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公开(公告)号：CN1592524A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410058745.X
申请日：2004-07-28
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B41M5/41 , B32B7/02 , B41M5/42 , B41M5/426 , B41M5/443 , B41M2205/02 , B41M2205/38 , H01L51/0013 , Y10S428/913 , Y10S428/914 , Y10S428/917 , Y10T428/26 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明公开了一种平面显示器的施体薄膜及利用其制造有机发光器件的方法。为平面显示器提供的该施体薄膜具有：基膜、置于基膜上的光－热转化层、置于光－热转化层上的缓冲层以及置于该光－热转化层和转移层之间的缓冲层，其中缓冲层包括其玻璃转换温度(Tg)低于25℃的材料。为平面显示器提供的该施体薄膜在施主基板的光－热转化层和转移层之间插入该缓冲层，从而改善该转移层和施主基板之间的粘结力。因此，通过利用施体薄膜对转移层进行转移而在受体基板上形成的有机层图案不包含任何缺陷。
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公开(公告)号：CN100433398C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN03148788.2
申请日：2003-06-26
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: C09K11/06 , C09K2211/10 , C09K2211/1003 , C09K2211/1018 , C09K2211/14 , C09K2211/1408 , C09K2211/1441 , H01L51/0013 , H01L51/0037 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/5012 , H05B33/14 , Y10S428/917
Abstract: 本发明公开了一种有机EL装置，其中通过提供一种包括第一电极，空穴迁移层、发光层，和第二电极的有机EL装置而改进发光效率、颜色纯度和激光诱导的热成像特性，其中发光层使用光学活性低分子电荷迁移材料和高分子发光物质的混合物。
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公开(公告)号：CN1744782A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200410099748.8
申请日：2004-12-31
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0013 , H01L27/3244
Abstract: 提供了一种制造有机发光显示器的方法。该方法包括：准备用于供体基板的基底；清洗基底；在已清洗的基底上形成转印层；以及通过使得供体基板与像素电极形成于其上的基板相对来构图转印层。
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公开(公告)号：CN1744778A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200410095472.6
申请日：2004-12-31
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B41J2/325 , B41M5/38221 , H01L51/0013 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供一种制造有机发光显示器的激光感热成像(LITI)装置。该激光感热成像装置包括：一个布置有基板的平台；一个用于传输施主基板的传输装置；一个叠层该基板与施主基板的叠层器；一个执行LITI的激光光学单元；和提供有一种惰性气体的大气压力的室，前述平台、叠层器和激光光学单元被布置在该室中。根据本发明的LITI装置通过调整惰性气体气氛中氧气和水蒸汽的分压来进行转移工艺，从而可以保护基板上将被转移的有机层和像素电极免受外部空气的影响，从而提高了所制造有机发光显示器的寿命特性。
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公开(公告)号：CN1665359A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN200410075766.2
申请日：2004-12-31
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/504 , H01L27/322 , H01L51/001 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/0081 , H01L51/5016 , H01L51/5036
Abstract: 提供了一种发白光的有机电致发光装置和具有该装置的有机电致发光显示器。有机电致发光装置包括第一电极，第二电极，和置于第一电极和第二电极之间的发光层，该发光层具有荧光层和磷光层。由此，可以获得亮度产率提高的发白光的有机电致发光装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1662126A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200410082069.X
申请日：2004-12-31
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B41M5/42 , B41M5/443 , B41M2205/06 , B41M2205/12 , B41M2205/38 , H01L51/0013
Abstract: 一种热转移元件，因为转移可以在低温下执行所以能够提高转移特性。该热转移元件，包括：作为支撑衬底的底部衬底；形成在底部衬底上以将入射光转换为热能的光－热转换层；形成在光－热转换层上以形成图像的转移层；以及形成在底部衬底和光－热转换层之间以便于光－热转换层从底部衬底分层的释放层。该释放层包括具有25 EC或更小的玻璃化转化温度(Tg)的硅聚合物。在进一步的实施例中，该热转移元件包括隔层，其形成在光－热转换层和转移层之间以保护光－热转换层。
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公开(公告)号：CN1658718A
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN200410099756.2
申请日：2004-12-31
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/5064 , H01L27/3211 , H01L51/0013 , H01L2251/5315 , H01L2251/558
Abstract: 本发明提供一种制备有机发光显示器的方法，能够通过用热转印方法构图发光层和电荷输运层的多个有机层来优化相应于R、G和B像素的有机层的厚度，从而改进装置的特性。该方法包括：在基板上形成R、G和B像素的下电极；形成有机层；及形成上电极。形成有机层包括在基板整个表面的上方形成R、G和B像素的空穴注入层和输运层的一部分，有机层包括第一和第二部分，并具有与空穴注入层和输运层的厚度之和相等的厚度。有机层的形成还包括构图有机层的第二部分和构图R、G和B像素的发光层。用具有有机层的第二部分和R、G和B像素的发光层作为转印层的热转印装置通过热转印方法来同时形成该有机层的第二部分和R、G和B像素的发光层。
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公开(公告)号：CN1575070A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410049394.6
申请日：2004-06-09
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L51/5052 , Y10S428/917
Abstract: 一种有机发光器件，包括阳极；阴极；介于阳极与阴极之间的发射层；及介于阳极与发射层之间的空穴注入层和空穴迁移层中的至少一层，其中空穴注入层和空穴迁移层中的至少一层包含基质(host)材料，及作为电子接受体的掺杂材料，该掺杂材料的电子亲合力比基质材料的大至少0.1eV。
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公开(公告)号：CN1474639A
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：CN03145106.3
申请日：2003-06-19
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H05B33/14
CPC classification number: H05B33/14 , C09K11/06 , C09K2211/1003 , C09K2211/1018 , C09K2211/14 , C09K2211/1408 , C09K2211/1441 , C09K2211/18 , C09K2211/182 , C09K2211/185 , H01L51/0013 , H01L51/0037 , H01L51/0042 , H01L51/0062 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , H01L51/5016 , H01L51/5096 , Y10S428/917
Abstract: 一种有机EL器件，其包括第一电极，空穴迁移层，发光层，及第二电极，其中发光层包括能够通过吸收能量而将能量转移给另一发光聚合物的基质发光膜，及在吸收所接收的能量之后能够以三重态发光的磷光掺杂剂。因此，发光层可以形成图案，且通过激光诱导热成像操作制备的全色彩有机聚合物EL器件的色纯度和发光特性可以得到提高。
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公开(公告)号：CN101118955A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200710149053.X
申请日：2003-12-15
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明公开了一种低分子量全色有机电致发光设备和一种制造低分子量全色有机电致发光设备的方法，通过提供低分子量全色有机电致发光设备的供体膜，能够放大和批量生产具有高分辨率的有机电致发光设备，所述供体膜包括：基材膜；在基材膜的上部形成的光热转化层；和在光热转化层的上部形成且由低分子量材料形成的转移层。通过激光照射和加热的一部分转移层根据转移层与光热转化层的粘附力的变化而从光热转化层上分离，而没有被激光照射的转移层部分被固定至光热转化层上。
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