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公开(公告)号：CN109913220A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201811622060.1
申请日：2015-07-15
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C09K13/06 , C09K13/04 , H01L21/311
Abstract: 本发明涉及一种蚀刻用组合物、一种该组合物的制备方法、以及一种使用该组合物制备半导体器件的方法。所述组合物可以包含第一无机酸、至少一种通过第二无机酸和硅烷化合物之间的反应生成的硅烷无机酸盐以及溶剂。所述第二无机酸可以为选自硫酸、发烟硫酸、硝酸、磷酸以及它们的组合中的至少一种。
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公开(公告)号：CN105273718B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201510415950.5
申请日：2015-07-15
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C09K13/06 , C09K13/04 , H01L21/311
Abstract: 本发明涉及一种蚀刻用组合物、一种该组合物的制备方法、以及一种使用该组合物制备半导体器件的方法。所述组合物可以包含第一无机酸、至少一种通过第二无机酸和硅烷化合物之间的反应生成的硅烷无机酸盐以及溶剂。所述第二无机酸可以为选自硫酸、发烟硫酸、硝酸、磷酸以及它们的组合中的至少一种。
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公开(公告)号：CN108291132B
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN201680071078.X
申请日：2016-10-28
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C09K3/00 , H01L21/306 , C09K13/06 , C09K13/04 , C09K13/08
Abstract: 本发明涉及蚀刻用组合物以及包括利用该蚀刻用组合物的蚀刻工艺的半导体器件的制造方法，所述蚀刻用组合物包含：第一无机酸；第一添加剂，其为选自亚磷酸(phosphorous acid)、有机亚磷酸酯(organic phosphite)、次磷酸盐(hypophosphite)及它们的混合物中的任意一种；以及溶剂。所述蚀刻用组合物能够最大限度地降低氧化膜的蚀刻率，并且能够选择性地去除氮化膜，不会产生对器件特性造成恶劣影响的颗粒，具有高选择比。
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公开(公告)号：CN108291132A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680071078.X
申请日：2016-10-28
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C09K3/00 , H01L21/306 , C09K13/06 , C09K13/04 , C09K13/08
CPC classification number: C09K3/00 , C09K13/04 , C09K13/06 , C09K13/08 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及蚀刻用组合物以及包括利用该蚀刻用组合物的蚀刻工艺的半导体器件的制造方法，所述蚀刻用组合物包含：第一无机酸；第一添加剂，其为选自亚磷酸(phosphorous acid)、有机亚磷酸酯(organic phosphite)、次磷酸盐(hypophosphite)及它们的混合物中的任意一种；以及溶剂。所述蚀刻用组合物能够最大限度地降低氧化膜的蚀刻率，并且能够选择性地去除氮化膜，不会产生对器件特性造成恶劣影响的颗粒，具有高选择比。
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公开(公告)号：CN109689838A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201780055665.4
申请日：2017-12-26
Applicant: 秀博瑞殷株式公社
IPC: C09K13/06 , H01L21/306 , H01L21/3213 , C09K13/04
Abstract: 本发明涉及一种蚀刻用组合物，以及包括使用所述蚀刻用组合物的蚀刻工艺的制造半导体器件的方法，所述蚀刻用组合物包含第一无机酸、第一添加剂和溶剂。所述蚀刻用组合物可以使氧化物膜的蚀刻速率最小化同时选择性地去除氮化物膜，并且没有不利地影响器件特性的诸如产生粒子的问题，并且是高选择性的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110885685B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN201910825559.0
申请日：2019-09-03
IPC: C09K13/08 , C09K13/00 , H01L21/306 , H01L21/28
Abstract: 提供了一种蚀刻组合物和一种使用该蚀刻组合物制造半导体器件的方法。根据实施例，所述蚀刻组合物可以包括：大约15重量％至大约75重量％的过乙酸；氟化合物；胺化合物；以及有机溶剂。
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公开(公告)号：CN110885685A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201910825559.0
申请日：2019-09-03
IPC: C09K13/08 , C09K13/00 , H01L21/306 , H01L21/28
Abstract: 提供了一种蚀刻组合物和一种使用该蚀刻组合物制造半导体器件的方法。根据实施例，所述蚀刻组合物可以包括：大约15重量％至大约75重量％的过乙酸；氟化合物；胺化合物；以及有机溶剂。
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公开(公告)号：CN110911278B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN201910879827.7
申请日：2019-09-18
IPC: H01L21/306 , C23F1/18 , C23F1/26 , C23F1/20 , C23F1/28
Abstract: 公开了蚀刻金属阻挡层和金属层的方法以及制造半导体器件的方法。所述方法包括：在衬底上形成金属阻挡层和金属层；以及使用蚀刻组合物蚀刻金属阻挡层和金属层。蚀刻组合物可以包括：氧化剂，选自于硝酸、溴酸、碘酸、高氯酸、过溴酸、高碘酸、硫酸、甲磺酸、对甲苯磺酸、苯磺酸或它们的组合；金属蚀刻抑制剂，包括由如在说明书中所示的化学式1表示的化合物；以及金属氧化物增溶剂，选自于磷酸、磷酸盐、具有3个至20个碳原子的羧酸或它们的组合。
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公开(公告)号：CN117448824A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311566341.0
申请日：2019-09-18
Abstract: 公开了蚀刻金属阻挡层和金属层的方法以及制造半导体器件的方法。所述方法包括：在衬底上形成金属阻挡层和金属层；以及使用蚀刻组合物蚀刻金属阻挡层和金属层。蚀刻组合物可以包括：氧化剂，选自于硝酸、溴酸、碘酸、高氯酸、过溴酸、高碘酸、硫酸、甲磺酸、对甲苯磺酸、苯磺酸或它们的组合；金属蚀刻抑制剂，包括由如在说明书中所示的化学式1表示的化合物；以及金属氧化物增溶剂，选自于磷酸、磷酸盐、具有3个至20个碳原子的羧酸或它们的组合。
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公开(公告)号：CN111410964A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN202010013430.2
申请日：2020-01-07
IPC: C09K13/04 , C09K13/06 , C09K13/08 , H01L21/311
Abstract: 本申请公开了蚀刻剂组合物和制作半导体器件的方法，所述组合物包含：无机酸；约0.01重量份至约0.5重量份的胶状二氧化硅；约0.01重量份至约30重量份的铵系添加剂；和约20重量份至约50重量份的溶剂，所有重量份都是基于100重量份的所述无机酸。
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