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公开(公告)号：CN1637033A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410100010.9
申请日：2004-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C08G18/482 , C08G2101/0025 , C08G2101/0041 , C08J9/141 , C08J9/148 , C08J9/30 , C08J2205/052 , C08J2205/10 , C08J2375/04
Abstract: 一种生产刚性聚氨酯泡沫塑料的方法，它包括：将成核剂和多元醇及泡沫稳定剂混合来乳化成核剂；在下列时间之一混和水、催化剂和发泡剂来制备多元醇混合物：乳化前、乳化过程中及乳化后；以及将多元醇混合物和多异氰酸酯反应。
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公开(公告)号：CN118139408A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202311617570.0
申请日：2023-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：有源图案；栅极结构，在有源图案的上部中；位线结构，在有源图案上，位线结构包括第一金属；第一间隔件，在位线结构的侧壁上，第一间隔件包括比具有比第一金属的电离能小的电离能的第二金属的氧化物；第二间隔件，在第一间隔件的外侧壁上，第二间隔件包括第三金属的氧化物；第三间隔件，在第二间隔件的外侧壁的下部上，第三间隔件包括氮化物；第四间隔件，在第二间隔件的外侧壁的上部和第三间隔件上；第五间隔件和第六间隔件，从第四间隔件的外侧壁在水平方向上顺序地堆叠。
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公开(公告)号：CN111326517B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN201910840843.5
申请日：2019-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及包括间隔物的半导体器件和制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括：衬底；第一杂质注入区域和第二杂质注入区域，在衬底上并彼此间隔开；存储节点接触，与第一杂质注入区域接触，存储节点接触包括具有第一宽度的上接触和在上接触的下部处的具有大于第一宽度的第二宽度的下接触；位线，电连接到第二杂质注入区域并配置为跨过衬底；位线节点接触，在位线和第二杂质注入区域之间；以及间隔物，在存储节点接触和位线之间以及存储节点接触和位线节点接触之间。
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公开(公告)号：CN117295329A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202310634943.9
申请日：2023-05-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00 , H01L23/528
Abstract: 可以提供一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一接触插塞结构，所述第一接触插塞结构位于衬底上；下间隔物结构，所述下间隔物结构位于所述第一接触插塞结构的侧壁上；以及位线结构，所述位线结构位于所述第一接触插塞结构上，并且包括在与所述衬底的上表面基本垂直的垂直方向上堆叠的导电结构和绝缘结构。所述第一接触插塞结构可以包括接触所述衬底的所述上表面的导电焊盘、位于所述导电焊盘上的欧姆接触图案和位于所述欧姆接触图案上的导电填充图案。所述导电填充图案可以包括金属，并且包括具有相对大的宽度的下部和具有相对小的宽度的上部。所述下间隔物结构可以接触所述导电填充图案的侧壁。
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公开(公告)号：CN114188324A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202110658864.2
申请日：2021-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 公开了半导体装置。所述半导体装置可以包括：有源图案；栅极结构，在有源图案的上部中；位线结构，在有源图案上；下间隔件结构，在位线结构的侧壁的下部上；以及上间隔件结构，在位线结构的侧壁的上部上。下间隔件结构包括顺序地堆叠的第一下间隔件和第二下间隔件，第一下间隔件接触位线结构的侧壁的下部且不包括氮，并且第二下间隔件包括与第一下间隔件不同的材料。上间隔件结构的接触位线结构的侧壁的上部的部分包括与第一下间隔件不同的材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113410225A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202011481686.2
申请日：2020-12-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/108 , H01L43/08 , H01L45/00
Abstract: 公开了一种半导体存储器器件。所述器件可以包括：第一杂质区域和第二杂质区域，设置在衬底中且彼此间隔开，所述第二杂质区域具有比所述第一杂质区域高的顶表面；器件隔离图案，介于所述第一杂质区域与所述第二杂质区域之间；第一接触塞，与所述第一杂质区域接触并具有比所述第二杂质区域的顶表面低的底表面；间隙填充绝缘图案，介于所述第一接触塞与所述第二杂质区域之间；第一保护间隔物，介于所述间隙填充绝缘图案与所述第二杂质区域之间；以及第一间隔物，与所述第一接触塞的侧表面和所述器件隔离图案接触，并且介于所述第一保护间隔物与所述间隙填充绝缘图案之间。
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公开(公告)号：CN112310082A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010741490.6
申请日：2020-07-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L23/528
Abstract: 提供了一种半导体装置。该半导体装置包括：衬底；位线结构，其设置在衬底上；沟槽，其与位线结构的至少一侧相邻；存储接触结构，其设置在沟槽内，并且包括按次序堆叠的存储接触件、硅化物层和存储焊盘；以及间隔件结构，其设置在位线结构与存储接触结构之间。
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公开(公告)号：CN1891730A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610100076.7
申请日：2004-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C08G18/32 , C08G18/08 , C08J9/02 , C08G101/00
Abstract: 一种生产刚性聚氨酯泡沫塑料的方法，它包括：将成核剂和多元醇及泡沫稳定剂混合来乳化成核剂；在下列时间之一混和水、催化剂和发泡剂来制备多元醇混合物：乳化前、乳化过程中及乳化后；以及将多元醇混合物和多异氰酸酯反应。
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公开(公告)号：CN1293112C
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN200410100010.9
申请日：2004-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C08G18/32 , C08J9/02 , C08G101/00
CPC classification number: C08G18/482 , C08G2101/0025 , C08G2101/0041 , C08J9/141 , C08J9/148 , C08J9/30 , C08J2205/052 , C08J2205/10 , C08J2375/04
Abstract: 一种生产刚性聚氨酯泡沫塑料的方法，它包括：将成核剂和多元醇及泡沫稳定剂混合来乳化成核剂；在下列时间之一混和水、催化剂和发泡剂来制备多元醇混合物：乳化前、乳化过程中及乳化后；以及将多元醇混合物和多异氰酸酯反应。
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公开(公告)号：CN112447726B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202010644166.2
申请日：2020-07-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00 , H01L23/528
Abstract: 提供了一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：有源区域，由形成在基底中的器件隔离层限定；字线，被构造为穿过有源区域，字线在第一方向上延伸并且形成在基底中；位线，在字线上在与第一方向垂直的第二方向上延伸；第一接触件，将位线连接到有源区域；第一掩模，用于形成有源区域，第一掩模形成在有源区域上；以及第二掩模，第二掩模的顶表面的高度比有源区域的顶表面的高度大，第二掩模覆盖字线，其中，有源区域具有延伸为相对于第一方向形成锐角的条形形状。
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