅电极的相应对的相邻栅电极分别隔开第一间隔距离和第二间隔距离，第二接触中的每一个与最靠近第二接触的栅电极的相应对的相邻栅电极分别隔开第三间隔距离和第四间隔距离，第一间隔距离与第二间隔距离的比不同于第三间隔距离与第四间隔距离的比。
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公开(公告)号：CN113451294A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110243878.8
申请日：2021-03-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种集成电路器件包括：鳍型有源区域，在衬底上沿第一水平方向延伸；栅极线，在鳍型有源区域上沿第二水平方向延伸；第一和第二源极/漏极区域，布置在鳍型有源区域上；第一源极/漏极接触图案，连接到第一源极/漏极区域并包括在竖直方向上具有第一高度的第一区段；第二源极/漏极接触图案，连接到第二源极/漏极区域并包括在竖直方向上具有小于第一高度的第二高度的第二区段；以及绝缘盖线，在栅极线上沿第二水平方向延伸并包括在第一区段与第二区段之间的不对称盖部分，该不对称盖部分具有在第一水平方向上的可变厚度。
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公开(公告)号：CN113270499A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110180664.0
申请日：2021-02-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L27/02
Abstract: 本申请提供了半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底、在衬底上的栅极结构、以及在栅极结构中的栅极接触。栅极结构包括在第一方向上延伸的栅电极和在栅电极上的栅极覆盖图案。栅极接触连接到栅电极。栅电极包括沿着栅极接触和栅极覆盖图案之间的边界延伸的突起。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109786378A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811337662.2
申请日：2018-11-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088
Abstract: 本公开提供了集成电路器件。一种集成电路器件包括：基板，具有在第一方向上延伸的鳍型有源区域；栅极结构，在基板上与鳍型有源区域交叉并在垂直于第一方向且平行于基板的上表面的第二方向上延伸；引导图案，在第二方向上在栅极结构上延伸，并具有在第二方向上延伸的倾斜侧表面；源极/漏极区域，设置在栅极结构的两侧；以及第一接触，电连接到源极/漏极区域之一，并且第一接触的上部接触引导图案的倾斜侧表面。引导图案的上部在第一方向上的宽度小于引导图案的下部在第一方向上的宽度。
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公开(公告)号：CN108695323A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810295185.1
申请日：2018-03-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L23/528 , H01L27/11
CPC classification number: H01L29/41775 , H01L21/823425 , H01L21/823475 , H01L27/0207 , H01L27/0886 , H01L27/0924 , H01L27/1104 , H01L27/1211 , H01L29/0649 , H01L29/41791 , H01L29/66795 , H01L29/785 , H01L21/823821 , H01L21/823871 , H01L23/5283 , H01L27/1116
Abstract: 一种半导体器件包括鳍型有源图案中的源/漏区、与源/漏区相邻的栅结构以及源/漏区和栅结构上的绝缘层。共享接触插塞穿透绝缘层，并且包括连接到源/漏区的第一下部、连接到栅结构的第二下部以及连接到第一下部和第二下部的上表面的上部。插塞间隔物膜位于第一下部和第二下部中的至少一个与绝缘层之间，并且包括与绝缘层的材料不同的材料。
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公开(公告)号：CN116995076A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310472914.7
申请日：2023-04-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/10 , H01L29/417 , H01L29/423
Abstract: 一种半导体器件包括：元件隔离结构，具有彼此相反的第一侧壁和第二侧壁；与第一侧壁接触并在第二方向上延伸的第一鳍形图案；与第一侧壁接触并在第二方向上延伸的第二鳍形图案；在第一鳍形图案上的第一栅电极；在第一和第二鳍形图案上并在第一栅电极和元件隔离结构之间延伸的第一源极/漏极接触；以及在第一源极/漏极接触上并连接到第一源极/漏极接触的布线结构，其中第一源极/漏极接触包括与第一和第二鳍形图案交叉的下接触区、从下接触区突出的上接触区、以及虚设接触区，布线结构接触上接触区而不接触虚设接触区。
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公开(公告)号：CN108695323B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201810295185.1
申请日：2018-03-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L23/528 , H10B10/00
Abstract: 一种半导体器件包括鳍型有源图案中的源/漏区、与源/漏区相邻的栅结构以及源/漏区和栅结构上的绝缘层。共享接触插塞穿透绝缘层，并且包括连接到源/漏区的第一下部、连接到栅结构的第二下部以及连接到第一下部和第二下部的上表面的上部。插塞间隔物膜位于第一下部和第二下部中的至少一个与绝缘层之间，并且包括与绝缘层的材料不同的材料。
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公开(公告)号：CN115223935A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210149711.X
申请日：2022-02-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8234
Abstract: 提供一种半导体装置。该半导体装置包括：第一鳍状图案，在第一方向上纵向延伸；第二鳍状图案，在第二方向上与第一鳍状图案间隔开并且在第一方向上纵向延伸；第一栅电极，在第一鳍状图案上在第二方向上纵向延伸；第二栅电极，在第二鳍状图案上在第二方向上纵向延伸；第一栅极分离结构，将第一栅电极和第二栅电极分离并且与第一栅电极和第二栅电极处于同一竖直水平；第一连接源/漏接触件，在第一鳍状图案和第二鳍状图案上在第二方向上纵向延伸。第一连接源/漏接触件包括与第一鳍状图案和第二鳍状图案相交的第一下源/漏接触区域和从第一下源/漏接触区域突出的第一上源/漏接触区域，第一上源/漏接触区域在第一方向上不与第一栅极分离结构叠置。
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