-
公开(公告)号：CN107022354A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201610963463.7
申请日：2016-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C09K11/025 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C08K3/16 , C08K2201/001 , C09K11/02 , C09K11/616 , C09K11/665 , C09K11/88 , C09K11/881 , C09K11/883 , H01L27/322 , H01L2251/5369 , Y10S977/774 , Y10S977/896 , Y10S977/95 , C09K11/66 , H01L33/502
Abstract: 本发明涉及量子点、其制造方法、量子点‑聚合物复合物和包括其电子装置。量子点具有钙钛矿晶体结构和包括由化学式1表示的化合物，其中，A为选自Rb、Cs、Fr、及其组合的IA族金属，B为选自Si、Ge、Sn、Pb、及其组合的IVA族金属，X为选自F、Cl、Br、和I的卤素、BF4‑、或其组合，和α大于0且小于或等于约3；和其中所述量子点具有约1纳米‑约50纳米的尺寸。化学式1ABX3+α。
-
公开(公告)号：CN112680211B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202011109701.0
申请日：2020-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及芯壳量子点、其制造方法、量子点群、量子点复合物、量子点组合物和显示器件。公开了芯壳量子点及其制造，所述芯壳量子点包括：包括第一半导体纳米晶体的芯，所述第一半导体纳米晶体包括锌、碲、和硒；和设置在所述芯上的半导体纳米晶体壳，所述半导体纳米晶体壳包括锌、以及硒、硫或其组合，其中所述芯壳量子点不包括镉、铅、汞、或其组合，其中所述芯壳量子点包括氯，其中在所述芯壳量子点中，氯相对于碲的摩尔比大于或等于约0.01:1，和其中所述芯壳量子点的量子效率大于或等于约10％。
-
公开(公告)号：CN111834499B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202010306370.3
申请日：2020-04-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开纳米片、其制造方法、以及包括其的半导体纳米晶体‑聚合物复合物和电子器件。所述纳米片包括：包括第一半导体纳米晶体的二维模板；以及设置在所述二维模板的表面上的包括第二半导体纳米晶体的第一壳，所述第二半导体纳米晶体具有与所述第一半导体纳米晶体不同的组成，其中所述第二半导体纳米晶体包括III‑V族化合物，并且其中所述纳米片不包括镉。
-
公开(公告)号：CN108219769B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN201711337199.7
申请日：2017-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开发射性纳米晶体颗粒、其制备方法和包括发射性纳米晶体颗粒的器件。所述发射性纳米晶体颗粒包括：包括包含III‑V族化合物的第一半导体纳米晶体的芯和包围所述芯的包含第二半导体纳米晶体的壳，其中所述发射性纳米晶体颗粒包括非发射性I族元素。
-
公开(公告)号：CN107022354B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN201610963463.7
申请日：2016-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及量子点、其制造方法、量子点‑聚合物复合物和包括其电子装置。量子点具有钙钛矿晶体结构和包括由化学式1表示的化合物，其中，A为选自Rb、Cs、Fr、及其组合的IA族金属，B为选自Si、Ge、Sn、Pb、及其组合的IVA族金属，X为选自F、Cl、Br、和I的卤素、BF4‑、或其组合，和α大于0且小于或等于约3；和其中所述量子点具有约1纳米‑约50纳米的尺寸。化学式1ABX3+α。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111834499A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010306370.3
申请日：2020-04-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开纳米片、其制造方法、以及包括其的半导体纳米晶体-聚合物复合物和电子器件。所述纳米片包括：包括第一半导体纳米晶体的二维模板；以及设置在所述二维模板的表面上的包括第二半导体纳米晶体的第一壳，所述第二半导体纳米晶体具有与所述第一半导体纳米晶体不同的组成，其中所述第二半导体纳米晶体包括III-V族化合物，并且其中所述纳米片不包括镉。
-
公开(公告)号：CN108219769A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711337199.7
申请日：2017-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开发射性纳米晶体颗粒、其制备方法和包括发射性纳米晶体颗粒的器件。所述发射性纳米晶体颗粒包括：包括包含III‑V族化合物的第一半导体纳米晶体的芯和包围所述芯的包含第二半导体纳米晶体的壳，其中所述发射性纳米晶体颗粒包括非发射性I族元素。
-
公开(公告)号：CN106957652A
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201611195503.4
申请日：2016-12-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/04 , C09K11/025 , C09K11/615 , C09K11/70 , C09K11/883 , H01L33/24 , H01L33/28 , H01L33/30 , H01L33/32 , H01L33/34 , C09K11/722 , B82Y30/00 , C08K9/10 , C09K2211/14 , H01L33/502 , C08L35/02
Abstract: 本发明涉及量子点、制造其的方法，包括其的量子点聚合物复合物和器件。量子点包括芯‑壳结构，所述芯‑壳结构包括：包括第一半导体纳米晶体的芯、和设置在所述芯上并且包括结晶或无定形材料和至少两种不同的卤素的壳，且所述量子点不包括镉。
-
公开(公告)号：CN112680210B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202011108907.1
申请日：2020-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K11/02 , C09K11/88 , H10H20/851
Abstract: 公开了芯壳量子点、其制造方法、包括其的量子点复合物、量子点组合物、显示器件和电子器件，所述芯壳量子点包括：包括第一半导体纳米晶体并且包括锌、碲、和硒的芯，和设置在所述芯上并且包括锌硫属化物的半导体纳米晶体壳，其中所述芯壳量子点不包括镉、铅、汞、或其组合，其中在所述量子点的X射线光电子能谱中，作为面积百分比的Te氧化物的峰面积对Te3d5/2的峰面积小于或等于约25％。
-
公开(公告)号：CN119370883A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411004299.8
申请日：2024-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 半导体纳米颗粒、制备半导体纳米颗粒的方法、和包括半导体纳米颗粒的电致发光器件和显示设备。制备半导体纳米颗粒的方法包括使锌前体和硫前体在第一颗粒的存在下以在预定的温度下接触在所述第一颗粒上形成含有硫化锌的半导体纳米晶体层，其中所述第一颗粒包括包含锌、硒、和任选地碲的II‑VI族化合物，或者所述第一颗粒包括包含铟和磷的III‑V族化合物。所述预定的温度包括(例如，为)大于300℃且小于或等于约380℃的温度(例如，反应温度)，并且所述硫前体包括C3(例如C9)至C50的硫醇化合物或其组合。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
28
records
(took 0.038 seconds)
